存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)分析該如何走存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化道路？

近年來，隨著移動(dòng)通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能制造等領(lǐng)域的快速發(fā)展，存儲(chǔ)器產(chǎn)品的應(yīng)用市場(chǎng)也隨之逐步開拓，市場(chǎng)需求越來越大。
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2017年半導(dǎo)體市場(chǎng)雙位數(shù)成長(zhǎng)趨勢(shì)確立？

　　2017年對(duì)IC產(chǎn)業(yè)來說將會(huì)是個(gè)豐收年?根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)協(xié)會(huì)(SIA)的最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2017年截至第二季的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額與去年同時(shí)期相較，成長(zhǎng)率近21%;而另一家市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights也再一次調(diào)升2017年半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)，認(rèn)為該市場(chǎng)可成長(zhǎng)16%、達(dá)到4,191億美元營(yíng)收規(guī)模。　　SIA引用世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)的資料，表示全球晶片銷售額第二季達(dá)到979億美元，較上一季成長(zhǎng)6%，較2016年第二季成長(zhǎng)24%;2017年6月份的半導(dǎo)體銷售額為326億美元，較5月份成長(zhǎng)
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基帶處理芯片共享高速存儲(chǔ)器模塊設(shè)計(jì)

　　0. 引言　　本文介紹了一種共享高速存儲(chǔ)器模塊的設(shè)計(jì)。該高速存儲(chǔ)器能夠?qū)崿F(xiàn)多核處理器間的數(shù)據(jù)交換，同時(shí)占用較小的電路面積。相比傳統(tǒng)的多核處理器數(shù)據(jù)交換方式，本設(shè)計(jì)可以更好地提升系統(tǒng)性能。是一種有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的電路設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu);　　1. 共享緩存結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)　　1.1 總體考慮　　在多核 CPU中共享高速緩存主要負(fù)責(zé)緩存多個(gè)處理器核的數(shù)據(jù)，處理訪問這些數(shù)據(jù)的缺失請(qǐng)求并向 DRAM 控制器發(fā)送請(qǐng)求以獲得 DRAM 返回的數(shù)據(jù)。共享高速緩
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存儲(chǔ)器價(jià)格上漲帶動(dòng)今年全球集成電路市場(chǎng)營(yíng)收大幅增長(zhǎng)16%

　　2017年上半年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)收獲頗豐，一舉帶動(dòng)科技行業(yè)的營(yíng)收增長(zhǎng)，縱觀發(fā)展態(tài)勢(shì)，還將持續(xù)至2017年下半年。IC insights在最新預(yù)測(cè)中指出，由于存儲(chǔ)器(DRAM和NAND閃存)的價(jià)格上漲，至2017年全球集成電路銷售額也將同比增長(zhǎng)16%。這也是即2010年后，全球集成電路銷售額首次呈兩位數(shù)增長(zhǎng)。　　IC insights 預(yù)計(jì)，今年DRAM市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)55%，NAND市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)35%，是引起全球集成電路銷售額上漲的重要原因。如無兩者的帶動(dòng)，整體集成電路市場(chǎng)的年增長(zhǎng)率僅為6%。　　如
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)欣欣向榮！三星、SK海力士、美光Q2業(yè)績(jī)均創(chuàng)新高

　　由于云端應(yīng)用帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心建設(shè)、智能手機(jī)追求更大容量和更快運(yùn)算，以及 4K 電視等高性能電視需要更多存儲(chǔ)器等因素，數(shù)據(jù)暫存處理用的 DRAM，以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用的 NAND Flash，市場(chǎng)成長(zhǎng)速度均高于電腦與智能手機(jī)市場(chǎng)的成長(zhǎng)率。　　根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)顯示，從 2016 年 Q3 到 2017 年 Q2，DRAM 價(jià)格季度平均增長(zhǎng)率為 16.8%，NAND Flash 價(jià)格季度平均增長(zhǎng)率為 11.6%。據(jù) IC Insights 預(yù)測(cè)，今年 DRAM 價(jià)格的全年漲幅將創(chuàng) 1993年以
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智能購物應(yīng)用中的存儲(chǔ)器——第一部分

