溝道 文章 進(jìn)入溝道技術(shù)社區(qū)
IR推出基準(zhǔn)工業(yè)級30V MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。 這些堅固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù)，并且通過非常低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動工具的電池壽命。 IR亞洲區(qū)銷售副總裁
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IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。 新系列基準(zhǔn)MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實現(xiàn)非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護(hù)頻帶，并可減少由
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溝道介紹
溝道
溝道 （channel） 半導(dǎo)體中由于外加電場引起的沿長度方向的導(dǎo)電層。如MOS結(jié)構(gòu)中當(dāng)施加外部電場時在半導(dǎo)體表面形成的積累層及反型層。 [ 查看詳細(xì) ]
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