- 和傳統(tǒng)的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN
的開關速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN
的寄生參數極小，開關速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉換電路、OBC（車載充電）、低功率開關電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
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202207 東芝 共源共柵 GaN
- 摘要：針對傳統(tǒng)CMOS帶隙電壓基準源電路電源電壓較高，基準電壓輸出范圍有限等問題，通過增加啟動電路，并采用共源共柵結構的PTAT電流產生電路，設計了一種高精度、低溫漂、與電源無關的具有穩(wěn)定電壓輸出特性的帶隙電
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帶隙基準電壓源 溫度系數 共源共柵 CMOS
- 隨著集成電路技術的不斷發(fā)展，高性能運算放大器廣泛應用于高速模/數轉換器（ADC）、數/模轉換器（DAC）、開關電容濾波 ...
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折疊 共源共柵 運算放大器
- 本文設計了一種采用增益增強結構的帶開關電容共模反饋的折疊式共源共柵跨導運算放大器，可用于流水線結構的A/ ...
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增益增強 共源共柵 放大器
- 摘要：基于CSMC0．5mu;m標準CMOS工藝，采用復用型折疊式共源共柵結構，設計一種折疊式共源共柵運算放大器。該電路在5V電源電壓下驅動5pF負載電容，采用Cadence公司的模擬仿真工具Spectre對電路進行仿真。結果表明，
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性能 共源共柵 放大器設計 運算
- 摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結構功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設計方案，使用CMOS工藝設計了兩級全差分放大電路，在此基礎上設計輸入輸出匹配網絡
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CMOS 共源共柵 功率放大器 方案
共源共柵介紹
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