瑞薩科技布，開發(fā)出一種具有45 nm（納米）及以上工藝的微處理器和SoC（系統(tǒng)級芯片）器件、低成本制造能力的超高性能晶體管技術。新技術利用瑞薩開發(fā)的專有混合結構（在2006年12月以前發(fā)布的一種先進技術）改善了CMIS（注1）晶體管的性能。瑞薩已經在2007年6月12日于日本京都舉行的2007年超大規(guī)模集成電路技術專題研討會（2007 Symposium on VLSI Technology）上闡述了這一新的、增強的混合結構，并演示了測試數(shù)據(jù)。

像以前的技術一樣，新的半導體制造技術有一個采用氮化鈦（TiN）金屬柵極的P型晶體管，以及一個采用傳統(tǒng)多晶硅柵極的N型晶體管。不過，新的P型晶體管采用兩層柵極結構，而不是單層柵極，以更有效地控制門限電壓（注2）。而且，新型混合結構利用應變硅制造技術來提升驅動電流能力。與以前的瑞薩混合結構相比，這些創(chuàng)新產品的性能大約提高了20%。重要的是，新型結構可以實現(xiàn)低成本制造，因為它不需要對目前的制造工藝進行重大改變。

一個包含40 nm柵極長度晶體管的實驗芯片已經制造完成。對這個芯片的測試數(shù)據(jù)證實了其全球頂級水平的驅動性能：在1.2 V電源電壓條件下，N型晶體管為1,068μA/μm，P型晶體管為555μA/μm。