DRAM廠另謀出路 搶進晶圓代工市場
DRAM報價持續(xù)探底,燒錢速度愈來愈快,DRAM廠為了守住手中現金,均大砍明年資本支出,延緩50奈米制程微縮。再者,因為50奈米以下DRAM制程需導入先進的浸潤式微影技術,投資金額過于龐大,也不適合將現有12吋廠進行改建。所以,力晶及茂德決定將2002年興建的12吋廠轉投入晶圓代工市場。
力晶首座12吋廠(12A)與茂德新竹12吋廠(二廠),近期已開始變更部分設備投入代工,主要提供0.11及0.13微米制程,及部份0.13微米高壓制程,開始爭取LCD驅動IC、嵌入式記憶體、CMOS影像感測器(image sensor)等訂單。
茂德表示,新竹二廠仍以0.11微米生產DRAM,但已調撥數千片產能,為客戶代工CMOS感測器、LCD驅動IC、利基型DRAM等產品,而此舉也有間接減少DRAM產出、降低燒錢速度的效果。
力晶的12A廠將于明年開始陸續(xù)除役減少DRAM投片,目前鎖定爭取LCD驅動IC代工市場,除了以0.13微米為奇景試產外,力晶與瑞薩(Renesas)合資的LCD驅動IC廠,也將在明年第一季開始在12A廠投片,力晶預計2年后該廠將全轉代工,并將爭取豪威(OmniVision)等客戶的90奈米CMOS感測器代工訂單。
DRAM廠利用折舊幾近結束的12吋廠投入晶圓代工,確實已沖擊到晶圓代工業(yè)者的8吋廠接單。分析師指出,LCD驅動IC、CMOS感測器等產品,確實適合在講求經濟規(guī)模的12吋廠投片,DRAM廠又善于降低單位制造成本,對于8吋晶圓代工廠的接單一定有所影響,聯電、世界先進將首當其沖。
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