- 蘋果高管近日在財報分析師電話會議上表示，該公司已與東芝達成閃存芯片長期供貨協議，并向后者預付5億美元貨款。
這一交易對于東芝而言可謂“及時雨”。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商，面臨閃存芯片價格滑坡和來自三星電子的激烈競爭等問題。
消息人士表示，5億美元相當于蘋果一個季度NAND閃存芯片需求量的價值。
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蘋果 閃存芯片 NAND
- 英特爾公司已經開始采用更為先進的34納米生產流程制造其領先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進的工程設計，34 納米產品將使SSD的價格(與一年前推出產品時的價格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來實惠。
多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個版本可供選擇。SSD是電腦中的數據存儲設備。由于SSD不包括任何移動部件，因此與傳統(tǒng)硬盤(
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英特爾 34納米 NAND 固態(tài)硬盤
- 隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產品，應戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術領先，近期英特爾和美光在價格策略上，更是上演絕地大反攻計畫，以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產品詢問度大增，三星在現貨市場活絡度則降低。
英特爾
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Intel 34納米 NAND 42納米
- 電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱，預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。
該報未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。
三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內活動上稱，三星預計下半年投資“略高于”上半年。
該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。
ETnews報稱，芯片業(yè)務下半年的投資將側重于引進更先進的生產技術，比如采用40納米制程生產DRAM和
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三星 DRAM 30納米 NAND
- 周一消息 研究機構iSuppli指出，NAND閃存價格大幅波動的現象，大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預期。
iSuppli專研行動和新興內存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價格上漲，對閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因為SSD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價格上漲，SSD在個人和企業(yè)市場的銷量就會減緩。
多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存，其平均價格大幅上漲12
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- 全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。
按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術于今年第四季度開始量產。
在DRAM領域,三星一直是技術領導者,目前已作出46nm DRAM樣品。
究竟誰是NAND尺寸縮小的領導者,據今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
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三星 DRAM NAND 存儲器
- 市調機構InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。
原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉。
由于供應商擔心是持久力問題,加上英特爾美光聯盟推出34納米芯片,貿易中間商為了促銷給出更大的折扣,導致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
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英特爾 DRAM NAND 34納米
- Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術的NAND閃存芯片實現量產。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。
Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術做準備，計劃于第四季度推出樣品。
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Micron 納米 NAND USB閃盤
- 雖然固態(tài)硬盤迅速成為了各大媒體主要的宣傳內容,但是由于價格過高的原因今年固態(tài)硬盤的市場份額將不會太高.根據DRAMeXchange的最新調查報告表明,固態(tài)硬盤在標準筆記本電腦的市場份額2009年將維持在1%-1.5%,同時由于眾多廠商在主流存儲設備上依然選擇的是機械式硬盤,因此在低端PC上的市場份額將不到10%,這里應該主要指的是上網本產品.
較高的價格明顯妨礙了固態(tài)硬盤向更深市場的侵入,根據市場調研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內存芯片的價格走勢,SSD產品的市場接受度將會下降.
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- 近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現的時間不久，其成本高，容量有限，有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態(tài)硬盤的價格將大大降低，容量也將達到320GB左右。
固態(tài)硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
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- 雖然蘋果iPhone有著驚人的利潤已經是婦孺皆知的事情，但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前，以經常拆卸廣受歡迎的消費電子產品而聞名的iSuppli，通過初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關鍵部件的供應商及評估產品成本。據悉，第三代蘋果手機iPhone3GS的成本為178.96美元，比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價。
通常而言，最新一代產品的成本要低于上一代，尤其對于iPh
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蘋果 NAND GPS 處理芯片
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產品的市場規(guī)格，此新一代存儲技術可滿足載有大量內容和數據平臺的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動應用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡化設計流程并縮短產品開發(fā)時間，使制造商能在短時間內采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產品。
相較于
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Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
- 全球NAND Flash需求仍相當疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產重創(chuàng)市場信心，然存儲器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應鏈，推測其增產系為蘋果供貨做準備，近期更需關注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應戰(zhàn)，亦開始準備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場
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三星 NAND 30納米 43納米
- 6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術。
三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范，該技術有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設備中。英特爾和意法半導體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱，PCM讀寫速度非?？?，但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。
三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規(guī)范將于今年完成，預計明年將推出兼容設備。
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三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體
- 據市調公司DRAM Exchange的調查，2009年，傳統(tǒng)筆記本市場上的SSD硬盤使用率僅僅只有1-1.5%，而 在低端市場SSD硬盤的占有率也只有不到10%。造成這種現象的原因是16Gb/32Gb NAND閃存價格的上漲。今年上半年，這種規(guī)格閃存的價格不斷上揚，而由此產生的利潤空間自然就減小了。
DRAM Exchange聲稱上網本與傳統(tǒng)筆記本中使用SSD硬盤的比率今年出現持續(xù)下降的態(tài)勢，結果導致“SSD銷量總體表現很糟糕”。相比傳統(tǒng)機械硬盤，SSD硬盤的每GB價格依
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