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Mentor為EV/HEV用IGBT推出600A仿真和測試設備

  • 　　Mentor Graphics公司近日宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產品，其在功率循環(huán)中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的IGBT的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產品，EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測試功率半導體器件(如IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器)，以便檢查對完成任務來說至關重要的熱可靠性和生命周期性能。 　　“中國三類客戶對此會有感興趣：1.一些OEM廠商自己在做IGBT;2.企
  • 關鍵字： Mentor  IGBT  

Mentor Graphics 推出獨特的 MicReD Power Tester 600A 解決方案，用于解決電動和混合動力車 IGBT 熱可靠性問題

  • 　　Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產品，其在功率循環(huán)中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的功率半導體器件的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產品，EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測試功率半導體器件(如絕緣柵雙極性晶體管 – IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器)，以便檢查對完成任務來說至關重要的熱可靠性和生命周期性能。熱可靠性問題可能導致需要召回 EV/HEV 汽車，
  • 關鍵字： Mentor Graphics  IGBT   

Fairchild推出適用于混合動力電動汽車和純電動汽車應用的分立式IGBT

  • 　　隨著Fairchild最新汽車創(chuàng)新產品的上市，汽車制造商及其供應商在牽引逆變器　　和其他電機驅動的元件方面將擁有更多的選擇　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今天發(fā)布了新產品，即適用于混合動力電動汽車(HEV)、充電式混合動力電動汽車(PHEV)和電動汽車(EV)應用的新型分立式IGBT和二極管和裸片，從而擴展了其不斷增加的汽車級半導體解決方案產品組合。 這些IGBT和二極管非常適合牽引逆變器，牽引逆變器是所有HEV、PHEV和EV的核心組件，能夠將電池
  • 關鍵字： Fairchild  IGBT  

Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅動器技術引入到1200 V應用中

  • 　　中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC，8 A是目前業(yè)內不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅動器應用的產品。Flux
  • 關鍵字： Power Integrations  IGBT  

Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅動器技術引入到1200 V應用中

  • 　　中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC，8 A是目前業(yè)內不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅動器應用的產品。Flux
  • 關鍵字： Power Integrations  IGBT  

解析IGBT的工作原理及作用

  • 　　本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點?？梢哉f，IGBT是一個非通即斷的開關，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。 　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。 　
  • 關鍵字： IGBT  MOSFET  

IGBT模塊封裝底板的氧化程度對焊接空洞率的影響分析

  • 本文簡介了IGBT模塊的主要封裝工藝流程，并在相同的實驗條件下，對兩組不同氧化程度的模塊分別進行超聲波無損檢測掃描，將掃描圖像載入空洞統(tǒng)計分析軟件，通過對比兩組空洞率數據發(fā)現：非氧化底板焊接空洞率較低，氧化底板的焊接空洞率普遍偏大?；诒緦嶒灥慕Y果，本文建議IGBT模塊在封裝之前，應對散熱底板做好防腐處理，以確保底板不被氧化。
  • 關鍵字： IGBT  底板  氧化  空洞率  超聲波檢測  201605  

工業(yè)強基：工信部今年打算怎么干？

  • 　　工業(yè)基礎能力不強，關鍵核心零部件受制于人，工業(yè)發(fā)展如何補短板?解放日報·上海觀察從國家工信部12日發(fā)布的《工業(yè)強基2016專項行動實施方案》獲悉，今年工信部將推動重點領域發(fā)展，實施“一攬子”突破行動，重點突破40種左右標志性核心基礎零部件(元器件)、關鍵基礎材料、先進基礎工藝。 　　 ? 　　“工業(yè)大而不強”，是我國工業(yè)發(fā)展的總體現狀。上海機床廠剛剛下線的國內首臺進入汽車主機廠發(fā)動機生產線的“MK8220/S
  • 關鍵字： IGBT  中國制造2025  

