SRAM行業(yè)的領先者賽普拉斯半導體公司日前推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產品成為其65納米SRAM產品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術，由臺灣聯(lián)華電子(UMC)的芯片工廠代工生產。該產品擁有市場上最快的時鐘，速率可達550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數據率達到80 Gbps，并且其功耗只有采用90納米工藝的SRAM器件的一半。這些產品是諸如互聯(lián)網核心與邊緣路由器、固定及模塊化的以太網交換機、3G基站和安全路由器等網絡應用的理想產品，還可以改善醫(yī)學成像和軍事信號處理系統(tǒng)的性能。這些器件與90納米SRAM管腳兼容，從而允許網絡客戶在保持板卡布局不變的同時改進性能，并且將表和包緩沖器的容量擴充一倍。

　　與90納米SRAM相比，賽普拉斯的65納米QDR 和 DDR SRAM的待機和動態(tài)耗電量降低了50%，從而順應當前的“綠色”網絡架構應用趨勢。QDRII+ 和 DDRII+器件具有片上終止器(ODT)，從而省去了外部的中止器電阻，可以改善信號完整度并節(jié)省系統(tǒng)成本和板卡空間。65納米器件采用一個鎖相環(huán)(PLL)而非延遲鎖定環(huán)(DLL)，從而使數據有效窗口拓寬了35%，進而簡化了板級時序收斂并增強了與第三方處理器的兼容性。

　　賽普拉斯同步和時序產品事業(yè)部副總裁Dave Kranzler說：“作為全球SRAM的領導者，目前我們提供種類最齊全的產品。這一業(yè)界最快最大的產品的推出更加鞏固了我們的領先地位，進一步證明了我們對SRAM市場的承諾。”

　　供貨情況及照片

　　CY7C16xxKV18 65-nm QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+ SRAM目前正在出樣，預計2010年第一季度投產。每個器件均可有基于I/O寬度(x18 或 x36)、突發(fā)長度(B4 或 B2)以及延遲時間(1.5, 2.0 或 2.5)的多種配置。65納米144-Mbit SRAM采用工業(yè)標準的165FBGA封裝，與現(xiàn)有的90納米QDR和DDR器件管腳兼容，因而能很方便地替換。