富士通公司和精工愛普生公司近日宣布，雙方已簽署協(xié)議將聯(lián)合開發(fā)下一代鐵電隨機存儲器(Ferroelectric Random Access Memory, FRAM)非易失存儲器技術。

　　根據(jù)協(xié)議，雙方計劃研制一種高集成度的下一代FRAM，其組件面積將只有目前市場上銷售的常規(guī)FRAM的1/6， 研發(fā)計劃預計將于2006年上半年完成。同時，富士通和愛普生還計劃開發(fā)一種存儲器核心處理技術，其特點是對于可執(zhí)行的讀寫周期的限制達到了最小。

　　近年來，便攜式信息設備和智能家用電器都變得越來越先進，導致FRAM非易失存儲器的需求量迅速攀升，因為這種存儲器能夠滿足一系列非常廣泛的市場需求，例如，與閃存和電可擦除只讀存儲器(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory, EEPROM)4 相比，這種存儲器具有低能耗、快速讀寫的特點。 除了只讀存儲器(ROM)所具有的功能外，F(xiàn)RAM還具有非易失隨機存儲器(RAM)的功能，因此能夠成為目前市場上的最佳存儲設備之一，并成為系統(tǒng)大規(guī)模集成電路(LSIs)的理想存儲器解決方案。

　　富士通和愛普生計劃通過聯(lián)合開發(fā)下一代FRAM技術，將彼此的重要技術(如FRAM材料和微型化制程)結合起來，以此來達到縮短開發(fā)周期的目的。