半導體C-V測量基礎
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圖1中的金屬/多晶層是電容的一極，二氧化硅是絕緣層。由于絕緣層下面的襯底是一種半導體材料，因此它本身并不是電容的另一極。實際上，其中的多數(shù)載流子是電容的另一極。物理上而言，電容C可以通過下列公式中的變量計算出來：
本文引用地址：http://m.ptau.cn/article/96649.htmC = A (κ/d), 其中
A是電容的面積，
κ是絕緣體的介電常數(shù)
d是兩極的間距
因此，A 和 κ越大，絕緣體厚度越薄，電容值就越高。通常而言，半導體電容的大小范圍從幾納法到幾皮法，甚至更小。
進行C-V測量時要在電容的兩極加載直流偏壓同時利用一個交流信號進行測量(如圖1所示)。通常情況下，這類測量使用的交流頻率范圍從10kHz到10MHz。所加載的偏壓作為直流電壓掃描驅動MOSCAP結構從累積區(qū)進入耗盡區(qū)，然后進入反型區(qū)(如圖2所示)。
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