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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體景氣仍有疑慮 臺(tái)積電目標(biāo)價(jià)降至66元

  •   隨著營(yíng)收又將步入密集公布期,花旗環(huán)球證券亞太區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首席分析師陸行之在最新報(bào)告中,預(yù)估臺(tái)積電(2330-TW下單)第4季營(yíng)收將落在930-940億元區(qū)間,達(dá)到先前法說(shuō)會(huì)上開(kāi)出的高標(biāo),不過(guò),目前半導(dǎo)體景氣仍有疑慮,長(zhǎng)線成長(zhǎng)力道可能減弱,重申「持有」評(píng)等,目標(biāo)價(jià)由71元調(diào)降66元。   臺(tái)積電即將在下周公布去年第4季營(yíng)收,陸行之認(rèn)為,臺(tái)積電有機(jī)會(huì)達(dá)到先前法說(shuō)會(huì)上開(kāi)出的高標(biāo),落在930-940億元之間,營(yíng)業(yè)利益率也同樣有機(jī)會(huì)達(dá)成高標(biāo),來(lái)到38-39%,預(yù)期每股盈余將賺進(jìn)1.37元,遠(yuǎn)比市場(chǎng)預(yù)期的還要好
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電子元器件08年將逐步好轉(zhuǎn) 半導(dǎo)體業(yè)復(fù)蘇

  •   電子元器件行業(yè)的硅周期大約為4-5年的周期,在2004年是電子元器件行業(yè)景氣高點(diǎn),從2005年開(kāi)始景氣開(kāi)始下滑,從2007年運(yùn)行的情況看,行業(yè)依舊處于景氣低點(diǎn),雖然我國(guó)電子元器件行業(yè)增長(zhǎng)速度高于信息產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的平均速度,但是增長(zhǎng)速度仍然不高,而全球范圍內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)從三季度開(kāi)始有逐步轉(zhuǎn)好跡象,預(yù)計(jì)半導(dǎo)體行業(yè)在2008年將出現(xiàn)明顯的復(fù)蘇,相關(guān)上市公司值得關(guān)注。   從上市公司業(yè)績(jī)看,電子元器件行業(yè)上市公司業(yè)扭虧為盈,業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)較快,如果扣除新會(huì)計(jì)準(zhǔn)則帶來(lái)的投資收益增長(zhǎng),其整體業(yè)績(jī)?nèi)匀惶幱诘凸?,平均每股收益?/li>
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半導(dǎo)體高管各執(zhí)己見(jiàn),2008年產(chǎn)業(yè)前景難卜

  •   據(jù)KPMGLLP進(jìn)行的一項(xiàng)調(diào)查,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高管們預(yù)測(cè)明年銷(xiāo)售額溫和增長(zhǎng),增幅低于歷史平均水平。在這次調(diào)查中,99%的高管預(yù)計(jì)下一會(huì)計(jì)年度銷(xiāo)售額增長(zhǎng),約有一半(52%)的高管估計(jì)增長(zhǎng)率會(huì)高于10%。與上年相比,這樣的增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)似乎比較溫和。據(jù)KPMGLLP,去年有60%的受訪者認(rèn)為增長(zhǎng)率會(huì)高于10%。   KPMG發(fā)現(xiàn),只有57%的受訪者預(yù)期明年資本支出增加,大大低于2006年的增長(zhǎng)72%。KPMG訪問(wèn)的高管們指出,中國(guó)、美國(guó)和歐洲將是增長(zhǎng)最快的三大地區(qū)市場(chǎng)。未來(lái)三年,消費(fèi)產(chǎn)品、手機(jī)和計(jì)算機(jī)等應(yīng)用市
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守望綠色

