力晶 文章 進(jìn)入力晶技術(shù)社區(qū)
力晶將今年資本支出目標(biāo)定為新臺幣110億元
- 力晶半導(dǎo)體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., 5346.OT)發(fā)言人譚仲民(Eric Tang)周三表示，公司將今年的資本支出目標(biāo)定為新臺幣110億元。 譚仲民稱，其中大部分資本支出將用于把公司的晶片生產(chǎn)技術(shù)從65納米技術(shù)升級到40納米技術(shù)。 今年1月初，力晶半導(dǎo)體曾表示，將于2010年下半年開始對40納米制程進(jìn)行測試。 譚仲民稱，由于現(xiàn)金充裕，公司目前沒有融資計(jì)劃。他稱，力晶半導(dǎo)體2009年的資本支出規(guī)模“很小”。但他拒絕透露具體數(shù)據(jù)
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM
力晶將重啟在徐州地區(qū)建造8英寸內(nèi)存芯片廠的計(jì)劃
- 據(jù)臺灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，臺系內(nèi)存廠商力晶公司決定重啟其在大陸徐州建造8英寸內(nèi)存芯片廠的計(jì)劃，報(bào)道稱力晶公司計(jì)劃向這間新廠房投資2.93億美元，并 將與當(dāng)?shù)卣块T和大陸當(dāng)?shù)仄髽I(yè)合作經(jīng)營這間芯片廠。 與臺積電以及茂德公司類似，力晶公司目前已經(jīng)獲得了臺灣當(dāng)局的許可，可以在大陸地區(qū)建造8英寸0.18微米及以下級別制程的芯片廠，不過目前為止三家公司中僅有力晶仍未付諸實(shí)際行動(dòng)。
- 關(guān)鍵字： 力晶 內(nèi)存芯片
力晶半導(dǎo)體稱第四財(cái)季實(shí)現(xiàn)凈利潤
- 臺灣力晶半導(dǎo)體表示，經(jīng)過連續(xù)十個(gè)季度的虧損后，受需求反彈和芯片價(jià)格穩(wěn)步上漲的推動(dòng)，第四財(cái)政季度公司實(shí)現(xiàn)凈利潤。 力晶半導(dǎo)體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱，已有大量現(xiàn)金流入公司，這將顯著改善公司的財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。該公司并未提供截至去年12月31日財(cái)季的凈利潤數(shù)據(jù)。 力晶半導(dǎo)體稱，公司將通過增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤成果。公司預(yù)計(jì)，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達(dá)到75%。 分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個(gè)人電腦應(yīng)用的主流內(nèi)存芯片。與DDR2芯片相比，DDR3的處理速度更快，
- 關(guān)鍵字： 力晶 DDR3
力晶半導(dǎo)體稱第四財(cái)季實(shí)現(xiàn)凈利潤
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，臺灣力晶半導(dǎo)體近日表示，經(jīng)過連續(xù)十個(gè)季度的虧損后，受需求反彈和芯片價(jià)格穩(wěn)步上漲的推動(dòng)，第四財(cái)政季度公司實(shí)現(xiàn)凈利潤。 力晶半導(dǎo)體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱，已有大量現(xiàn)金流入公司，這將顯著改善公司的財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。該公司并未提供截至去年12月31日財(cái)季的凈利潤數(shù)據(jù)。 力晶半導(dǎo)體稱，公司將通過增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤成果。公司預(yù)計(jì)，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達(dá)到75%。 分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個(gè)人電腦應(yīng)用的主流內(nèi)存芯片。與DDR2芯片相比，DD
- 關(guān)鍵字： 力晶 內(nèi)存芯片 DDR3
消息稱力晶董事會批準(zhǔn)從爾必達(dá)手中購瑞晶股份
- 12月23日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，臺灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司管理人士周三表示，公司董事會批準(zhǔn)了從日本合作伙伴爾必達(dá)手中收購合資企業(yè)瑞晶電子股份有限公司股份的計(jì)劃。 這位要求匿名的管理人士向道瓊斯通訊社透露，該計(jì)劃的細(xì)節(jié)，如力晶將收購的股份數(shù)以及收購價(jià)格等，還沒有確定。 爾必達(dá)曾于10月份表示，正考慮在年底前將其在瑞晶電子的持股比例增加到70%以上。就在當(dāng)月，為了與全球最大的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)韓國三星電子展開競爭，爾必達(dá)曾將其在瑞晶電子的股權(quán)比例由52%增加至64%。 DRAM
