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萊爾德科技推出T-GARD 20導(dǎo)熱絕緣材料

　　萊爾德科技推出經(jīng)濟(jì)型高性能導(dǎo)熱絕緣材料T-GARD 20。這一產(chǎn)品是針對(duì)電腦的供電電源而設(shè)計(jì)的。　　T-gard 20的介質(zhì)擊穿電壓（DBV）為9000 Vac，具有很高的電氣可靠性。客戶不必?fù)?dān)心他們的應(yīng)用系統(tǒng)的電介質(zhì)絕緣問(wèn)題。T-gard 20的介質(zhì)擊穿電壓是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的兩倍。　　“這項(xiàng)產(chǎn)品使用厚度為0.05 mm電氣級(jí)聚脂，介電強(qiáng)度是始終一致的。”萊爾德科技導(dǎo)熱絕緣材料全球產(chǎn)品經(jīng)理Robert Kranz說(shuō)道。“相變涂敷層的表面濕潤(rùn)性很
關(guān)鍵字： 20 T-GARD 材料導(dǎo)熱電源技術(shù) 絕緣萊爾德模擬技術(shù)

　　一、全球IC構(gòu)裝產(chǎn)業(yè)概況　　　　由全球的IC封測(cè)產(chǎn)能利用率來(lái)看，2005年上半的產(chǎn)能利用率是從2004年第三季的巔峰開(kāi)始逐漸下滑，但到2005年第二季時(shí)已跌落谷底，并開(kāi)始逐季向上攀升，在2005年底時(shí)全球的封測(cè)產(chǎn)能利用率已達(dá)八成左右，整體表現(xiàn)可說(shuō)是一季比一季好。2005年全球IC構(gòu)裝市場(chǎng)在2004年的增長(zhǎng)力道延續(xù)之下，全球2005年的IC構(gòu)裝產(chǎn)值達(dá)到303億美元，較2004年增長(zhǎng)10.9%，預(yù)期在半導(dǎo)體景氣逐步加溫下，2006年可達(dá)336億美元。
關(guān)鍵字： IC 材料產(chǎn)業(yè) 封裝封裝

國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI)分析師Dan Tracy日前預(yù)計(jì)，2006年總體材料市場(chǎng)增長(zhǎng)7.2%，將從2005年的179.53億美元增長(zhǎng)至192.4億美元。Tracy曾預(yù)計(jì)該領(lǐng)域在2005年會(huì)獲得6%的年度增長(zhǎng)，而后由臺(tái)灣工研院經(jīng)資中心(IEK)公布的實(shí)際增長(zhǎng)率為5.8%。分析師指出，在300毫米晶圓技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，預(yù)計(jì)全球硅晶圓材料市場(chǎng)在未來(lái)幾年將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2006年硅晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)7.4%，從2
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料市場(chǎng)

　　國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI)分析師Dan Tracy日前預(yù)計(jì)，2006年總體材料市場(chǎng)增長(zhǎng)7.2%，將從2005年的179.53億美元增長(zhǎng)至192.4億美元。Tracy曾預(yù)計(jì)該領(lǐng)域在2005年會(huì)獲得6%的年度增長(zhǎng)，而后由臺(tái)灣工研院經(jīng)資中心(IEK)公布的實(shí)際增長(zhǎng)率為5.8%。　　分析師指出，在300毫米晶圓技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，預(yù)計(jì)全球硅晶圓材料市場(chǎng)在未來(lái)幾年將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2006年硅晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)7.4%，從2005年的82.02億美元增長(zhǎng)到2006年的89.88億美元。　　Tracy
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