三菱電機 文章 進入三菱電機技術(shù)社區(qū)
第17講:SiC MOSFET的靜態(tài)特性
- 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強,在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件,沒有內(nèi)建電勢,所以在低電流區(qū)域,SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降;在接近額定電流時,SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經(jīng)常以低于額定電流工作的應(yīng)用,使用SiC
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第16講:SiC SBD的特性
- SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點,可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用,本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。SBD(肖特基勢壘二極管)是一種利用金屬和半導體接觸,在接觸處形成勢壘,具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下,而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比,因此為了提高耐壓,必須增加器件的厚度。而
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三菱電機:將在中國構(gòu)建工業(yè)機器人完整供應(yīng)鏈
- 2月28日消息,據(jù)日經(jīng)新聞報道,日本三菱電機將針對工業(yè)機器人等工廠自動化業(yè)務(wù)調(diào)整中國的供應(yīng)鏈。將減少從日本進口產(chǎn)品和零部件,攜手中國當?shù)仄髽I(yè),采購低價位產(chǎn)品。公司首席財務(wù)官增田邦昭表示,“目前在中國市場(從日本等地)進口產(chǎn)品進行銷售,但以后將僅通過中國國內(nèi)采購來滿足需求”;公司計劃在2025財年(截至2026年3月)討論相關(guān)合作,包括向工廠自動化相關(guān)的中國企業(yè)出資等。三菱電機還計劃通過與當?shù)仄髽I(yè)合作擴充產(chǎn)品陣容,便于滿足客戶的多樣化需求。增田表示“人工智能(AI)相關(guān)的投資非常堅挺,希望能夠不斷切實獲得訂
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第10講:SiC的加工工藝(2)柵極絕緣層
- 柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個關(guān)注點。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝,重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程,在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中,這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜,并已實現(xiàn)產(chǎn)品化。然而,SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異,在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時必須考慮到這一點。首先,與Si相比,SiC的熱氧化速率低。因此,該過程需要很長時間,而且還需要高溫。在SiC的熱氧
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第9講:SiC的加工工藝(1)離子注入
- 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質(zhì)原子擴散系數(shù)非常小,因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)(形成pn結(jié))。因此,SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù):在SiC中進行離子注入時,對于n型區(qū)域通常使用氮(N)或磷(P),這是容易低電阻化的施主元素,而對于p型區(qū)域則通常使用鋁(Al)作為受主元素。另外,用于Al離子注入的原料通常是固體,要穩(wěn)定地進行高濃度的Al離子注入,需
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更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊
- 摘要本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結(jié)構(gòu),并通過可以控制載流子的等離子體層(CPL)結(jié)構(gòu)減少芯片厚度,從而顯著的降低了功率損耗。特別是,在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下,SDA結(jié)構(gòu)可將Eon降低約60%,通過大幅降低功率損耗,模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術(shù)并擴大芯片面積,第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現(xiàn)了1800
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第2講:三菱電機SiC器件發(fā)展史
- 三菱電機從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史,從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化,從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓,三菱電機一直致力于開發(fā)和應(yīng)用高性能、高可靠性且高性價比的SiC器件,本篇章帶你了解三菱電機SiC器件發(fā)展史。三菱電機從上世紀90年代已經(jīng)開始啟動SiC相關(guān)的研發(fā)工作。最初階段,SiC晶體的品質(zhì)并不理想,適合SiC的器件結(jié)構(gòu)和制造工藝仍處于探索階段,但研發(fā)人員堅信SiC MOSFET是能夠最大限度發(fā)揮SiC材料優(yōu)異物理性能的器件,因此一直致力于相關(guān)研發(fā)。三菱電機于2003年開發(fā)出耐壓2
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三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導體
- 11月,日本三菱電機、安世半導體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。雙方將聯(lián)手開發(fā),將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認,預計最早將于2023年內(nèi)開始供應(yīng)。公開消息顯示,安世半導體總部位于荷蘭,目前是中國聞泰科技的子公司。11月初,安世半導體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司,三菱電機與安世半導體的側(cè)重點不同,前者以“多個離散元件組合
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Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),雙方聯(lián)手開發(fā),將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠,在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊,并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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三菱電機和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導體
- 三菱電機將與Nexperia(安世)合力開發(fā)SiC芯片,通過SiC功率模塊來積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation,TOKYO: 6503)今天宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術(shù)開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片,Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內(nèi)擴大,并有助于推動Si
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Denso和三菱電機10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務(wù)
- Denso和三菱電機宣布將分別投資5億美元,入股Coherent的碳化硅(SiC)業(yè)務(wù)子公司。據(jù)外媒,日本電裝株式會社(Denso)和三菱電機宣布,將分別投資5億美元,入股美國半導體材料、網(wǎng)絡(luò)及激光供應(yīng)商Coherent的碳化硅(SiC)業(yè)務(wù)子公司Silicon Carbide,并分別取得12.5%股權(quán)(兩家日企合計取得25%股權(quán))。據(jù)悉,Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造,是于2023年4月從Coherent公司分拆出來設(shè)立的SiC業(yè)務(wù)子公司。Denso與三菱電機將向該公司采購
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三菱電機和Coherent宣布合作,瞄準8英寸SiC襯底
- 近日,美國激光技術(shù)與加工系統(tǒng)供應(yīng)商Coherent和三菱電機宣布,雙方已簽署一份諒解備忘錄 (MOU)并達成項目合作,將在200毫米技術(shù)平臺上擴大SiC電力電子產(chǎn)品的規(guī)?;a(chǎn)。三菱電機宣布在截至2026年3月的五年內(nèi)投資約2600億日元。其中,大約1000億日元將用于建設(shè)基于200mm技術(shù)平臺的SiC功率器件新工廠,并加強相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備。根據(jù)諒解備忘錄,Coherent將為三菱電機未來在新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件開發(fā)200毫米n型4H SiC襯底。資料顯示,Coherent于1966年成立于美國加利福尼亞
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1800億只 三菱電機成就半導體行業(yè)“專精特新”

- 1800億只,是寧波康強電子股份有限公司沖壓引線框架的年產(chǎn)能。從1992年開始,康強電子深耕半導體封裝材料領(lǐng)域,以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動,穿越行業(yè)周期,不斷發(fā)展壯大。其三大業(yè)務(wù)領(lǐng)域引線框架、鍵合絲與電極絲均為國內(nèi)翹楚,其中引線框架產(chǎn)銷量在國內(nèi)同行中連續(xù)數(shù)年排名第一,全球市場占有率位居前七,榮獲“中國半導體材料十強企業(yè)”“中國電子材料50強企業(yè)”等榮譽稱號。2022年10月,國家級第四批專精特新“小巨人”企業(yè)的認定,不僅堅定了康強電子在這一細分領(lǐng)域的發(fā)展信心,更為三菱電機謀劃未來打開了新的機遇之窗??蛻敉袋c:精益求
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三菱電機介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對三菱電機的理解,并與今后在此搜索三菱電機的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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