泛林 文章 進入泛林技術(shù)社區(qū)
泛林集團連續(xù)第三年被Ethisphere評為“全球最具商業(yè)道德企業(yè)”之一
- 泛林集團近日宣布，公司已獲得由定義和推進商業(yè)道德實踐標準的全球領導者 Ethisphere 授予的 2025 年“全球最具商業(yè)道德企業(yè) (World’s Most Ethical Companies?)”稱號，是今年的上榜企業(yè)中唯一一家晶圓制造設備供應商。泛林集團首席合規(guī)官 Pearl Del Rosario 表示：“我們很自豪能夠連續(xù)第三年被 Ethisphere 評為 ‘全球最具商業(yè)道德企業(yè)’ 之一，這證明了泛林集團以正確的方式展開業(yè)務的持續(xù)努力。我們對于誠信、正直、尊重和透明度的關注，已深深植根于我
- 關鍵字： 泛林 Ethisphere 商業(yè)道德
最新全球半導體設備廠商排名Top10
- 根據(jù)CINNOResearch最新發(fā)布的全球半導體設備行業(yè)研究報告顯示，2024年全球半導體設備商半導體營收業(yè)務Top10營收合計超1100億美元，同比增長約10%。2024年全球半導體設備廠商市場規(guī)模Top10與2023年的Top10設備商相同，榜單前五名連續(xù)兩年保持穩(wěn)定：荷蘭公司ASML全年營收超300億美元，排名首位；美國公司應用材料（AMAT）2024年營收約250億美元，排名第二；美國公司泛林（LAM）、日本公司Tokyo Electron（TEL）、美國公司科磊（KLA）分別排名第三、第四和第
- 關鍵字： 半導體設備 ASML 應用材料 北方華創(chuàng) 中微公司 泛林
泛林集團被Ethisphere評為 2024 年“全球最具商業(yè)道德企業(yè)”之一
- 泛林集團連續(xù)第二年獲此年度殊榮，以表彰其通過完善的道德、合規(guī)和治理來恪守商業(yè)誠信的承諾。泛林集團近日宣布，公司已被Ethisphere 評為 2024 年“全球最具商業(yè)道德企業(yè)?”之一，Ethisphere是定義和推進商業(yè)道德實踐標準的全球領導者。泛林集團是今年全球榜單中唯一一家晶圓制造設備供應商。泛林集團首席合規(guī)官 Pearl Del Rosario表示：“連續(xù)第二年被 Ethisphere 評為‘全球最具商業(yè)道德企業(yè)’之一，我們深感自豪，這反映了泛林集團對商業(yè)誠信和透明度的堅定承諾。我們健全的道德與合
- 關鍵字： 泛林 全球最具商業(yè)道德企業(yè)
使用大面積分析提升半導體制造的良率
- l通過虛擬工藝開發(fā)工具加速半導體工藝熱點的識別l這些技術(shù)可以節(jié)約芯片制造的成本、提升良率設計規(guī)則檢查 (DRC) 技術(shù)用于芯片設計，可確保以較高的良率制造出所需器件。設計規(guī)則通常根據(jù)所使用設備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定。DRC可確保設計符合制造要求，且不會導致芯片故障或DRC違規(guī)。常見的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過程中出現(xiàn)短路、斷路、材料過量或其他器件故障。 在先進的半導體技術(shù)節(jié)點，DRC規(guī)則的數(shù)量增加和復雜性提升，導致傳統(tǒng)的2D DRC無法
- 關鍵字： 半導體制造 泛林
使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究
- 現(xiàn)代半導體工藝極其復雜，包含成百上千個互相影響的獨立工藝步驟。在開發(fā)這些工藝步驟時，上游和下游的工藝模塊之間常出現(xiàn)不可預期的障礙，造成開發(fā)周期延長和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實驗設計 (DOE) 功能來解決這一問題。在 3D NAND 存儲器件的制造中，有一個關鍵工藝模塊涉及在存儲單元中形成金屬柵極和字線。這個工藝首先需要在基板上沉積數(shù)百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次，在堆疊層上以最小圖形間隔來圖形化和刻蝕存儲孔陣列。此時，每層氮化硅（即將成為字線）的外表變得像