　　當(dāng)今，物聯(lián)網(wǎng)(IoT)已對(duì)所有行業(yè)產(chǎn)生了影響，而且有望到2020年成為一個(gè)1.7萬億美元的市場(chǎng)。IoT領(lǐng)域建立在云計(jì)算以及由移動(dòng)、虛擬和即時(shí)連接搭建的數(shù)據(jù)采集傳感器網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)之上。行業(yè)專家認(rèn)為，它將讓我們生活中的一切變得更加“智能”。IoT已經(jīng)滲透至各行各業(yè)：從工廠自動(dòng)化到點(diǎn)播娛樂和可穿戴設(shè)備。但在大多數(shù)情況下，這個(gè)龐大的智能設(shè)備互聯(lián)系統(tǒng)在改變我們的工作方式方面還未充分發(fā)揮其全部潛能?！　oT無疑是推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)和嵌入式系統(tǒng)發(fā)展的新動(dòng)力。它的誕生推升了市場(chǎng)對(duì)眾多新使能技術(shù)的需求，其中包括：　　·&n
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存儲(chǔ)器價(jià)格上漲帶動(dòng)今年全球集成電路市場(chǎng)營(yíng)收大幅增長(zhǎng)16%

　　2017年上半年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)收獲頗豐，一舉帶動(dòng)科技行業(yè)的營(yíng)收增長(zhǎng)，縱觀發(fā)展態(tài)勢(shì)，還將持續(xù)至2017年下半年。IC insights在最新預(yù)測(cè)中指出，由于存儲(chǔ)器(DRAM和NAND閃存)的價(jià)格上漲，至2017年全球集成電路銷售額也將同比增長(zhǎng)16%。這也是即2010年后，全球集成電路銷售額首次呈兩位數(shù)增長(zhǎng)。　　IC insights 預(yù)計(jì)，今年DRAM市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)55%，NAND市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)35%，是引起全球集成電路銷售額上漲的重要原因。如無兩者的帶動(dòng)，整體集成電路市場(chǎng)的年增長(zhǎng)率僅為6%。　　如
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存儲(chǔ)器缺貨漲不停廠商賺錢賺到手軟

在嵌入式存儲(chǔ)方面，中國(guó)手機(jī)的實(shí)際需求較預(yù)期疲軟，同時(shí)有限的容量增長(zhǎng)帶來更高的成本負(fù)擔(dān)，隨著2D到3D NAND的逐漸過渡，未來供應(yīng)將實(shí)現(xiàn)較緩的增長(zhǎng)，而價(jià)格將持續(xù)走強(qiáng)。
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SK海力士Q2季報(bào)發(fā)布：存儲(chǔ)器持續(xù)助攻　業(yè)績(jī)?cè)賱?chuàng)歷史新高

　　SK海力士(SK Hynix)第2季業(yè)績(jī)?cè)賱?chuàng)新高，營(yíng)收、營(yíng)業(yè)利益、凈利紛紛刷新歷史紀(jì)錄，達(dá)成業(yè)績(jī)?nèi)谕?。短期?nèi)DRAM市場(chǎng)需求將持續(xù)成長(zhǎng)，NAND Flash事業(yè)發(fā)展性樂觀，第3、4季有希望持續(xù)刷新紀(jì)錄，挑戰(zhàn)全年?duì)I業(yè)利益突破10兆韓元(約89億美元)。　　據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，SK海力士公布2017年第2季財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，營(yíng)收為6.69兆韓元，營(yíng)業(yè)利益為3.05兆韓元，凈利為2.47兆韓元，紛紛成為歷史新高紀(jì)錄。其中，營(yíng)收較2016年同期增加70.0%，營(yíng)業(yè)利益更是2016年同期的6.8倍。　　SK海力士第
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Gartner預(yù)測(cè)2017年全球半導(dǎo)體收入將達(dá)到4千億美元

　　根據(jù)全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的最新預(yù)測(cè)，2017年全球半導(dǎo)體總體收入將首度突破4,000億美元大關(guān)，達(dá)到4014億美元，較2016年增加16.8%。2010年全球半導(dǎo)體收入曾創(chuàng)下3000億美元的紀(jì)錄，更早之前則是在2000年超過了2000億美元。　　Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“存儲(chǔ)器的短缺正在帶動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)的整體繁榮。由于存儲(chǔ)器廠商抬高DRAM和NAND的價(jià)格，其收入和利潤(rùn)亦隨之增長(zhǎng)?！薄　artner預(yù)計(jì)2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)的收入漲幅
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下半年存儲(chǔ)器漲勢(shì)迎拐點(diǎn)：2017全年價(jià)格漲幅仍十分可觀

