意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開關頻率達到8kHz時，新系列雙極器件的導通和關斷綜合損耗創(chuàng)市場新低，大幅度提升不間斷電源、太陽能發(fā)電、電焊機、工業(yè)電機等類似設備的電源轉換效率。

　　新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓(VCE(sat))，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡化熱管理系統(tǒng)。此外，正VCE(sat)溫度系數(shù)結合緊密的參數(shù)分布，不僅簡化多支晶體管的并聯(lián)設計，亦滿足更大功率應用的要求。極低的電壓過沖和關斷零振蕩(zero oscillation)，幫助電源廠商使用更簡單的外部電路和更少的外部組件。

　　10µs最小短路耐受時間(在150°C初始結溫時)，無閂鎖(latch-up free operation)效應，擁有175°C最高結溫以及寬安全工作區(qū)。多項優(yōu)勢體現(xiàn)了新產品極強的耐用性和可靠性。

　　作為8kHz最高開關頻率硬開關拓撲的理想選擇，新款S系列采用第三代溝柵式場截止(trench-gate field-stop)型制造工藝，補充并完善了意法半導體1200V IGBT的M系列和H系列的市場布局，M系列和H系列產品分別定位在20kHz與20kHz以上的開關電源市場，與新款S系列一起，這三大系列產品將成為常用開關頻率電源廠商針對先進、高能效IBGT器件的最佳選擇。

　　最新發(fā)布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個額定電流值，采用標準引腳或TO-247加長引腳封裝。全系產品標配最新的內部續(xù)流二極管(freewheeling diode)，兼?zhèn)淇焖倩謴秃透呋謴蛙浂?，確保IGBT具有超低電磁干擾和導通損耗。