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高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡化汽車、半導體、科學和工業(yè)應用中的測量

作者:潘威海 泰克公司D&M產品線亞太區(qū)市場發(fā)展經(jīng)理 時間:2009-03-17 來源:電子產品世界 收藏

 

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/92486.htm

  圖2 一個DC馬達驅動器中四個的H電橋配置


  圖3 示意圖和等效電路。

  圖2顯示了驅動DC馬達的H電橋拓撲中使用的實例。這一配置提供了前向、后向和制動功能。

  在作為開關使用時,MOSFET的基本功能是通過門信號控制漏電流。在這些應用中,開關時間是電路設計人員選擇元件時考慮的一個重要指標。MOSFET的開關性能取決于通過內部電容建立電壓變化所需的時間(參見圖3)。注意,門源電壓必須先把MOSFET的輸入電容變成特性門限電平,然后漏電流才能起動。

 

  圖4 測量電源MOSFET開關時間的設置。

 

  圖5 AFG3011直接在顯示器上顯示幅度。



關鍵詞: 泰克 MOSFET IGBT 200903

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