  •   編者按:節(jié)能就是金錢(qián),對(duì)于絕大多數(shù)消費(fèi)品來(lái)說(shuō)節(jié)能已經(jīng)成為重要的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力之一。實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品的節(jié)能降耗有多種手段,提高制程工藝是一種方法,但這種方法需要緊緊依靠技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)并且將提升產(chǎn)品的成本,因此一個(gè)切實(shí)可行的重要手段就是提升電源管理的水平。   另一個(gè)與綠色有關(guān)的話題是電子污染。電子垃圾已經(jīng)成為威脅人類(lèi)生存的重要敵人。近年來(lái),人們已經(jīng)開(kāi)始從源頭對(duì)電子污染加以嚴(yán)格控制,歐盟的RoHS和中國(guó)更為嚴(yán)格的電子產(chǎn)品安全管理?xiàng)l例,都盡可能阻止重金屬離子對(duì)環(huán)境的進(jìn)一步污染,據(jù)悉,歐盟已經(jīng)計(jì)劃在2008年推行更
  • 關(guān)鍵字: 0712_A  雜志_專(zhuān)題  美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體  凌力爾特  安森美  半導(dǎo)體材料  

2008中日韓前瞻計(jì)劃項(xiàng)目磁性材料是重點(diǎn)

  •   日前,國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)在其官方網(wǎng)站發(fā)布了《關(guān)于征集2008年中日韓A3前瞻計(jì)劃項(xiàng)目的通知》,全文如下:   根據(jù)2004年12月在上海舉行的第二屆亞洲研究理事會(huì)主席會(huì)議所達(dá)成的共識(shí),國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)(NSFC)、日本學(xué)術(shù)振興會(huì)(JSPS)和韓國(guó)科學(xué)與工程基金會(huì)(KOSEF)共同設(shè)立了A3前瞻計(jì)劃項(xiàng)目(Asia3ForesightProgram),聯(lián)合資助中、日、韓三國(guó)科學(xué)家在選定的戰(zhàn)略領(lǐng)域共同開(kāi)展世界一流水平的合作研究,目的是使亞洲在該領(lǐng)域成為世界有影響的研究中心之一。另外通過(guò)這個(gè)計(jì)劃的
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華飛微電子:國(guó)產(chǎn)高檔光刻膠的先行者

  •   光刻膠是集成電路中實(shí)現(xiàn)芯片圖形轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵基礎(chǔ)化學(xué)材料,在光刻膠的高端領(lǐng)域,技術(shù)一直為美國(guó)、日本廠商等所壟斷;近年來(lái),本土光刻膠供應(yīng)商開(kāi)始涉足高檔光刻膠的研發(fā)與生產(chǎn),蘇州華飛微電子材料有限公司就是其中一家。   據(jù)華飛微電子總工程師兼代總經(jīng)理冉瑞成介紹,目前華飛主要產(chǎn)品系列為248nm成膜樹(shù)脂及光刻膠,同時(shí)重點(diǎn)研發(fā)193nm成膜樹(shù)脂及光刻膠和高檔專(zhuān)用UV成膜樹(shù)脂及光刻膠。   冉瑞成表示,248nm深紫外(DUV)光刻膠用于8-12英寸超大規(guī)模集成電路制造的關(guān)鍵功能材料,目前的供應(yīng)商基本來(lái)自美國(guó)、日
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FSI突破硅化物形成步驟中的金屬剝離技術(shù)

  •   FSI 國(guó)際有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR™技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成后去除了未反應(yīng)的金屬薄膜。通過(guò)實(shí)現(xiàn)這一新的工藝,IC制造商可以在鈷、鎳和鎳鉑硅化物集成過(guò)程中,大幅度減少化學(xué)品的使用和降低對(duì)資金的要求。新訂購(gòu)的FSI ZETA® Spray Cleaning System噴霧式清洗系統(tǒng)中已經(jīng)采用了FSI ViPR™技術(shù),并將用于升級(jí)最近已經(jīng)在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)安裝的系統(tǒng)。   鎳鉑硅化物最早應(yīng)用于65nm邏輯器件,因?yàn)樗淖杩垢停瑥亩蓪?shí)現(xiàn)器件性能的大幅改善。但
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奧地利微電子推出微功耗10位150ksps A/D轉(zhuǎn)換器 AS1528/29

