国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt

IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏

  •   新型電力半導(dǎo)體器件的代表,IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才,我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到,電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要,因此,政府應(yīng)該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。   眾所周知,電力電子技術(shù)可以提高用電效率,改善用電質(zhì)量,是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件,它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件,
  • 關(guān)鍵字: 器件  IGBT  封裝  測試  MOSFET  

寧波比亞迪半導(dǎo)體虧損調(diào)查:生產(chǎn)線可稱老古董

  •   這是一個結(jié)果尚不明朗的賭注,巴菲特和王傳福站在一邊,巴菲特已經(jīng)賭贏了,但是王傳福暫時還沒有。   初冬的傍晚天黑得早,寧波北侖港保稅港區(qū)的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經(jīng)濟通實時行情)寧波半導(dǎo)體公司(原寧波中緯)依舊冒著騰騰的熱氣,公司墻上貼滿了新員工的名字,由于人數(shù)眾多,許多人還來不及辦理入廠證件。大批身穿比亞迪廠服的員工走出工廠大門,投入茫茫夜色,這里有許多來自深圳的年輕工程師,他們正試圖適應(yīng)在寧波度過的第一個寒冷冬天。   這些員工身上,承載著王傳福的野心和夢想。“
  • 關(guān)鍵字: 比亞迪  IGBT  

功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐

  •   過去,人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦,而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢,因為集成電路的作用是接受和處理信息,而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率,去驅(qū)動相關(guān)電機進行所需的工作。如今,新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及,其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”,而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
  • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  MOSFET  IGBT  

關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時間的精確測量方法

  • IGBT以其輸入阻抗高,開關(guān)速度快,通態(tài)壓降低等特性已成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件的主流器件,但在它的使用過程中,精確測量導(dǎo)通延遲時間,目前還存在不少困難。在介紹時間測量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎(chǔ)上,利用其優(yōu)良的特性,設(shè)計一套高精度的IGBT導(dǎo)通延遲時間的測量系統(tǒng),所測時間間隔通過液晶顯示器直接讀取,是一套較為理想的測量方案。
  • 關(guān)鍵字: IGBT  導(dǎo)通  精確測量  方法    

IR 推出采用焊前金屬的汽車級絕緣柵雙極晶體管

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。   AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場截止溝槽技術(shù),大幅度降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。此外,這款新器件的焊前金屬可實現(xiàn)雙面冷卻,提高了散熱性能,
  • 關(guān)鍵字: IR  IGBT  逆變器  

中國南車建成大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地

  •   9月8日,隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片,國內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車正式投產(chǎn)。   為滿足國民經(jīng)濟發(fā)展的急切需求,打破國外公司的市場壟斷,推動大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模,中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ),總投資近3.5億元,于2006年年底啟動大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè),歷經(jīng)22個月后實現(xiàn)正式投產(chǎn)。   位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬平方米,部分凈化級別達到了100級,由于產(chǎn)品對生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體器件  IGBT  二極管  

中國最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)

  •   中國最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長期以來,高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場一直被國外壟斷,該基地的投產(chǎn)運行將加速推動國產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進程。   大尺寸功率半導(dǎo)體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導(dǎo)體器件)是變流器的關(guān)鍵元件,被譽為電力電子產(chǎn)品的“CPU”,廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長期以來,國內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進口,價格昂貴,嚴(yán)重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。   
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  晶閘管  IGBT  

基于雙IGBT的斬波式串級調(diào)速系統(tǒng)的研究

  • 從普通串級調(diào)速原理入手,簡要分析影響串級調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調(diào)速、新型GTO串級調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上,提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調(diào)速控制方案。
  • 關(guān)鍵字: IGBT  斬波  串級調(diào)速  系統(tǒng)    

英飛凌再度稱雄功率電子市場

  •   英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場》報告稱,2008年,此類器件的全球市場增長了1.5%,增至139.6億美元(2007年為137.6億美元),而英飛凌的增長率高達7.8%?,F(xiàn)在,英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額,其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲,英飛凌也繼續(xù)獨占鰲頭,分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。   隨著汽車、消費和工
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  MOSFET  

本土資本與高新產(chǎn)業(yè)完美結(jié)合 “鳳凰模式”借讀

  •   經(jīng)濟領(lǐng)域有兩大活躍因子:技術(shù)與資本。走進鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司,你可以感受到這兩大活躍因子結(jié)合后迸發(fā)出的強勁效應(yīng)。這家注冊于2008年7月的“530”企業(yè),一期工廠已開始安裝設(shè)備。今年9月正式投產(chǎn)后,其生產(chǎn)的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補國內(nèi)空白,告別同類產(chǎn)品依賴進口的局面。   剛滿“周歲”的鳳凰半導(dǎo)體就將進入產(chǎn)業(yè)化階段,其速度令人驚奇,但在總經(jīng)理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二:一是所率留美博士團隊擁有國際一流技術(shù);二是擁有
  • 關(guān)鍵字: 變頻開關(guān)  IGBT  

IGBT在客車DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護

  • IGBT綜述
    1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點
    IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
  • 關(guān)鍵字: IGBT  600  系統(tǒng)  逆變器    

基于EXB841的IGBT驅(qū)動和保護電路研究

  • 引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件,它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性,又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
  • 關(guān)鍵字: 電路  研究  保護  驅(qū)動  EXB841  IGBT  基于  電源  

新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能

  • 在日益增長的變頻器市場,許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺。在62毫米(當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸)模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機械
  • 關(guān)鍵字: IGBT  性能    
共681條 42/46 |‹ « 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 »

igbt介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條 igbt!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對 igbt的理解,并與今后在此搜索 igbt的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473