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十年磨一劍:三星引入長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利技術(shù)

- 近日,三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)簽署了3D NAND混合鍵合(Hybrid Bonding)相關(guān)專利許可協(xié)議。不過(guò),目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND(V10)將開(kāi)始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造,因此需要長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)W2W(Wafer-to-Wafer)混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)?——?通過(guò)直接將兩片晶圓貼合,省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接,形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短,顯著提高了傳輸
- 關(guān)鍵字: 三星 長(zhǎng)江存儲(chǔ) NAND 混合鍵合 晶棧 Xtacking 閃存
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