- 關鍵字： 泛林 SEMulator3D 虛擬工藝
為刻蝕終點探測進行原位測量
- 介紹?半導體行業(yè)一直專注于使用先進的刻蝕設備和技術(shù)來實現(xiàn)圖形的微縮與先進技術(shù)的開發(fā)。隨著半導體器件尺寸縮減、工藝復雜程度提升，制造工藝中刻蝕工藝波動的影響將變得明顯?？涛g終點探測用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒有剩余材料可供刻蝕。這類終點探測有助于最大限度地減少刻蝕速率波動的影響?？涛g終點探測需要在刻蝕工藝中進行傳感器和計量學測量。當出現(xiàn)特定的傳感器測量結(jié)果或閾值時，可指示刻蝕設備停止刻蝕操作。如果已無材料可供刻蝕，底層材料（甚至整個器件或晶圓）就會遭受損壞，從而極大影響良率[1]，因此可靠的終點
- 關鍵字： 刻蝕終點探測 原位測量 泛林
半大馬士革集成中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)面臨的挑戰(zhàn)
- l 隨著芯片制造商向3nm及以下節(jié)點邁進，后段模塊處理迎來挑戰(zhàn)l 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)可能有助于縮短電阻電容的延遲時間 隨著器件微縮至3nm及以下節(jié)點，后段模塊處理迎來許多新的挑戰(zhàn)，這使芯片制造商開始考慮新的后段集成方案。 在3nm節(jié)點，最先進的銅金屬化將被低電阻、無需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉(zhuǎn)變帶來減成圖形化這一新的選擇。這個方法也被稱為“半大馬士革集成”，結(jié)合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)大馬士革。
- 關鍵字： 半大馬士革 空氣間隙結(jié)構(gòu) 泛林 imec
泛林集團如何助力觸覺技術(shù)的實現(xiàn)
- ●? ?視頻游戲、虛擬現(xiàn)實和增強現(xiàn)實的興起正在推動觸覺技術(shù)需求的增長●? ?泛林集團的脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)可助力下一代觸覺技術(shù)試著想象一場沉浸式的虛擬體驗：在探索數(shù)字世界的時候，你的觸覺似乎與感受到的景象和聲音一樣真實。盡管一切只存在于網(wǎng)絡空間中，但你可以感受到用手接球、或者在虛擬鍵盤上敲字的感覺。這種感覺需要觸覺技術(shù)的支持，而泛林正在用創(chuàng)新助力這一技術(shù)的實現(xiàn)。制造微型觸覺器件需要許多與制造集成電路相同的基礎工藝，包括沉積、刻蝕、清洗等，但不需要制造納米級結(jié)構(gòu)
- 關鍵字： 泛林 觸覺技術(shù)
泛林集團以FIRST Global機器人挑戰(zhàn)賽為舞臺,培養(yǎng)未來的STEM人才
- 2023年度?FIRST?Global機器人挑戰(zhàn)賽于10月7-10日在新加坡舉辦。全球?qū)⒔?00個國家或地區(qū)的青少年在合作中競爭，在機器人領域展開了一場充滿活力、智慧和創(chuàng)造力的較量。這是該國際機器人賽事第七次舉辦年度競賽。這一令人振奮的賽事為期四天，由一家致力于培養(yǎng)全球年輕人科學領導力和技術(shù)創(chuàng)新的非營利組織FIRST?Global發(fā)起和組織。全球半導體行業(yè)創(chuàng)新晶圓制造設備和服務的供應商泛林集團成為2023年挑戰(zhàn)賽的冠名贊助商。泛林集團首席傳播官兼負責ESG的集團副總裁Stac
- 關鍵字： FIRST Global 機器人挑戰(zhàn)賽 STEM人才 泛林