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM
中國臺灣芯片公司改變策略應(yīng)對市場下滑危機(jī)
- 臺灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應(yīng)對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P退出核心業(yè)務(wù)。 由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴(yán)重的滑坡，南亞科技及臺灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司(簡稱：力晶)等臺灣芯片行業(yè)的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價(jià)格出現(xiàn)反彈，但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。 與此同時(shí)，韓國和日本的競爭對手憑藉更先進(jìn)、成本更低的生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)發(fā)展壯大。 為應(yīng)對上述局面，臺資公司
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 存儲器
DRAM廠資本支出競賽 三星更勝臺廠一籌
- 臺系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出，估計(jì)包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺幣700億元，且主要支出集中在臺塑集團(tuán)身上，臺DRAM廠似乎又生龍活虎起來，開始擴(kuò)大投資規(guī)模，然相較于三星電子(Samsung Electronics)2010年在存儲器領(lǐng)域資本支出至少30億美元來看，臺系4家DRAM廠合計(jì)資本支出仍遠(yuǎn)落后三星，未來三星不僅將穩(wěn)坐龍頭，且恐將再度侵蝕臺DRAM廠既有市占率。 三星是這一波DRAM產(chǎn)業(yè)海嘯大贏家，這波巨浪吹倒臺DRAM產(chǎn)業(yè)，亦讓美、日系
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 存儲器
力晶第4季DRAM產(chǎn)出大躍進(jìn) 季增率挑戰(zhàn)30~40%
- 臺系DRAM廠為抓準(zhǔn)DRAM價(jià)格復(fù)蘇的時(shí)間點(diǎn)，開始大量增加投片量，其中力晶增產(chǎn)的幅度將居冠，傳出第4季位元成長率將較第3季明顯大增 30~40%，力晶11月出貨量大幅成長，也將反映在11月營收上，出現(xiàn)大幅度成長;再者，除了DDR2芯片外，力晶也開始增加DDR3芯片產(chǎn)出，臺廠正緩慢步入DDR2和DDR3交接期。 臺廠2008年底開始進(jìn)入長達(dá)3季的減產(chǎn)，隨著DRAM價(jià)格在奇夢達(dá)(Qimonda)退出市場后，由供過于求逐漸走向供給平衡，因此緩步開始增產(chǎn)，尤其在營運(yùn)開始產(chǎn)生現(xiàn)金流入后，增產(chǎn)的速度加快，現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM
對DRAM價(jià)格樂觀 力晶停止紓困
- 力晶在DRAM價(jià)格強(qiáng)勁回文件下，將恢復(fù)財(cái)務(wù)自主能力，力晶董事會2日通過，從明年開始停止紓困，全力正?；謴?fù)營運(yùn)，可望從明年起針對銀行正常還款。力晶對第四季價(jià)格仍保持每顆2美元至2.5美元的樂觀預(yù)期，今年第四季將有機(jī)會轉(zhuǎn)虧為盈。 力晶昨日領(lǐng)先各大DRAM廠，率先公布10月營收，由于產(chǎn)能滿載，加上DRAM價(jià)格回文件，該公司10月營收達(dá)42.39億元(新臺幣，以下同)、較9月大增28%，創(chuàng)下今年以來新高，預(yù)估11月、12月營收將會維持持續(xù)成長的動(dòng)能。 力晶指出，在政府政策與銀行團(tuán)大力支持之下，透過
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 封測
臺系DRAM廠3Q虧損175億元 4Q可望飛越損平點(diǎn)
- 受惠DRAM價(jià)格谷底翻身，臺系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小，合計(jì)力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺幣175億元，累計(jì)前3季虧損731億元，其中茂德虧損最多，華亞科虧損金額最小，展望第4季，DRAM價(jià)格持續(xù)走強(qiáng)越過2.5美元后，頗有朝3美元的實(shí)力，各廠全產(chǎn)能投片后，可望力拼單月?lián)p益兩平，其中力晶旗下瑞晶第3季已轉(zhuǎn)虧為盈，力晶董事長黃崇仁也表示，若報(bào)價(jià)維持在2.5美元水平，第4季也有機(jī)會擠身獲利之林。 DRAM 產(chǎn)業(yè)在2008年此時(shí)受到供過于求嚴(yán)重失衡的影響，虧損嚴(yán)重到一度將存儲器