三菱電機應用于電動汽車驅動的模塊解決方案

  • 　　電動汽車的運行條件不同于工業(yè)應用條件，對電驅動用逆變器的核心元器件功率模塊不僅要求體積小、重量輕、效率高、冷卻方法簡單等，而且要求更高的可靠性、更長的壽命以及安全無故障運行?！　∽鳛槿蚴准议_發(fā)汽車級功率模塊的三菱電機從1997年起就將汽車級功率模塊成功地應用于電動汽車中，迄今為止，已具有20年成功開發(fā)汽車級功率模塊的豐富經驗?！　榻B，三菱電機最早推出的是客戶定制型的汽車級IGBT模塊和智能功率模塊(IPM)，隨后推出了非定制型的J-series汽車級功率模塊T-PM，它是一種采用壓注模封裝的2i
  • 關鍵字： 三菱電機  IGBT  

IGBT關斷特性的提升

  • ???????IGBT現在存在的一個比較大的問題是關斷特性比較差，這對應用限制比較多。英飛凌是如何解決這樣的問題的?　　英飛凌科技(中國)公司工業(yè)功率控制事業(yè)部中國區(qū)總監(jiān)?于代輝　　以前，半導體廠家主要從產品的角度如電子學角度來實現產品的更新?lián)Q代。最近，英飛凌提出PToS，也就是從產品到系統(tǒng)。英飛凌從系統(tǒng)的角度，通過與用戶更多的溝通，比如UPS，包括太陽能、風能也存在導通電阻、工作溫度的問題。我們從用戶、系統(tǒng)和應用的角度來反觀
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

新型大功率模塊助你在日益火爆的充電樁搶占先機

  • 　　新能源汽車隨著相關技術的日趨成熟而越來越受歡迎，同時其清潔環(huán)保的特點已經越來越受到大眾的喜愛。只是受制于動力系統(tǒng)(電池等)的限制，新能源汽車的續(xù)航與動力艙的體積一直為人詬病。由此可見，新能源汽車優(yōu)勢非常明顯，但弱點也比較突出，因此如何才能充分利用這種新技術，使之不雞肋呢?增加配套基礎設施(像燃料動力車一樣，增加“加油站”即充電樁/充電機)毫無疑問成為推動電動車發(fā)展的最強助力。這個配套基礎設施的潛力有多大?可以這么說，有路的地方就有機會!由此，我們可以看到大量的企業(yè)信心滿滿地殺入這個市場?！　∧敲磫栴}來
  • 關鍵字： Vincotech  IGBT  

驅動電路頻率不足導致的IGBT失效分析

  • 　　在IGBT的使用過程中，存在電路失效的情況，而失效的原因通常多種多樣，其中一種就是當驅動電路工作頻率相對IGBT開關頻率不足時，導致的IGBT失效問題。只有對IGBT失效原因進行正確全面的分析，才能找出問題的根源順利解決。幫助大家理解這種失效原因背后的原理。　　通常來說，限制輸出頻率的因素是響應速度和耗散功率。但是相比之下很多驅動產品的規(guī)定輸出頻率上限卻顯得小了很多。這是為什么呢?原因之一，是驅動器經過一次輸出翻轉后并不能馬上恢復穩(wěn)態(tài)。如果在驅動器進入穩(wěn)態(tài)前再次輸出翻轉，則會引發(fā)一些可靠性問題?！　”?/li>
  • 關鍵字： 驅動電路  IGBT  

電源的六大酷領域及動向

  • 節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數據中心電源，邀請部分領軍企業(yè)介紹了技術市場動向及新產品。
  • 關鍵字： SiC  IGBT  汽車  電池  USB Type-C  無線充電  能量收集  數據中心  201604  

瑞薩電子推出第8代IGBT，以行業(yè)領先的超低損耗特性，提升系統(tǒng)功率

  • 　　瑞薩第8代IGBT：G8H系列2016年3月10日，日本東京訊——全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)，于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的六款新產品，其可將用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的功率調節(jié)器中的轉換損耗降至最低，并減少不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中的逆變器應用。推出的六種新產品額定功率分別為650 V /40 A、50 A、75 A、1250 V / 25 A、4
  • 關鍵字： 瑞薩  IGBT  
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