內(nèi)存 文章 進入內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
PC內(nèi)存一年價格翻一倍多,二季度還要再漲10-20%
- 2017年JS靠著挖礦顯卡價格大漲賺錢了,只不過這一波顯卡漲價雖然很瘋狂,但是漲幅并不是最高的,內(nèi)存價格上漲的才是驚人,8GB DDR4內(nèi)存條現(xiàn)在普遍在400元以上,去年這時候價格才199元呢,當時還覺得貴呢,現(xiàn)在價格翻倍都不止了。目前內(nèi)存漲價的趨勢還沒有得到抑制,Q1季度PC內(nèi)存已經(jīng)大漲36%了,可Q2季度還會繼續(xù)上漲10-20%,因為三星、SK Hynix及美光等廠商現(xiàn)在的產(chǎn)能并沒有增加,市場供需還是不平衡。 這一年多了沒升級什么PC硬件了,雖然寫新聞的過程中也知道內(nèi)存、
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東芝內(nèi)存出售,傳延后一周決定優(yōu)先對
- 東芝出售旗下「東芝內(nèi)存」選定出售對象出現(xiàn)延遲,東芝原預(yù)定 15 日決定優(yōu)先交涉對象,但經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省主導的「日美聯(lián)合」陣營的調(diào)整出現(xiàn)延遲,東芝將推遲一周左右才做出決定。 報導引述相關(guān)人士指出,官民基金產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)、日本政策投資銀行和美國投資基金 KKR 等組成的日美聯(lián)合陣營,在籌資上遭遇困難,收購金額未達到東芝要求的超過 2 兆日圓。 因而,正檢討納入美國創(chuàng)投資金等其他投資基金方案,而協(xié)商需要時間。 報導說,亟思快速推動出售手續(xù)的東芝原本預(yù)定 15 日決定優(yōu)先交涉對象,參與二次競標的 4 個陣
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【E問E答】單片機如何執(zhí)行代碼命令,單片MCU內(nèi)存如何分配?

- 單片機執(zhí)行指令過程詳解 單片機執(zhí)行程序的過程,實際上就是執(zhí)行我們所編制程序的過程。即逐條指令的過程。計算機每執(zhí)行一條指令都可分為三個階段進行。即取指令-----分析指令-----執(zhí)行指令。 取指令的任務(wù)是:根據(jù)程序計數(shù)器PC中的值從程序存儲器讀出現(xiàn)行指令,送到指令寄存器?! 》治鲋噶铍A段的任務(wù)是:將指令寄存器中的指令操作碼取出后進行譯碼,分析其指令性質(zhì)。如指令要求操作數(shù),則尋找操作數(shù)地址。 計算機執(zhí)行程序的過程實際上就是逐條指令地重復(fù)上述操作過程,直至遇到停機指令可循環(huán)等待指令。 一般計算機進
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東芝內(nèi)存出售擬舉辦第3次競標二選一
- 正在進行經(jīng)營重建的日本東芝公司有意出售旗下半導體業(yè)務(wù)子公司「東芝內(nèi)存」,目前考慮快則下個月實施第3次競標作業(yè)。 東芝打算出售「東芝內(nèi)存」的作業(yè),19日是第2次競標作業(yè)截止日,預(yù)計篩選出2個陣營,然后快則下個月實施第3次競標作業(yè)。 一般認為,此舉目的在于抬高東芝內(nèi)存的出售價碼。 東芝于3月底實施的第1次競標作業(yè),通過競標的有臺灣的鴻海、美國投資基金KKR與日本官民基金日本產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)合作、南韓SK海力士、美國博通以及西部數(shù)據(jù)。
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東芝內(nèi)存業(yè)務(wù)競標的最終勝利者不會是出價最高者?

- 東芝(Toshiba)令人垂涎的內(nèi)存業(yè)務(wù)第二輪競價即將在幾周內(nèi)展開,但其程序的不透明,暴露了日本政治人物、官僚體系、企業(yè)領(lǐng)導人以及金融圈之間的利益分歧;許多觀察家將這種持續(xù)加深的分歧,歸咎于正折磨著日本半導體產(chǎn)業(yè)的不滿情緒。而且,該競標程序已經(jīng)成為一個高度政治化的焦點,這也是為什么日本媒體對該事件如此關(guān)注。 不過在指出東芝內(nèi)存業(yè)務(wù)競標程序的漏洞之前,我們得看清楚在這場賭局上有哪些玩家:在第一輪競標時,東芝將出價者范圍縮小為僅四家廠商──WD (Western Digital)、Broadcom、
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新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待
- 內(nèi)存是半導體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過,由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù),NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢,且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制,因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu),希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性 根據(jù)研究機構(gòu)Tech Insights估計,包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存,都已陸續(xù)進入小量生產(chǎn)階段。 不過
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2018年內(nèi)存短缺問題將持續(xù)改善

- 近三年來,我一直預(yù)測2017年會是閃存(flash)/固態(tài)硬盤(SSD)豐收的一年。然而,由于3D NAND轉(zhuǎn)型步調(diào)緩慢,加上智能手機到服務(wù)器等市場的需求旺盛,如今的flash顆粒供應(yīng)極其吃緊。不僅價格持續(xù)上漲20%或甚至更多,而像個人計算機(PC)等領(lǐng)域的內(nèi)存供應(yīng)不足更對其銷售數(shù)字帶來沖擊。 這讓IT人員得多花一點時間才能接受這一點。畢竟對于計算機儲存而言,SSD會是更快速的解決方案。但我們討論的是更巨大的因素,性能更高千倍以上,因此,你可能會想知道為什么這個市場花了這么久的時間才終于起飛。我
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內(nèi)存介紹
【內(nèi)存簡介】
在計算機的組成結(jié)構(gòu)中,有一個很重要的部分,就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件,對于計算機來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器,主存儲器又稱內(nèi)存儲器(簡稱內(nèi)存,港臺稱之為記憶體)。
內(nèi)存是電腦中的主要部件,它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等, [ 查看詳細 ]
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