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 晶圓
TFC是政治正確產(chǎn)物 TIMC不能沉默是金
- 力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息，對內(nèi)存產(chǎn)業(yè)無疑是一枚深水炸彈，不論就技術(shù)自主、產(chǎn)能整合和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等條件上，TFC都是力晶精心策劃下的「政治正確」產(chǎn)物，從條件論而言，“經(jīng)濟(jì)部"很難直接拒絕TFC計(jì)劃，尤其是現(xiàn)在臺灣創(chuàng)新內(nèi)存(TIMC)的技術(shù)來源爾必達(dá)(Elpida)在日本政府資金介入后，傳出不讓臺灣地區(qū)政府投資的謠言不絕于耳，力晶在此時(shí)拿出TFC計(jì)劃，就算不能獲得政府補(bǔ)助，也達(dá)到破壞TIMC的目的，臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合大戲未來要如何演下去，在各廠底
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 內(nèi)存
力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元
- “經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計(jì)畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件，未來力晶
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 存儲器 NAND
4大DRAM廠現(xiàn)金正流入 華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線
- DRAM價(jià)格漲不停，1Gb容量DDR2價(jià)格直逼2美元，苦熬多時(shí)的臺系DRAM廠終于進(jìn)入現(xiàn)金正流入的狀態(tài)，包括華亞科、力晶和茂德營運(yùn)都終止失血，南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開始有現(xiàn)金流入，但采購自華亞科的部分，受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式，因此部分還是現(xiàn)金流出，但以整個(gè)臺塑集團(tuán)的DRAM事業(yè)來看，已進(jìn)入現(xiàn)金正流入狀態(tài)，下一步臺系DRAM業(yè)者的目標(biāo)是轉(zhuǎn)虧為盈。 4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺幣1,000億元，眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM DDR2
臺灣旺宏計(jì)劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠
- 據(jù)臺灣媒體報(bào)道，臺灣旺宏計(jì)劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導(dǎo)致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎，恐促使DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器)廠雪上加霜。 旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠，積極擴(kuò)廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。 旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計(jì)劃，已向臺灣當(dāng)局遞交文件，申請進(jìn)駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計(jì)年底前動(dòng)工，2011年初投產(chǎn)，兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片，并導(dǎo)入60納米以下最新技術(shù)。 為配合旺宏建廠計(jì)
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 內(nèi)存芯片
力晶介紹
力晶于八十三年十二月創(chuàng)立于新竹科學(xué)園區(qū)，業(yè)務(wù)范圍涵蓋動(dòng)記憶體制造及晶圓代工兩大類別。八十七年以科技類股票在臺灣正式掛牌上柜。八十八年發(fā)行全球存托憑證，成為我國第一家在盧森堡證券交易所上市的上柜公司。截至九十六年底，力晶擁有六千一百位員工，資本額達(dá)新臺幣七百八十二億元，年度營收為新臺幣七百七十五億元。
為提升國際競爭力及科技實(shí)力，力晶在設(shè)立之初即和日本三菱電機(jī)締結(jié)技術(shù)、生產(chǎn)與銷售的策略聯(lián)盟； [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473