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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 光刻

Mapper Lithography獲資助 大力開發(fā)無(wú)掩模光刻設(shè)備

  • 　　半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商Mapper Lithography BV公司日前獲得荷蘭經(jīng)濟(jì)事務(wù)部名為SenterNoven的機(jī)構(gòu)達(dá)1000萬(wàn)歐元(合1470萬(wàn)美元)的補(bǔ)貼。 　　Mapper公司將利用此筆資金開發(fā)試用版設(shè)備。公司表示目前正在設(shè)計(jì)一款無(wú)掩模光刻設(shè)備的開發(fā)。這款設(shè)備將含有超過(guò)10000道平行電子束，從而將會(huì)在晶圓上直接形成圖樣，降低普通光刻設(shè)備上由于采用掩模版而帶來(lái)的高昂成本。 　　Mapper將聯(lián)合股東各方Catena，Technolution，Multin Hittech，Demcon，Del
  • 關(guān)鍵字： Mapper  半導(dǎo)體設(shè)備  光刻  

生存在矛盾之中

  • 　　在全球金融危機(jī)影響下，由于市場(chǎng)的萎縮導(dǎo)致大部分企業(yè)都不甚景氣，向來(lái)紅火的半導(dǎo)體業(yè)也感覺(jué)壓力深重。在探討未來(lái)如何發(fā)展之中，發(fā)現(xiàn)各種矛盾叢生，似乎很難作出決斷。 　　投入多產(chǎn)出少，能持久嗎? 　　SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對(duì)于NAND閃存技術(shù)未來(lái)發(fā)展的幾點(diǎn)看法，認(rèn)為NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口，未來(lái)的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求兩者之間脫節(jié)，也即每年投資巨大, 然而由于ASP下降導(dǎo)致銷售額沒(méi)有相應(yīng)的增大，利潤(rùn)越來(lái)越薄,目前糟糕的NAND閃存產(chǎn)業(yè)模式使得制造廠商對(duì)于建新廠已逐漸
  • 關(guān)鍵字： SanDisk  NAND  光刻  模擬電路  存儲(chǔ)器  

消息稱Canon步進(jìn)光刻部門將裁員700人

  • 　　有消息稱，日本Canon計(jì)劃裁去步進(jìn)式光刻部門的700名員工。 　　這些職位多數(shù)都在日本，其中一些員工將轉(zhuǎn)至Canon其他部門，據(jù)悉700名員工約占步進(jìn)光刻部門的30%。 　　Canon是全球第三的步進(jìn)光刻設(shè)備供應(yīng)商，排在ASML和Nikon之后，市場(chǎng)份額約為11%。 　　市場(chǎng)研究公司Gartner預(yù)測(cè)，2009年步進(jìn)光刻市場(chǎng)將是艱難的一年，市場(chǎng)銷售額預(yù)計(jì)將減少54%。 　　Canon預(yù)計(jì)2012年之前，步進(jìn)光刻部門不會(huì)盈利。
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光刻儀公司延期交貨 臺(tái)積電制程研發(fā)恐受影響

  • 　　據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電的光刻儀供應(yīng)商Mapper公司已經(jīng)將300mm光刻設(shè)備交貨日延期近三個(gè)月之久。Mapper的多束e-beam光刻儀原計(jì)劃于今年第一 季度裝備臺(tái)積電300mm工廠，不過(guò)由于技術(shù)上的原因Mapper公司拖延了交貨日期，此舉可能對(duì)臺(tái)積電的制程研發(fā)進(jìn)度造成一定的影響。 　　臺(tái)積電CEO蔡力行曾稱臺(tái)積電已在與合作伙伴聯(lián)合開發(fā)22nm及更高規(guī)格制程用多束e-beam光刻技術(shù)(multiple electron-beam (e-beam) maskless lithography equip
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ASML的上半年訂單落空 預(yù)期下半年有望回復(fù)

  • 　　按全球第一大光刻設(shè)備供應(yīng)商ASML公司的預(yù)估，其Q1的銷售額將從08年Q4的4.94億歐元下降到1.84億歐元，而去年同期為9.19億歐元，下降達(dá)80%。 　　ASML預(yù)計(jì)Q2的銷售額在2.1-2.3億歐元間，因?yàn)槭芄に囍瞥痰倪M(jìn)一步縮小推動(dòng)，產(chǎn)業(yè)可能會(huì)在今年下半年開始復(fù)蘇，訂單回歸到4.0-5.0億歐元。新的工藝制程會(huì)要求購(gòu)買新的或者升級(jí)現(xiàn)有的設(shè)備。 　　如08年僅只有各領(lǐng)域的領(lǐng)先者在購(gòu)買設(shè)備，主要集中在如閃存flash的45nm、DRAM的55nm及代工的45nm客戶。預(yù)計(jì)2009年會(huì)加速工藝制
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2009年中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)成功在上海舉辦

