臺積 文章 進入臺積技術(shù)社區(qū)
臺積電試產(chǎn)2nm制程工藝,三星還追的上嗎?

- 據(jù)外媒報道,臺積電的2nm制程工藝將開始在新竹科學(xué)園區(qū)的寶山晶圓廠風(fēng)險試產(chǎn),生產(chǎn)設(shè)備已進駐廠區(qū)并安裝完畢,相較市場普遍預(yù)期的四季度提前了一個季度。芯片制程工藝的風(fēng)險試產(chǎn)是為了確保穩(wěn)定的良品率,進而實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),風(fēng)險試產(chǎn)之后也還需要一段時間才會量產(chǎn)。在近幾個季度的財報分析師電話會議上,臺積電CEO魏哲家是多次提到在按計劃推進2nm制程工藝在2025年大規(guī)模量產(chǎn)。值得一提的是,臺積電在早在去年12月就首次向蘋果展示了其2nm芯片工藝技術(shù),預(yù)計蘋果將包下首批的2nm全部產(chǎn)能。臺積電2nm步入GAA時代作為3n
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英偉達、臺積、三星互搶 半導(dǎo)體挖角戰(zhàn)
- 眼看人工智能(AI)市場需求快速擴大,全球半導(dǎo)體業(yè)爭奪人才的競爭日益白熱化。韓媒披露,根據(jù)LinkedIn截至6月18日的數(shù)據(jù),AI芯片龍頭英偉達有515名員工是從三星電子挖角,而三星也還以顏色,不但從英偉達挖來278人,還從臺積電挖走195人。但目前挾著AI芯片霸主光環(huán)的英偉達,還是最大贏家。 韓國朝鮮日報20日根據(jù)專業(yè)社交網(wǎng)站領(lǐng)英(LinkedIn)截至今年6月18日為止資料統(tǒng)計,英偉達近日新進員工有89人是從臺積電跳槽,反觀臺積電僅12名新進人員是從英偉達跳槽。英偉達也有515名新進員工是從三星電子
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新思科技攜手臺積公司簡化多裸晶系統(tǒng)復(fù)雜性,推出面向臺積公司N3E工藝的“從架構(gòu)探索到簽核” 統(tǒng)一設(shè)計平臺和經(jīng)驗證的UCIe IP
- 摘要:●? ?新思科技3DIC Compiler集成了3Dblox 2.0標準,可用于異構(gòu)集成和完整的“從架構(gòu)探索到簽核”完整解決方案。●? ?新思科技 UCIe PHY IP在臺積公司N3E工藝上實現(xiàn)了首次通過硅片的成功(first-pass silicon success),可提供低延遲、低功耗和高帶寬的芯片間連接?!? ?UCIe PHY IP與3DIC Compiler的結(jié)合將有效優(yōu)化多裸晶系統(tǒng)設(shè)計,能夠以更低的集成風(fēng)險實現(xiàn)更高的結(jié)果質(zhì)量
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新思科技面向臺積公司N5A工藝技術(shù)推出業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的廣泛車規(guī)級IP組合
- 摘要:●? ?面向臺積公司N5A工藝的新思科技IP產(chǎn)品在汽車溫度等級2級下符合 AEC-Q100 認證,確保了系統(tǒng)級芯片(SoC)的長期運行可靠性。●? ?新思科技IP產(chǎn)品在隨機硬件故障評估下符合 ISO 26262 ASIL B 級和 D 級標準,有助于客戶達成其汽車安全完整性(ASIL)目標。●? ?新思科技的基礎(chǔ)IP、LPDDR5X/5/4X、PCIe 4.0/5.0、以太網(wǎng)、MIPI C-PHY/D-PHY 和 M-PHY ,以及 USB
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Arasan宣布其臺積公司22nm工藝的完整eMMC IP解決方案
- 領(lǐng)先的移動和汽車SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布,用于臺積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社/ -- Arasan Chip Systems為臺積公司(TSMC)行業(yè)領(lǐng)先的22nm工藝技術(shù)擴展其IP產(chǎn)品,用于臺積公司22nm工藝SoC設(shè)計的eMMC PHY IP立即可用。臺積公司22nm工藝中的eMMC PHY IP可與Arasan的eMMC 5.1主機控制器IP和軟件無縫集成,從
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臺積鴻海合吃東芝? 業(yè)界:可能性低
- 《自由時報》報導(dǎo),臺積電攜手鴻海組成聯(lián)盟,共同參與東芝半導(dǎo)體股權(quán)招標,希望能在3月29日之前遞件,參與第一輪競標,要連日抗韓,一舉挑戰(zhàn)三星在NAND Flash記憶體的龍頭地位,鴻海與臺積電昨表示,不評論媒體傳言。產(chǎn)業(yè)界則認為兩家公司結(jié)盟可能性低。 東芝半導(dǎo)體股權(quán)出售案吸引各界人馬相爭表態(tài)競逐,日前鴻海集團董事長郭臺銘首度證實,對爭取東芝半導(dǎo)體股權(quán)出售案,有信心、有誠意,認為鴻海集團的發(fā)展需要儲存技術(shù)相互結(jié)合。 鴻海與臺積不評論 臺積電董事長張忠謀日前出席公開活動,面對這個問題也未否
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臺積7nm將獨霸全球,5nm已投入四百人

