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揚(yáng)聲器單元品質(zhì)特性詳細(xì)介紹

總線實(shí)現(xiàn)片內(nèi)硬件調(diào)試支持單元設(shè)計(jì)

  • 總線實(shí)現(xiàn)片內(nèi)硬件調(diào)試支持單元設(shè)計(jì),片上系統(tǒng)的出現(xiàn)使得芯片可以實(shí)現(xiàn)更加復(fù)雜的功能，獲取更高的性能，但同時(shí)其內(nèi)部信號(hào)也變得越來越難以觀察和控制，相應(yīng)的測(cè)試和調(diào)試工作也遇到了難以克服的時(shí)間復(fù)雜性困難。國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖( Internat io nal Te
  • 關(guān)鍵字： 單元  設(shè)計(jì)  支持  調(diào)試  實(shí)現(xiàn)  硬件  總線  

Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測(cè)研究

  • Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測(cè)研究,引言
    目前，對(duì)于存儲(chǔ)單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成，而且這些方法都是運(yùn)用在生產(chǎn)過程中，但是生產(chǎn)過程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障。在其使用過程中，如果SRAM硬件出錯(cuò)，將導(dǎo)致程序出錯(cuò)而且很難被發(fā)現(xiàn)
  • 關(guān)鍵字： 軟件  檢測(cè)  研究  故障  單元  M3  SRAM  Cortex  

基于Proteus的核信號(hào)輸入LCD處理顯示單元

  • 摘要：Proteus可實(shí)現(xiàn)單片機(jī)仿真，并提供軟件調(diào)試功能，支持第三方的軟件編譯和調(diào)試環(huán)境，如Keil C51 uVision2。本設(shè)計(jì)是以89C51單片機(jī)為控制單位，建立點(diǎn)陣型LCD12864的坐標(biāo)并點(diǎn)亮矩陣點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)核信號(hào)在點(diǎn)陣型LCD1286
  • 關(guān)鍵字： 處理  顯示  單元  LCD  輸入  Proteus  信號(hào)  基于  

相變存儲(chǔ)器(PCM)單元中儲(chǔ)存多個(gè)位元的方法

  • 相變存儲(chǔ)器(PCM)單元中儲(chǔ)存多個(gè)位元的方法,BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們?nèi)涨氨硎?，已?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲(chǔ)器(PCM)單元中儲(chǔ)存多個(gè)位元的方法。該小組采用90nm工藝技術(shù)，在200k單元陣列中實(shí)現(xiàn)了每存儲(chǔ)單元為四層(2位元)，并表示已開發(fā)出一種編碼方法，能克
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具有硬件矢量浮點(diǎn)運(yùn)算單元的MCU在醫(yī)療電子中的應(yīng)用

  • 具有硬件矢量浮點(diǎn)運(yùn)算單元的MCU在醫(yī)療電子中的應(yīng)用,本文給出了量化的科學(xué)測(cè)試方法以幫助嵌入式工程師考慮如何選擇適合于特定應(yīng)用的控制器來構(gòu)建系統(tǒng)。即使所測(cè)試的嵌入式系統(tǒng)差異很大，確鑿的數(shù)據(jù)仍可以幫助系統(tǒng)評(píng)估者比較相同的性能特征。
  • 關(guān)鍵字： MCU  醫(yī)療  電子  應(yīng)用  單元  運(yùn)算  硬件  矢量  浮點(diǎn)  具有  

高性能32位移位寄存器單元的設(shè)計(jì)

  • 高性能32位移位寄存器單元的設(shè)計(jì),1 引言　　本文給出了一種可用于32位以上CPU執(zhí)行單元的移位寄存器電路，并針對(duì)CISC指令集INTEL X86進(jìn)行了優(yōu)化(由于RISC指令集中移位類指令實(shí)現(xiàn)比較簡(jiǎn)單，故沒有在文中討論);采用指令預(yù)處理的技術(shù)和通過冗余位，能很方
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  單元  寄存器  移位  高性能  

基于ARM的十回路智能配電監(jiān)控單元設(shè)計(jì)

  • 基于ARM的十回路智能配電監(jiān)控單元設(shè)計(jì),本文以內(nèi)含ARM7TDMI—STM CPU的微控制器LPC2132芯片作為系統(tǒng)主控制器，針對(duì)電力系統(tǒng)數(shù)據(jù)信號(hào)的采集和數(shù)據(jù)通信，以及電力系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)測(cè)為研究主題，研究設(shè)計(jì)出了一種具備智能配電，并可同時(shí)監(jiān)控十個(gè)用戶回路的終端
  • 關(guān)鍵字： 監(jiān)控  單元  設(shè)計(jì)  配電  智能  ARM  回路  基于  