  • 　　由SEMI、ECS及中國(guó)高科技專家組共同舉辦的中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)成功于3月19-20日在上海召開。諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主、IBM院士Georg Bednorz、Intel資深院士Robert Chau、IMEC CEO Gilbert Declerck、Praxair CTO Ray Roberge為大會(huì)作主題演講，為550名與會(huì)的國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界人士介紹國(guó)際最前沿的納米技術(shù)、微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。本次研討會(huì)的成功召開為提升中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平，將國(guó)際最先進(jìn)的技術(shù)與理念引進(jìn)中國(guó)起到了積極的推動(dòng)
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賽斯純氣體公司宣布在中國(guó)引入對(duì)光刻設(shè)備檢驗(yàn)的微污染物檢驗(yàn)服務(wù)

  • 　　賽斯純氣體有限公司作為一家氣體凈化技術(shù)設(shè)備的世界領(lǐng)導(dǎo)者和供應(yīng)商日前在2009年國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料展覽會(huì)上, 正式宣布引入微污染物檢驗(yàn)服務(wù)和CollectTorr取樣系統(tǒng), 用于對(duì)在中國(guó)的光刻和測(cè)量設(shè)備提供檢驗(yàn)。
  • 關(guān)鍵字： 賽斯  測(cè)量  光刻  

世界最大光刻設(shè)備企業(yè)阿斯麥將裁員10%

  • 　　世界最大的光刻設(shè)備制造商阿斯麥（ＡＳＭＬ）18日宣布，由于全球經(jīng)濟(jì)下滑，芯片制造設(shè)備需求銳減，該公司計(jì)劃在半年內(nèi)裁員1000人，占全球員工總數(shù)10％以上。 　　總部位于荷蘭南部城市費(fèi)爾德霍芬的阿斯麥公司當(dāng)天發(fā)布聲明說(shuō)，裁員計(jì)劃主要涉及總部和美國(guó)的部分生產(chǎn)廠，此外美國(guó)的一個(gè)培訓(xùn)中心將關(guān)閉。裁減對(duì)象將主要為臨時(shí)工。 　　阿斯麥總裁埃里克·穆里斯說(shuō)，受半導(dǎo)體產(chǎn)品需求下降、存儲(chǔ)器價(jià)格低迷和客戶資金周轉(zhuǎn)困難的三重夾擊，近一段時(shí)間國(guó)際市場(chǎng)光刻設(shè)備需求銳減，“其跌速和跌幅前所未有&rd
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IC業(yè)在拐點(diǎn)生存

  • 分析了IC業(yè)的眾多特點(diǎn)，例如從90nm向65nm、45nm、32nm、22nm等拐點(diǎn)演進(jìn)的困難，以及ESL、DFM拐點(diǎn)，制造是設(shè)計(jì)的拐點(diǎn)，F(xiàn)PGA與ASIC之間的拐點(diǎn)等熱門問(wèn)題。
  • 關(guān)鍵字： EDA  65nm  45nm  22nm  光刻  處理器  FPGA  ASIC  200808  

EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

  • 　　對(duì)于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問(wèn)題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問(wèn)題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對(duì)于EUV光線具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預(yù)處理和清洗會(huì)議上，針對(duì)EUV掩膜版清洗方面遇到的問(wèn)題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論，并在會(huì)上向與會(huì)的同仁報(bào)告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
  • 關(guān)鍵字： 光刻  EUV  掩膜  CMOS  

道康寧電子部推出XR-1541電子束光刻膠

  • 　　全球材料、應(yīng)用技術(shù)及服務(wù)綜合供應(yīng)商美國(guó)道康寧公司電子部（Dow Corning Electronics）的硅晶片光刻解決方案事業(yè)部今日宣布正式開始供應(yīng)Dow Corning® XR-1541電子束光刻膠，該產(chǎn)品是專為實(shí)現(xiàn)下一代、直寫光刻工藝技術(shù)開發(fā)所設(shè)計(jì)。這一新型先進(jìn)的旋涂式光刻膠產(chǎn)品系列是以電子束（electron beam）取代傳統(tǒng)光源產(chǎn)生微影圖案，可提供圖形定義小至6納米的無(wú)掩模光刻技術(shù)能力。 　　可用于各種高純度、半導(dǎo)體等級(jí)配方的XR-1541電子束光刻膠，是由甲基異丁基酮(meth
  • 關(guān)鍵字： 道康寧  硅晶片  光刻  
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光刻介紹

光刻 　　利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀(jì)初就為人們所知，但長(zhǎng)期以來(lái)由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應(yīng)用。直到20世紀(jì)50年代，美國(guó)制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達(dá)光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來(lái)，并開始用在半導(dǎo)體工業(yè)方面。光刻是制造高級(jí)半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細(xì) ]

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