FIRST Global、冠名贊助商泛林集團即將舉辦全球最具國際性的創(chuàng)新挑戰(zhàn)賽,旨在激發(fā)青少年對 STEM 的興趣,提出應對氣候變化的未來解決方案
- 2023?年度?FIRST??Global機器人挑戰(zhàn)賽將在一周后匯聚來自全球各地的數(shù)千名青少年展開機器人比拼，并合作尋找可再生能源的解決方案。這一為期四天的賽事由?FIRST?Global?創(chuàng)辦和管理，并得到了冠名贊助商泛林集團的大力支持，旨在鼓勵下一代的創(chuàng)新者。?2023?年度??FIRST??Global機器人挑戰(zhàn)賽將于?2023?年?10&n
- 關鍵字： 機器人挑戰(zhàn)賽 泛林 STEM 應對氣候變化
晶圓的另一面:背面供電領域的最新發(fā)展
- 在我從事半導體設備的職業(yè)生涯之初，晶圓背面是個麻煩問題。當時發(fā)生了一件令我記憶深刻的事：在晶圓傳送的過程中，幾片晶圓從機器人刀片上飛了出來。收拾完殘局后，我們想到，可以在晶圓背面沉積各種薄膜，從而降低其摩擦系數(shù)。放慢晶圓傳送速度幫助我們解決了這個問題，但我們的客戶經(jīng)理不太高興，因為他們不得不向客戶解釋由此導致的產(chǎn)量減少的原因。盡管初識晶圓背面的過程不太順利，但當2010年代早期Xilinx Virtex-7系列FPGA發(fā)布時，我開始更加關注這個領域。Xilinx的產(chǎn)品是首批采用“堆疊硅互連技術(shù)”的異構(gòu)集成
- 關鍵字： 晶圓 背面供電 泛林
3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)
- 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術(shù)進步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
- 關鍵字： 3D DRAM 泛林
使用新一代高度可調(diào)的低介電薄膜來解決串擾、隔離等制造挑戰(zhàn)
- 提升集成電路中的介電層性能可以在現(xiàn)在和未來的存儲器和邏輯電路發(fā)展中產(chǎn)生巨大的戰(zhàn)略影響。想象一下，在一個擠滿人的大房間里，每個人都有一條您需要的重要信息。他們都很樂意告訴您他們的信息，但問題是，他們都在同一時間說話。房間里的人越密集，就越難將想要關注的信息與周圍的雜音區(qū)分開。 這就是“串擾”，維基百科將其定義為“傳輸系統(tǒng)上一個電路或通道上傳輸?shù)男盘栐诹硪粋€電路或通道中產(chǎn)生不希望出現(xiàn)的影響”。如果您從事存儲器和邏輯器件制造，那么您面臨的情況就很像那個嘈雜的房間，因為在這當中非常鄰近的范圍
- 關鍵字： 低介電薄膜 泛林 SPARC沉積技術(shù)
泛林集團虛擬工藝比賽 | 人類工程師 vs. 人工智能
- 近期全球最具權(quán)威性的科學期刊Nature雜志發(fā)表了近150年來最激動人心且極具突破性的研究：《改進半導體工藝開發(fā)的人機協(xié)作》，該文章由泛林集團九名研究人員合著。此前曾擔任泛林集團首席技術(shù)官的Rick Gottscho博士表示：“我們的研究是突破性的，使泛林集團脫穎而出、成為在工藝工程中應用數(shù)據(jù)科學的領導者?！?nbsp;刊登在Nature雜志的這篇文章對比了人類工程師與機器以最低目標成本（即最少的實驗次數(shù)）開發(fā)半導體工藝的情況。為此，研究人員們創(chuàng)建了對比人類和計算機算法表現(xiàn)的比賽，在比賽中雙方需要設計一個
- 關鍵字： 泛林 虛擬工藝比賽 人類工程師 人工智能
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對泛林的理解，并與今后在此搜索泛林的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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