　　市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示，2017年DRAM和NAND型閃存銷售額都將創(chuàng)出歷史新高，而DRAM和NAND閃存創(chuàng)新高的原因都是由于價(jià)格瘋漲。該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，2017年DRAM出貨量同比下降，而NAND閃存也僅增長(zhǎng)2%，閃存出貨量增長(zhǎng)對(duì)存儲(chǔ)器銷售額創(chuàng)新高雖然是正面作用，但并非主要原因。　　存儲(chǔ)器價(jià)格上漲始于2016年第二季度，到2017年上半年為止，每季度價(jià)格都持續(xù)向上走。如圖所示，從2016年第三季度，到2017年第二季度，DRAM價(jià)格季度平均增長(zhǎng)率為16.8%，NAND閃存價(jià)格季度平均增
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紫光國(guó)芯終止重組：一次國(guó)家扶持與商業(yè)考量的磨合

　　7月16日晚間，紫光國(guó)芯公告稱終止對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)股權(quán)收購計(jì)劃。這是紫光國(guó)芯繼2015年800億定增失利、收購臺(tái)灣力成與南茂部分股權(quán)計(jì)劃接連折戟后，首次轉(zhuǎn)向內(nèi)部整合后的又一次失利。　　但據(jù)券商分析師分析，主要在于長(zhǎng)江存儲(chǔ)短期內(nèi)無法產(chǎn)生收益。對(duì)于投資周期長(zhǎng)的存儲(chǔ)器生產(chǎn)項(xiàng)目，即便是國(guó)家大力扶持存儲(chǔ)器的背景下，收購者也不能放棄對(duì)投資回報(bào)的考量。“紫光系”內(nèi)部整合后的再次失利，背后是國(guó)家扶持和市場(chǎng)化思維的不斷磨合，暫時(shí)終止收購體現(xiàn)了紫光國(guó)芯的市場(chǎng)化經(jīng)營(yíng)路徑。　　2014年，在工信部、
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“攪局者”帶領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入“芯”未知階段

　　據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)7月13日?qǐng)?bào)道，世界的半導(dǎo)體市場(chǎng)此前一直以美韓日廠商唱主角，現(xiàn)在中國(guó)企業(yè)正試圖參與進(jìn)來，而中國(guó)企業(yè)的巨額投資很有可能成為半導(dǎo)體市場(chǎng)混亂的風(fēng)險(xiǎn)因素。　　在全球股市上，半導(dǎo)體相關(guān)股正在成為熱點(diǎn)。美國(guó)費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)(SOX)在1100點(diǎn)左右，這是2000年IT泡沫以來的高水平。但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在步入一個(gè)未知的階段，其中一個(gè)要素就是中國(guó)。　　矛頭指向中國(guó)有失公允　　眾所周知，無論日經(jīng)中文，或是西方的有些論點(diǎn)把矛頭指向中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)是不公平的。任何國(guó)家都有權(quán)決定自身的發(fā)展策略，而中國(guó)要發(fā)展半
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東芝存儲(chǔ)器的真正的出售期限？

　　6月21日，東芝(Toshiba)趕在股東大會(huì)前，宣布將優(yōu)先與日美韓聯(lián)盟，針對(duì)東芝存儲(chǔ)器公司出售案進(jìn)行交涉。東芝所選擇的日美韓聯(lián)盟，以產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)(INCJ)、貝恩資本(Bain Capital)、政策投資銀行(DBJ)為主軸，加上韓國(guó)業(yè)者SK海力士(SK Hynix)、甚至傳出部分日企共同參與其中。　　然而，外傳日美韓聯(lián)盟出價(jià)雖超過2兆日?qǐng)A(約177億美元)，卻不是最高出價(jià)者。只不過，日本官方始終無法放下對(duì)鴻海集團(tuán)的忌憚之心，致使東芝以“綜合評(píng)價(jià)”的方式，優(yōu)先選擇日美韓聯(lián)
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2017年全球半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)4000億美元, 歷史新高

　　國(guó)際研究暨顧問機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)測(cè)，2017年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收將達(dá)到4014億美元，較2016年增加16.8%。這將是全球半導(dǎo)體營(yíng)收首度突破4000億美元大關(guān);2010年時(shí)創(chuàng)下3000億美元紀(jì)錄，更早之前則是在2000年時(shí)超越了2000億美元。　　Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“存儲(chǔ)器缺貨帶動(dòng)整體半導(dǎo)體市場(chǎng)的榮景。由于存儲(chǔ)器廠商抬高DRAM和NAND的價(jià)格，其營(yíng)收和獲利隨之成長(zhǎng)。” 　　Gartner預(yù)估2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)的營(yíng)收提升幅度高達(dá)
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]