- 半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者透露,三星導(dǎo)入7奈米制程進度不如預(yù)期,恐無法如原先規(guī)劃在明年量產(chǎn),反觀臺積電7奈米將于明年第1季進行風(fēng)險性試產(chǎn),良率在既定進度內(nèi)前進,預(yù)定明年第4季投片,2018年起貢獻營收。 以制程進度分析,臺積電可望在2017年和2018年,相繼靠著10奈米及7奈米,稱霸全球半導(dǎo)體市場,并拉開和三星及英特爾二大強敵差距。 臺積電內(nèi)部將7奈米視為與英特爾和三星最重要的戰(zhàn)役,尤其英特爾已和安謀(ARM)簽署授權(quán)協(xié)議,將采用安謀的架構(gòu),在10奈米制程提供代工服務(wù),與臺積電正面交鋒,更讓臺積電不
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臺積牽手ARM 挑戰(zhàn)英特爾數(shù)據(jù)芯片霸業(yè)
- 晶圓龍頭臺積電(2330)攜手安謀(ARM)PK英特爾資料中心晶片(Data center Chip)霸主地位。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo),兩家半導(dǎo)體巨擘合作開發(fā)伺服器晶片技術(shù),欲瓜分英特爾在資料中心高達99%獨占市占率。 臺積電與ARM合作并非首次,早在行動裝置處理器時代,臺積電便與ARM合作成為市場技術(shù)主流,讓后進者英特爾切入智慧型手機處理器不得其門而入,繳了百億學(xué)費,于今年首季鋃鐺宣布退出手機處理器市場,此次換成臺積電與ARM聯(lián)軍挑戰(zhàn)英特爾,兩方戰(zhàn)火從行動處理器延伸到資料中心。 目前全球資料中心
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臺積A9訂單遭三星奪回?格羅方德宣布擴充14納米產(chǎn)能
- 彭博社才剛在上周五(4月3日)爆料三星電子(Samsung Electronics Co.)從臺積電之處重新奪回蘋果 ( Apple Inc. )「A9」處理器訂單,三星伙伴格羅方德半導(dǎo)體 ( GlobalFoundries Inc.)就傳出要開始擴產(chǎn)14 納米制程芯片。 科技網(wǎng)站W(wǎng)CCFtech、Fudzilla 6日報導(dǎo),阿布達比官方投資機構(gòu)Mubadala Development Co. 2日在2014年財報新聞稿中透露,格羅方德與三星為14納米制程技術(shù)展開策略性合作,而紐約州Malta廠
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三星14nm良率不佳,臺積吞蘋果A9訂單大增

- 供應(yīng)鏈傳出,臺積電取得蘋果A9處理器代工訂單大增,為此臺積電近期加速設(shè)備采購進度,擬大幅擴增為蘋果代工的16奈米FinFET(鰭式場效電晶體)制程產(chǎn)能,目前規(guī)劃每月5萬片,明年大增至9.7萬片,增幅將近一倍。 臺積電昨(22)日不對單一客戶與訂單置評,強調(diào)內(nèi)部對16奈米效能信心十足。臺積電供應(yīng)鏈分析,以臺積電16奈米為蘋果準備的產(chǎn)能擴增進度,幾乎已可確定臺積電不僅拿到A9訂單比重大增,甚至可能獨拿更新一代的A10處理器大單。 據(jù)悉,臺積電規(guī)劃以16奈米FinFE
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合并璨圓收購臺積固態(tài)照明 晶電2015年營收盼增
- LED外延/芯片大廠晶電2014年第四季因淡季影響、營收續(xù)降,但去年營收估仍年增逾20%、EPS估近2元新臺幣(下同)。隨著與璨圓合并完成,加上最快3月份還會完成收購臺積固態(tài)照明94%股權(quán),預(yù)估2015年營收可望至少年增20%以上。但考量合并初期相關(guān)調(diào)整費用及合并效益顯現(xiàn)需時間醞釀,獲利方面待觀察。 晶電為臺灣LED外延/芯片龍頭供應(yīng)商,亦為全球LED芯片大廠。目前產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域遍及面板背光源、照明、LED看板,以及汽車照明等其他利基型應(yīng)用市場。 通過多起合并及策略聯(lián)盟,晶電近幾年來營運規(guī)模
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臺媒解讀:晶電、臺積合并是政治聯(lián)姻?
- 2015年1月晶電以新臺幣8.25億元合并臺積固態(tài)照明,將使其產(chǎn)業(yè)地位往前推升一步,在此之前曾與臺積固態(tài)照明談?wù)摵喜⒂行衩鞴怆?、榮創(chuàng)等,最后與素有「LED業(yè)界臺積電」的晶電結(jié)盟,DIGITIMES Research認為與晶電欲充實LED硅基板等技術(shù),以提升其未來在國際市場競爭力及防御力。 臺積固態(tài)照明機臺數(shù)僅5臺,對晶電產(chǎn)能增加幅度有限,然因前者設(shè)備尚包括中段封裝部分,且技術(shù)涵蓋上游的硅基板LED磊晶制程,及中游的 PoD(Phosphor on Die)、EMC(Epoxy Molding C
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