WiFi技術(shù)在光網(wǎng)絡(luò)單元中的應(yīng)用

  • Wi—Fi(Wireless Fidelity)技術(shù)是基于IEEE 802.11協(xié)議的。無線接入和高速傳輸是Wi—Fi的主要技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。其中IEEE 802.11b最高速度為11 Mbps，IEEE 802.11a與IEEE 802.11g的最高速度為54 Mbps。因此Wimdash
  • 關(guān)鍵字： 應(yīng)用  單元  網(wǎng)絡(luò)  技術(shù)  WiFi  

Wi―Fi技術(shù)在光網(wǎng)絡(luò)單元中應(yīng)用方案設(shè)計(jì)

  • 摘要：提出一種將Wi—Fi技術(shù)與EPON技術(shù)融合的接入網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用方案，使得EPON系統(tǒng)在原有的有線接入的基礎(chǔ)上增加了無線接入的服務(wù)。在此基礎(chǔ)上，簡(jiǎn)要描述了EPON和Wi—Fi各自的技術(shù)特點(diǎn)，并著重描述了本方案中各
  • 關(guān)鍵字： 應(yīng)用  方案設(shè)計(jì)  單元  網(wǎng)絡(luò)  Fi  技術(shù)  Wi  

航管二次雷達(dá)射頻切換單元FPGA實(shí)現(xiàn)

  • 為適應(yīng)中國民航對(duì)單脈沖二次雷達(dá)的雙機(jī)熱備份功能要求，采用現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)，并使用硬件描述語言對(duì)可擦除可編程邏輯器件(EPLD)進(jìn)行編程控制，以實(shí)現(xiàn)單脈沖二次雷達(dá)切換單元的主要功能：響應(yīng)監(jiān)控系統(tǒng)的切換命令，當(dāng)設(shè)備故障時(shí)自動(dòng)或者手動(dòng)地切換到非故障機(jī)柜，使雷達(dá)連續(xù)地輸出航跡數(shù)據(jù)。現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列的運(yùn)用增強(qiáng)了射頻切換單元控制的靈活性與可靠性，大大提高系統(tǒng)的檢測(cè)性能與處理性能。
  • 關(guān)鍵字： FPGA  實(shí)現(xiàn)  單元  切換  雷達(dá)  射頻  航管  

雙行雙穩(wěn)態(tài)LED顯示單元的設(shè)計(jì)與研究

  • 摘要：為彌補(bǔ)傳統(tǒng)掃描驅(qū)動(dòng)方式所引起的主現(xiàn)視覺亮度下降的缺陷，幾乎所有高端室外LED顯示屏均采用了靜態(tài)鎖存的驅(qū)動(dòng)方法，但這又使驅(qū)動(dòng)電路的規(guī)模大大增加。為了解決此問題，文章從“塔爾博特-普拉竇定律”
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  研究  單元  顯示  穩(wěn)態(tài)  LED  雙行  

標(biāo)準(zhǔn)單元ASIC和FPGA的權(quán)衡及結(jié)構(gòu)化ASIC

  • 標(biāo)準(zhǔn)單元ASIC和FPGA的權(quán)衡及結(jié)構(gòu)化ASIC,多種制造FPGA的深亞微米工藝，如Xilinx公司最新Spartan-3系列產(chǎn)品采用的90納米工藝（參考文獻(xiàn)1），使每塊芯片上的門電路數(shù)量變得越來越大。如果您的設(shè)計(jì)使用FPGA的嵌入式存儲(chǔ)器陣列和擴(kuò)散式模擬及數(shù)字功能模塊，如DL
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汽車電子控制單元測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 　SAE預(yù)測(cè)，到2010年，汽車中的電子設(shè)備平均將占到總價(jià)格的 40%!以美元為單位，2008年獨(dú)立半導(dǎo)體器件的銷售額約為200億(源自Databeans公司的市場(chǎng)調(diào)查)。這一數(shù)字因?yàn)楸娝苤脑蛟?009年將有所下降，但這是暫時(shí)性
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  測(cè)試系統(tǒng)  單元  控制  汽車電子  

基于高壓變頻器單元熱仿真計(jì)算

  • 　1 引言

    　　大型電力電子設(shè)備，如大功率高壓變頻器往往要求有極高的可靠性，影響電力電子設(shè)備失效的主要形式是熱失效，據(jù)統(tǒng)計(jì)，50%以上的電子熱失效主要是由于溫度超過額定值引起的。隨著溫度的增加，失效率也
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單元介紹

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