1 概述

行駛記錄儀的主要數(shù)據(jù)包括事故疑點和行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)。其中，事故疑點數(shù)據(jù)是記錄儀以不大于0．2s的時間間隔持續(xù)記錄并存儲停車前20 s實時時間所對應(yīng)的車輛行駛速度及車輛制動狀態(tài)信號，記錄次數(shù)至少為1O次：行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)是無論車輛在行駛狀態(tài)還是停止?fàn)顟B(tài)，記錄儀提供的與實時時間對應(yīng)的車輛行駛速度信息。記錄儀應(yīng)能以不大于1 min的時間間隔持續(xù)記錄并存儲車輛在最近360 h內(nèi)的行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)，該行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)主要是車輛在行駛過程中與實時時間相對應(yīng)的每分鐘間隔內(nèi)的平均行駛速度值[1]。

該記錄儀需要采用大容量的數(shù)據(jù)存儲器。以往的設(shè)計均采用并行存儲器或鐵電存儲器。其中并行存儲器存儲容量大，讀寫速度快。但是抗干擾能力差，而汽車上的干擾較強(qiáng)．雖然可以通過其它軟、硬件措施來避免。但是在設(shè)計時一般都需要選擇抗干擾能力強(qiáng)的芯片；鐵電存儲器采用串行接口，抗干擾能力強(qiáng)，也具有很高的靈活性，可以單字節(jié)讀寫(不需要擦除，可直接改寫數(shù)據(jù))，但其存儲密度小，單位成本高，讀寫速度較慢，由于行駛記錄儀要求每0．2 s采樣一次速度和狀態(tài)，因此讀寫存儲器的速度會影響采樣的精度和程序的運行。

現(xiàn)在的EEPROM閃速存儲陣列Flash Memory有ATMEL、SST的小扇區(qū)結(jié)構(gòu)閃速存儲器(Small Sector Flash Memory)和ATMEL的海量存儲器(Data-Flash Memory)。這類器件具有EEPROM與NOR技術(shù)Flash Memory的綜合優(yōu)勢，主要表現(xiàn)為：

(1)讀寫靈活性比EEPROM差，不能直接改寫數(shù)據(jù)。在編程之前需先進(jìn)行頁擦除，與NOR技術(shù)Flash Memory的塊結(jié)構(gòu)相比，其頁尺寸小，因而具有快速隨機(jī)讀取和快編程、快擦除的特點：

(2)與EEPROM相比，這種存儲器具有明顯的成本優(yōu)勢；

(3)存儲密度比EEPROM大，但比NOR技術(shù)Flash Memory小[2]。

因此，該Dataflash存儲容量大，讀寫速度快，抗干擾能力強(qiáng)，在行駛記錄儀中作存儲器是較好的選擇。本文給出了采用ATMEL的AT45DB161B來存儲數(shù)據(jù)的記錄儀設(shè)計方案。

2 AT45DB161B串行存儲器

ATMEL公司的Data-Flash產(chǎn)品的代表型號為AT45DBxxxx。此系列存儲器容量較大(從1～256MB)；封裝尺寸小，最小封裝型式(CBGA)的尺寸為6 mm