晶體文章進(jìn)入晶體技術(shù)社區(qū)

針對(duì)SMD晶體器件檢測(cè)的機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

SMD(晶體諧振器)晶體器件檢測(cè)是在晶體器件生產(chǎn)流程中一道至關(guān)重要的工序，晶體器件的所有電性能指標(biāo)經(jīng)過(guò)該道工序的檢測(cè)后，合格品即可包裝出廠。由于其是最后一道檢測(cè)工序，因此其檢測(cè)的正確率直接影響到出廠產(chǎn)品的品質(zhì)。一般來(lái)說(shuō)，在批量生產(chǎn)中同一批次的產(chǎn)品中誤測(cè)率必須小于2ppm，即一百萬(wàn)個(gè)出廠產(chǎn)品中，不能出現(xiàn)2個(gè)不合格品，否則購(gòu)買(mǎi)該批次產(chǎn)品的用戶就會(huì)要求退貨。而對(duì)于出口產(chǎn)品，用戶的要求則會(huì)更加嚴(yán)格，除了要求電性能指標(biāo)要符合要求外，印制在SMD器件外殼上的標(biāo)記的方向也必須保持一致。因此，為了提高產(chǎn)品的出廠品質(zhì)，除了
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石英晶體微天平型免疫傳感器

石英晶體微天平型免疫傳感器3. 1　測(cè)定原理
目前的壓電傳感器有兩種工作模式:一種是厚度減切型模式,另一種是表面聲波模式[ 24 ] 。石英晶
體微天平( quartz crystalmicrobalance,QCM )即是基于前一種模式構(gòu)建的壓
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晶體硅太陽(yáng)電池減反射膜的研究

摘要：在太陽(yáng)電池表面形成一層減反射薄膜是提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率比較可行且降低成本的方法。應(yīng)用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)系統(tǒng)，采用SiH4和NH3氣源以制備氮化硅薄膜。研究探索了PECVD生長(zhǎng)氮化硅薄膜的基
關(guān)鍵字：研究反射電池太陽(yáng) 晶體

微晶推出陶制包裝kHz超薄晶體

　　Micro Crystal(微晶公司)最新的32.768kHz石英晶體CM7V-T1A為超薄型設(shè)計(jì)設(shè)定了新的標(biāo)準(zhǔn)。CM7V-T1A擁有金屬蓋及高性能的陶制包裝。
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一種20M低相位噪聲晶體振蕩器的設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種20M低相位噪聲晶體振蕩器。通過(guò)對(duì)振蕩原理的分析，選取了Santos結(jié)構(gòu)的振蕩器進(jìn)行設(shè)計(jì)。該晶體振蕩器由主振蕩電路、振幅控制電路兩部分組成，用標(biāo)準(zhǔn)的0．18 mu;m CMOS工藝實(shí)現(xiàn)，并通過(guò)Cadence平臺(tái)下
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基于SiGe HBT的射頻有源電感設(shè)計(jì)

電感在射頻單片集成電路中具有重要作用，主要具備阻抗轉(zhuǎn)換、諧振、反饋、濾波等功能。隨著無(wú)線通信技術(shù)的迅速...
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晶體二極管開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程分析

晶體二極管開(kāi)關(guān)電路在數(shù)字系統(tǒng)和自動(dòng)化系統(tǒng)里應(yīng)用很廣泛，在晶體二極管開(kāi)關(guān)特性實(shí)驗(yàn)中，其開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中輸出與輸入存在時(shí)間上的延遲或者滯后，研究晶體二極管開(kāi)關(guān)特性主要是研究其開(kāi)關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過(guò)程所需時(shí)間的長(zhǎng)短。
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美研究出改善石墨烯單晶制造方法

美國(guó)普渡大學(xué)研究人員們研究出一種能夠改善石墨烯單晶體陣列的制造方法，使其實(shí)現(xiàn)類似于硅晶生產(chǎn)的方式與品質(zhì)?！耙怨杈鶎?shí)現(xiàn)的高品質(zhì)量產(chǎn)觀點(diǎn)來(lái)看，石墨烯尚未到位，但在邁向這一發(fā)展方向的道路上，該研究進(jìn)展可說(shuō)是非常重要的一步?！逼斩纱髮W(xué)納米科學(xué)與物理學(xué)助理教授Yong P.Chen表示。
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藍(lán)光LED光子晶體技術(shù)原理及制程詳解

