晶體管文章進入晶體管技術(shù)社區(qū)

【E問E答】晶體管工作原理是什么?

　　利用半導體的特性，每個管子工作原理個不同，你可以找機電方面的書看　　下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實很簡單，就是用兩個狀態(tài)表示二進制的“0”和“1”。　　　　源極和漏極之間是溝道(Channel)，當沒有對柵極(G)施加電壓的時候，溝道中不會聚集有效的電荷，源極(S)和漏極(S)之間不會有有效電流產(chǎn)生，晶體管處于關閉狀態(tài)?？梢园堰@種關閉的狀態(tài)解釋為&l
關鍵字：晶體管

摩爾定律預言晶體管將在2021年停止縮減準不準?

　　本月早些時候公布的2015年半導體國際技術(shù)路線圖顯示，經(jīng)過50多年的小型化，晶體管可能將在短短五年間停止縮減。該報告的預測，到2021年之后，繼續(xù)縮微處理器當中小晶體管的尺寸，對公司來說不再經(jīng)濟。相反，芯片制造商將使用其它手段提升晶體管密度，即從水平專到垂直，建立多層電路。　　一些人認為，這一變化將有可能被解釋為摩爾定律死亡的另外一種方式。雪上加霜的是，這是最后一份ITRS路線圖。目前，半導體行業(yè)協(xié)會和半導體研究公司已經(jīng)分道揚鑣，就摩爾定律死亡之后，尋找和制定新的半導體發(fā)展路線圖。預計其他ITRS
關鍵字：摩爾定律晶體管

單管共射放大電路的相關知識

　　一、晶體管放大電路的概述　　由三極管組成的放大電路，它的主要作用是將微弱的電信號(電壓、電流)放大成為所需要的較強的電信號。根據(jù)放大電路輸入、輸出回路變化信號公共端的晶體管電極，我們把晶體管放大電路分為共射、共基、共集三類。　　二、單管共射放大電路的組成及元件作用　　單管共發(fā)射極電路(如下圖)需要放大的電壓信號Ui接在放大電路輸入端;放大后的電壓Uo，從放大電路的集電極與發(fā)射極輸出。發(fā)射極E是輸入信號和輸出信號的公共端，組成共發(fā)射極放大電路。　　　　三極管V：實
關鍵字：晶體管放大電路

一款驅(qū)動壓電管的高壓放大器

　　文章主要介紹能驅(qū)動壓電管的高壓放大器，感性趣的朋友可以看看?！　≡趻呙杷淼里@微鏡中驅(qū)動操作裝置的壓電管狀定位器需要使用高壓低電流驅(qū)動電路。圖1所示電路具有6 kHz的-3dB帶寬，可驅(qū)動高阻低電容的壓電負載。該電路成本低，可代替商用驅(qū)動器。晶體管Q3和Q4構(gòu)成了一個電流反射鏡，R3設定Q4的集電極電流。該集電極電流可由IC3=IC4=[VCC-(-VCC)-VBE(Q4)]/R3公式確定。運算放大器IC1為Q5提供基極驅(qū)動，Q5又驅(qū)動Q6。當IC1輸入端無信號時，Q6和Q3的集電極電流平衡，
關鍵字：晶體管

從晶體管特性曲線看飽和問題

　　我前面說過：談論飽和不能不提負載電阻?，F(xiàn)在再作詳細一點的解釋。　　借用楊真人提供的那幅某晶體管的輸出特性曲線。由于原來的Vce僅畫到2.0V為止，為了說明方便，我向右延伸到了4.0V。　　如果電源電壓為V，負載電阻為R，那么Vce與Ic受以下關系式的約束：　　Ic = (V-Vce)/R 　　在晶體管的輸出特性曲線圖上，上述關系式是一條斜線，斜率是 -1/R，X軸上的截距是電源電壓V，Y軸上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖說的“Ic(max)是指在假定e、c極短路
關鍵字：晶體管

二氧化釩有助于提升晶體管能效？

　　美國賓州大學(Penn State)的材料科學家采用一種將二氧化釩結(jié)合于電子元件的新技術(shù)，發(fā)現(xiàn)了可提升電晶體效能的新方法。　　“目前的電晶體技術(shù)難以取代，因為半導體己經(jīng)進展得如此有聲有色，”賓州大學材料科學與工程系助理教授Roman Engel-Herbert解釋。“但還有一些材料，如二氧化釩可以添加在現(xiàn)有的元件中，使其效能表現(xiàn)更好。” 　　研究人員們已經(jīng)知二氧化釩有一種不尋常的特性稱為“金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變”。在金屬狀態(tài)下，電
關鍵字：二氧化釩晶體管

一個小型晶體管開關電路的無聊分析

　　Q3是一個PNP型開關，此開關控制另一PNP型開關Q4，Q5是另另一NPN型開關，與本文無關。　　實驗是想研究Q3偏置電阻對Q4導通情況的影響。電路的設計需求是Q3導通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3導通而VCE較大時，Q4也隨之導通。這種情況在Q3負載電容R29固定時，往往是由R27取特定范圍值導致的。在PSpice中做個DC掃描，R27從100k變化到10M，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q3確實不用完全關斷Q4就導通了，而且R29的電流不會降低太多，也就是R29的分壓沒降低多少Q(mào)4即可導通，此時Q3對R29分壓
關鍵字：晶體管開關電路

