IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路一?了解基本驅動器圖 2. IGBT的導通電流了快速導通和關斷 BJT，必須在每個方向上硬驅動柵極電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當 MOSFET 的柵極被驅動
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IGBT 柵極 驅動
當今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數 FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現(xiàn)的電子特性。根據摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設備保持強靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實現(xiàn)激進的溝道長度縮放。自從在現(xiàn)代電子產品中引入場效應晶體管 (FET) 以來，理論和應用電路技術已經取得了多項改進。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
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柵極 FET
具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET產品相比，在橋式結構情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關斷時的行為。本文的關鍵要點1 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。2 要想正確實施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對
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ROHM 橋式結構 柵極
在功率開關器件最常見的應用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結構。對于橋式結構情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作”和這篇文章所依據的應用指南“橋式結構中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動作情況?！?nbsp; 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MO
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羅姆 柵極，橋式結構
半導體制程工藝上，英特爾要是說第二，那沒人敢說第一。晶圓制造這個圈子，英特爾毫無疑問處于第一流，其他廠商包括IBM，英飛凌，NEC，意法半導體以及東芝等公司，以及目前半導體代工行業(yè)的老大老二老三——臺積電、GlobalFoundries、三星，統(tǒng)統(tǒng)都是二流。
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英特爾 半導體 柵極
在之前的章節(jié)已經說道，如果要實現(xiàn)一個放大器的功能，需要一個固定的放大倍數(Gain)，這也就是說輸出信號應該是跟隨輸入信號變化而變化，換句話說輸出信號應該要受到輸入信號的控制。
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放大器 輸入信號 三極管 二極管 柵極
摘要：通過本文的分析來優(yōu)化中壓和高壓功率MOSFET在各種隔離式轉換器拓撲使用時的死區(qū)時間，能夠幫助工程師發(fā)現(xiàn)各種器件技術的優(yōu)點，甚至使那些過時的設計方案也能達到更好的性能。
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ZVS MOSFET DC-DC IBC 柵極 201311
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出可在1.5V～5.5V電壓下工作的新款上升斜率控制的P溝道高邊負載開關--- SiP32458和SiP32459。這兩款器件均具有一個集成的可提供穩(wěn)定的20m?低導通電阻，同時保持低靜態(tài)電流的柵極泵。
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Vishay 柵極
當數字功率放大器的輸出功率大于50W之后，就無法只用單片全集成的集成電路來構成放大器，必須采用柵極驅動器集 ...
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柵極 驅動器 集成電路 數字功率放大
由于SI技術得到廣泛應用，而電子電路都可能有故障存在，這就提出一個新的課題：怎樣對SI電路進行故障診斷。 ...
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采樣 柵極 線性 激勵
通過利用JFET在零偏置時導通大電流的能力，能夠設計出一種自起動、低輸入電壓的轉換器。...
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繞組 電壓 柵極 偏壓
柵極介紹
由金屬細絲組成的篩網狀或螺旋狀電極。多極電子管中最靠近陰極的一個電極，具有細絲網或螺旋線的形狀，插在電子管另外兩個電極之間,起控制板極電流強度、改變電子管性能的作用。
在場效應管中,柵極是由英文gate electrode翻譯而來的.位置類似于晶體三極管中的Gate. [
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