為回避日亞化學(xué)的藍(lán)光LED 加螢光粉制技術(shù)專利，各業(yè)者紛紛投入其它能達(dá)到散發(fā)出白光的LED 技術(shù)，目前最被期待的技術(shù)是利用UV LED 來(lái)達(dá)到白光的目的，但是，UV LED 仍舊有著光外漏及低亮度兩個(gè)不易克服的困難。使得除
關(guān)鍵字：原理詳解技術(shù) 晶體 LED 光子藍(lán)光

晶體振蕩器的分類

晶體振蕩器的分類,石英晶體振蕩器是目前精確度和穩(wěn)定度最高的振蕩器,廣泛應(yīng)用于全球定位系統(tǒng)（GPS）和移動(dòng)通信等各種系統(tǒng)中。石英晶體振蕩器是由品質(zhì)因素極高的石英晶體振子(即諧振器)和振蕩電路組成。晶體的品質(zhì)、切割取向、晶體振子
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基于模糊PID控制算法的恒溫石英晶體振蕩器

摘要：為了提高石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度，除了選取高性能的諧振器外，對(duì)其采取恒溫控制方式是保證其穩(wěn)定震蕩的關(guān)鍵。本文給出了一種采用雙層恒溫槽及采用模糊PID控制算法，外層加溫部分控制基礎(chǔ)加溫，內(nèi)層加溫部分
關(guān)鍵字：石英晶體振蕩器恒溫算法模糊 PID 控制基于

光致發(fā)光技術(shù)在檢測(cè)晶體Si太陽(yáng)電池缺陷的應(yīng)用

引言　　近年來(lái)，光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，提高效率和降低成本成為整個(gè)行業(yè)的目標(biāo)。在晶體Si太陽(yáng)電池的薄片化發(fā)展過(guò)程中，出現(xiàn)了許多嚴(yán)重的問(wèn)題，如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等，正是這些缺陷限制了電池的光電
關(guān)鍵字：電池缺陷應(yīng)用太陽(yáng) Si 技術(shù) 檢測(cè) 晶體發(fā)光

回看過(guò)去10年的芯片設(shè)計(jì)

　　全球IC設(shè)計(jì)與10年之前有很大差別，那時(shí)EVE公司剛開(kāi)始設(shè)計(jì)它的第一個(gè)產(chǎn)品。在2000年時(shí)半導(dǎo)體業(yè)正狂熱的進(jìn)入一個(gè)新時(shí)代。　　回看那時(shí)，工藝技術(shù)是180納米及設(shè)計(jì)晶體管的平均數(shù)在2000萬(wàn)個(gè)。一個(gè)ASIC平均100萬(wàn)門(mén)，而大的設(shè)計(jì)到1000萬(wàn)門(mén)及最大的設(shè)計(jì)在1億個(gè)門(mén)。僅只有很少部分設(shè)計(jì)從功能上采用嵌入式軟件。　　驗(yàn)證占整個(gè)設(shè)計(jì)周期的70%時(shí)間及僅只有在大的CPU或圖像芯片設(shè)計(jì)中才采用仿真emulation。在2000年EVE的仿真系統(tǒng)能夠進(jìn)行60萬(wàn)門(mén)的ASIC，幾乎己到極限。　　到2010
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FM信號(hào)的解調(diào)電路--晶體鑒頻器

晶體鑒頻器的主要優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，調(diào)整容易，鑒頻跨導(dǎo)大，因此在窄帶FM接機(jī)中得到廣泛的應(yīng)用。圖5.5-31A為晶體鑒頻器原理電路圖，電容C與石英晶體JT串聯(lián)，然后接至FM信號(hào)源U1。電容C上的電壓UC與晶體JT上的電壓U1，其
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接收機(jī)用晶體變換器設(shè)計(jì)及制作

晶體變換器的印刷電路基板的制作與調(diào)整圖26晶體變換器的印刷電路基板圖26晶體變換器的印刷電路基板圖26所示的為晶體變換器的印刷電路基板。由于為VHF頻帶，可以使用紙樹(shù)脂基板。對(duì)于高頻率放大電路與頻率變換電路的
關(guān)鍵字：制作設(shè)計(jì) 變換器晶體接收機(jī)