我的一些數(shù)字電子知識總結(jié)（2）

　　1、PNP管做旁路晶體管時，雖然壓降較小，但其輸出阻抗大，需要特定的ESR的電容才能穩(wěn)定，同時允許的功率耗散較小，應小心在重載條件下使用。　　2、因為晶體管的基極電流較大，導致當晶體管做耗散管時，芯片的接地電流常常較大(幾個mA甚至數(shù)十個mA)，在電池供電的應用中，這可能會大大縮短電池的壽命! 　　3、因為線性穩(wěn)壓器是通過消耗功率來獲得輸出電壓的穩(wěn)定，功率的消耗將主要轉(zhuǎn)化為熱量，因此，當線性穩(wěn)壓器芯片太燙的時候，一定要考慮是否在其上消耗了過多的能量。　　4、A/D轉(zhuǎn)換器的類型和特點：　　
關鍵字： PNP 晶體管

斯坦福學者發(fā)現(xiàn)集成光路核心單元

　　Lightwave報道，斯坦福大學的研究者最近在美國光學學會OSA的Optica雜志撰文稱找到一種利用基于MZ干涉儀的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)來構(gòu)建多種光網(wǎng)絡用光器件的辦法。　　斯坦福大學電子系David A. B. Miller博士在他的文章“基于不完美器件的完美光學技術(shù)”中指出，最近，學者們開始發(fā)現(xiàn)干涉儀可以用來構(gòu)建幾乎任何可以想到的光學器件。對干涉儀網(wǎng)的研究可以開啟未來利用光學器件代替現(xiàn)在的電子器件來進行線性工作的大門。　　 ? 　　根據(jù)Miller博士的描述，
關鍵字：晶體管集成光路核心單元

杜克大學研究者開發(fā)超快速LED 1秒鐘內(nèi)開合900億次

　　根據(jù)國外媒體報道，有研究者最近研發(fā)出了一種可在1秒鐘內(nèi)開合900億次的LED發(fā)光設備，可作為光計算技術(shù)的應用基礎。　　目前，智能手機的電池內(nèi)部擁有多達數(shù)十億的晶體管，它們使用了可在每秒開合數(shù)十億次的電子來進行供電。但如果微芯片可以使用光子而非電子來處理和傳輸數(shù)據(jù)，計算機的運行速度就能得到大幅提升。不過首先，研究者們需要開發(fā)出能夠快速開合的光源。　　雖然激光可以滿足這種要求，但它們存在能耗過高和發(fā)射裝置體積過大的問題，因此并不適合在計算機內(nèi)部工作。而現(xiàn)在，杜克大學所開發(fā)出的這種快速發(fā)光設備讓研究
關鍵字：晶體管 LED

晶體管原理

　　導讀：本文主要講述的是晶體管的原理，感興趣的童鞋們快來學習一下吧~~~很漲姿勢的哦~~~ 1.晶體管原理--簡介　　晶體管是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，開關速度可以非常之快。嚴格意義上講，晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。 2.晶體管原理--結(jié)構(gòu) 　　晶體管
關鍵字：晶體管晶體管原理

晶體管工作原理

　　導讀：晶體管，只是對所有以半導體材料為基礎的元件的統(tǒng)稱，那么問題來了，晶體管工作原理是什么呢?接下來就讓我們以雙極性晶體管和場效應晶體管為例來詳細了解一下吧～一、晶體管工作原理- -簡介　　晶體管，英文名稱為transistor，泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，如二極管、三極管、場效應管等等。晶體管具有整流、檢波、放大、穩(wěn)壓、開關等多種功能，具有響應速度快、精度高等特點，是規(guī)范化操作手機、平板等現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建模塊，目前已有著廣泛的應用。二、晶體管工作原理- -分類　　
關鍵字：晶體管晶體管工作原理

Diodes高壓穩(wěn)壓器晶體管為微控制器提供5V電源并節(jié)省占位面積

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出新的穩(wěn)壓器ZXTR2105F，該產(chǎn)品把晶體管、齊納二極管及電阻器單片式集成起來，有效在高達60V的輸入情況下提供5V 15mA的輸出。這款穩(wěn)壓器晶體管采用了小巧的SOT-23封裝，可減少元件數(shù)量，以及節(jié)省微控制器應用的印刷電路板面積，例如個人電腦和服務器的直流散熱風扇，以及工業(yè)與汽車市場的電機驅(qū)動器、排氣扇和傳感器應用。　　　　ZXTR2105F旨在替代三個分立元件，當一般用來從12V或24V的輸入產(chǎn)生4.7
關鍵字： Diodes 晶體管

CPU的未來全靠它？一個原子厚度的晶體管

　　近日，美國研制出世界上首個僅有原子厚度的硅烯晶體管，而CPU的未來，就全靠它了。
關鍵字： CPU 晶體管

實現(xiàn)專業(yè)高音質(zhì)及96%功率效率，宜普公司的演示板采用氮化鎵場效應晶體管

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出的150 W、8 Ω D類音頻放大器參考設計(EPC9106)采用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計，包含四個接地的半橋輸出功率級電路，使得設計可以升級及擴展。在這個基于氮化鎵場效應電晶體的系統(tǒng)中，我們把所有會影響D類音頻系統(tǒng)的音質(zhì)的元素減至最少或完全去除。　　根據(jù)Intersil公司的D2 Audio的共同創(chuàng)辦人兼前任CTO Skip Taylor博士所說：「eGaN FET的功率級準確地以高功率復制D類脈寬調(diào)制(PWM)信號并具有超高線
關鍵字：宜普晶體管 EPC9106

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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。　　半導體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細 ]