泛林集團 文章 進入泛林集團技術(shù)社區(qū)
提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
- 摘要隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產(chǎn)生負面影響，未來可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)構(gòu)顯著降低了節(jié)點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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泛林集團推出全球首個晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率
- 近日，泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對下一代邏輯、3D NAND和先進封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級器件需要數(shù)百個工藝步驟。僅需一個工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專有的保護膜，有助于防止在先進半導(dǎo)體制造過程中經(jīng)常發(fā)生的缺陷和損壞。這一強大的保護技術(shù)提高了良率，并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥砩a(chǎn)下一代芯片。Coron
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泛林集團、Entegris 和 Gelest 攜手推進 EUV 干膜光刻膠技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)
- 泛林集團 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化學(xué)集團旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項戰(zhàn)略合作，將為全球半導(dǎo)體制造商提供可靠的前體化學(xué)品，用于下一代半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng)新技術(shù)。三方將合作對未來幾代邏輯和 DRAM 器件生產(chǎn)所使用的 EUV 干膜光刻膠技術(shù)進行研發(fā)，這將有助于從機器學(xué)習(xí)和人工智能到移動設(shè)備所有這些技術(shù)的實現(xiàn)。? ? ? ? ? ? ?
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泛林集團闡述實現(xiàn)凈零排放的路徑和進展
- 日前，半導(dǎo)體行業(yè)中率先主動設(shè)定凈零排放目標的公司之一泛林集團 (NASDAQ: LRCX) 自豪地發(fā)布了其《2021 年環(huán)境、社會和公司治理 (ESG) 報告》。這是泛林集團第八年發(fā)布該報告，其中著重介紹了公司開展的環(huán)?；顒右约叭绾未龠M半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的可持續(xù)性。在報告中，泛林集團體現(xiàn)了 “為創(chuàng)造更美好的世界而努力” 的承諾，并介紹了其社會影響框架，該框架旨在促進社區(qū)的積極變化，激勵和教育未來的創(chuàng)新者，以及建立一個更具包容性的社會。泛林集團總裁兼首席執(zhí)行官 Tim Archer 表示：“當(dāng)我們通過技術(shù)改變世
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泛林集團推出晶圓應(yīng)力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展
- 上?！?近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團宣布推出全新解決方案，幫助客戶提高芯片存儲密度，以滿足人工智能和機器學(xué)習(xí)等應(yīng)用的需求。通過推出用于背面薄膜沉積的設(shè)備VECTOR? DT和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設(shè)備EOS? GS，泛林集團進一步拓展了其應(yīng)力管理產(chǎn)品組合。泛林集團推出晶圓應(yīng)力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展高深寬比沉積和刻蝕工藝是實現(xiàn)3D NAND技術(shù)持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。隨著工藝層數(shù)的增加，其累積的物理應(yīng)力越來越大，如何控制由此引起的晶圓翹曲已成為制造過程中
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泛林集團自維護設(shè)備創(chuàng)生產(chǎn)率新紀錄
- 上海 —— 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團宣布其自維護設(shè)備創(chuàng)下半導(dǎo)體行業(yè)工藝流程生產(chǎn)率的新標桿。通過與領(lǐng)先半導(dǎo)體制造商合作，泛林集團成功實現(xiàn)了刻蝕工藝平臺全年無間斷運行。在當(dāng)今半導(dǎo)體工藝環(huán)境中，平均清洗間隔時間是限制刻蝕系統(tǒng)生產(chǎn)率提高的主要因素。為了保持穩(wěn)定的性能，通常需要每月、甚至每周清洗刻蝕工藝腔室，并更換被等離子體工藝腐蝕的部件。2019 年 4 月，泛林集團與客戶攜手達成了一項宏偉目標，實現(xiàn)設(shè)備在無需維護清洗的情況下連續(xù)運行 365 天，創(chuàng)下里程碑式紀錄。泛林集團自維護設(shè)備創(chuàng)生
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