目前大多數(shù)存儲(chǔ)芯片處于30nm制程，而邏輯電路更是在42nm制程徘徊。而東芝已經(jīng)宣布他們?cè)谥瞥烫嵘先〉昧送黄疲麄円呀?jīng)可以制造出16nm甚至更低制程的場(chǎng)效應(yīng)管。突破的關(guān)鍵是他們使用了鍺代替現(xiàn)在流行的硅，鍺一直以來都被認(rèn)為有潛力制造更小的設(shè)備，但是它也比硅存在更多的問題，難于控制。但是現(xiàn)在硅化合物的潛能已經(jīng)發(fā)掘殆盡，所以人們?cè)僖淮螌⒛抗廪D(zhuǎn)向了鍺。

　　東芝稱他們將會(huì)在下周在東京舉行的2009 VLSI座談會(huì)上詳細(xì)講解他們的成果。