  •   奧地利微電子發(fā)布 2 款高性?xún)r(jià)比的 A/D 轉(zhuǎn)換器以擴(kuò)展其微功耗 A/D 轉(zhuǎn)換器系列,一款是10位超低功耗單通道全差分A/D 轉(zhuǎn)換器AS1528,另一款是雙通道單端超低功耗 A/D 轉(zhuǎn)換器 AS1529。AS1528/29 系列對(duì)于有苛刻空間要求的小型電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備和便攜式數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),如遙感器或筆式數(shù)字化儀而言,是理想的解決方案。這些器件采用小型 3x3mm TDFN 8 引腳封裝,可在高達(dá) 150 ksps 的采樣速度下以超低功耗運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)卓越的動(dòng)態(tài)性能。   與同系列的 12 位AS1524/2
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iSuppli調(diào)低08年半導(dǎo)體預(yù)期

  •   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli以全球經(jīng)濟(jì)不景氣為由,調(diào)低了2008年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售收入預(yù)期,不過(guò)對(duì)于整個(gè)市場(chǎng)形勢(shì)仍持樂(lè)觀態(tài)度。   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,iSuppli的最新預(yù)期顯示,2008年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售收入將增至2914億美元,較2007年2709億美元(評(píng)估數(shù)據(jù))增長(zhǎng)7.5%,而iSuppli今年9月份預(yù)測(cè)的增幅為9.3%,預(yù)期增幅減少了1.8個(gè)百分點(diǎn)。   iSuppli表示,2008年半導(dǎo)體市場(chǎng)將受到了能源成本上升的不利影響,美國(guó)經(jīng)濟(jì)2008年的預(yù)期并不樂(lè)觀,而美國(guó)經(jīng)濟(jì)的影響力自然會(huì)波及全球
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中國(guó)將出臺(tái)政策法規(guī)鼓勵(lì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

  •   國(guó)家近期將逐步完善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策,出臺(tái)一系列政策法規(guī),將產(chǎn)業(yè)發(fā)展逐步納入法制化軌道。   據(jù)電子信息產(chǎn)業(yè)部電子信息管理司丁文武副司長(zhǎng)介紹,目前,國(guó)家有關(guān)部門(mén)正在制定進(jìn)一步鼓勵(lì)I(lǐng)C制造業(yè)發(fā)展的政策,新政策有望在今年底之前出臺(tái)。此外,國(guó)家有關(guān)部門(mén)還制定了軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展條例,將軟件與集成電路發(fā)展納入法制軌道,此條例已經(jīng)納入今年國(guó)務(wù)院的立法規(guī)劃。   據(jù)了解,國(guó)家“十一五”規(guī)劃和相關(guān)的科技規(guī)劃都把發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為重點(diǎn),國(guó)家“十一五”科技規(guī)劃確定的16個(gè)重大專(zhuān)項(xiàng)課題中,有2個(gè)與集成電路有關(guān)?!笆?/li>
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展望未來(lái)10年 預(yù)言半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)四大趨勢(shì)

  •   1947年12月23日第一塊晶體管在貝爾實(shí)驗(yàn)室誕生,從此人類(lèi)步入了飛速發(fā)展的電子時(shí)代。在晶體管技術(shù)日新月異的60年里,有太多的技術(shù)發(fā)明與突破,也有太多為之作出重要貢獻(xiàn)的偉人們,更有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分分合合、聚聚散散的恩怨情仇,曾經(jīng)呼風(fēng)喚雨的公司不再是永遠(yuǎn)的霸主。本文筆者大膽預(yù)言半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)四大趨勢(shì)。   第一大趨勢(shì):30年河“西”,30年河“東”。   回望晶體管誕生這60年,我們可以明顯看到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)明顯向東方遷移的趨勢(shì),特別是從80年代末開(kāi)始。1987年臺(tái)積電這個(gè)純晶圓代工廠的成立,宣告著半導(dǎo)體制造業(yè)
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傳輸型耦合介質(zhì)振蕩器的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)

  •   1 引 言   隨著微波半導(dǎo)體技術(shù)和微波集成電路的發(fā)展,微波設(shè)備和系統(tǒng)也趨向于小型化、輕量化、固態(tài)化和集成化。微波系統(tǒng)中的微波源也對(duì)其諧振器的小型化、高Q值提出了迫切的要求。微波介質(zhì)諧振器振蕩器(DRO)由于使用高Q值(5 000~10 000)的微波介質(zhì)諧振器作為穩(wěn)頻元件,故具有頻率穩(wěn)定度高、體積小、重量輕、價(jià)格低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等突出優(yōu)點(diǎn),已廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代衛(wèi)星通信和其他微波系統(tǒng)中,成為新一代的微波固態(tài)源。   根據(jù)DR對(duì)振蕩電路的不同耦合方式和所起的作用,DRO通常可采用兩種類(lèi)型的電路來(lái)實(shí)現(xiàn):  
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專(zhuān)家分析:我國(guó)電子元件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀

  •   ——電子科技大學(xué)教授、元協(xié)科技委委員楊邦朝   一、歷經(jīng)50年的發(fā)展,我國(guó)電子元件的完整產(chǎn)業(yè)體系已全面形成。電子元件產(chǎn)業(yè)得到全面、快速的發(fā)展,無(wú)論產(chǎn)品種類(lèi)、規(guī)格、產(chǎn)能和產(chǎn)量、技術(shù)水平都得到很大提高。   二、我國(guó)電子元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模,近20多年來(lái)的年增速達(dá)20%,2006年我國(guó)電子元件規(guī)模以上生產(chǎn)企業(yè)近3700家,銷(xiāo)售收入超過(guò)6000多億元。我國(guó)電子元件的生產(chǎn)已進(jìn)一步走向現(xiàn)代化和規(guī)模化,從而確立了我國(guó)電子元件世界生產(chǎn)大國(guó)的地位。主要表現(xiàn)在:我國(guó)電子元件的產(chǎn)量已占全球的近39%以上。產(chǎn)量居世界第一的產(chǎn)品
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今年全球半導(dǎo)體收入達(dá)到2703億美元

  •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner公布初步調(diào)查結(jié)果稱(chēng),今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入比2006年增長(zhǎng)了2.9%達(dá)到2703億美元。   在全球最高十家半導(dǎo)體制造商中,有二家公司實(shí)現(xiàn)了二位數(shù)增長(zhǎng),但有些廠商的收入低于去年。調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,今年英特爾的銷(xiāo)售收入從去年的304億美元增長(zhǎng)了8.2%達(dá)到329億美元,它的市場(chǎng)份額從去年的11.6%上升為12.2%在全球排名第一。   韓國(guó)三星電子位居第二,它的銷(xiāo)售收入從去年的201億美元增長(zhǎng)了3.5%為208.5億美元,市場(chǎng)份額與去年持平為7.7%;日本
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恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布大中華地區(qū)市場(chǎng)策略及發(fā)展目標(biāo)

  •   恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)發(fā)布2008年大中華地區(qū)市場(chǎng)策略及業(yè)務(wù)發(fā)展目標(biāo)。恩智浦半導(dǎo)體為大中華地區(qū)排名前三位的半導(dǎo)體廠商, 在這一市場(chǎng)的營(yíng)收呈穩(wěn)定成長(zhǎng)趨勢(shì)并將近占其全球業(yè)務(wù)的30%。展望未來(lái), 恩智浦半導(dǎo)體將繼續(xù)加大創(chuàng)新研發(fā)力度,強(qiáng)化資產(chǎn)輕量化制造戰(zhàn)略,,建立更為高效的團(tuán)隊(duì)來(lái)實(shí)現(xiàn)其于大中華地區(qū)的中期目標(biāo)。   在創(chuàng)新技術(shù)方面, 恩智浦持續(xù)領(lǐng)先業(yè)界, 與大中華地區(qū)的合作伙伴在過(guò)去一年中保持緊密的合作, 包括與三星及北京天碁科技 (T3G)聯(lián)合推出首款TD-SCDMA/HSDP
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半導(dǎo)體材料介紹

半導(dǎo)體材料(semiconductor material) 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱(chēng)為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電導(dǎo)率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對(duì)光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感,在半導(dǎo)體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類(lèi)材料的電導(dǎo)率。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì),才制造出功能多樣 [ 查看詳細(xì) ]

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