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意法半導體(ST)新款1200V IGBT是業(yè)內性能最好的低頻晶體管

作者: 時間:2015-06-26 來源:電子產品世界 收藏

  (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出S系列 1200V 絕緣柵雙極晶體管。當開關頻率達到8kHz時,新系列雙極器件的導通和關斷綜合損耗創(chuàng)市場新低,大幅度提升不間斷電源、太陽能發(fā)電、電焊機、工業(yè)電機等類似設備的電源轉換效率。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/276337.htm

  新S系列擁有當前1200V 市場上最低的飽和電壓(VCE(sat)),可確保更低的壓降與最小的功率耗散,從而簡化熱管理系統(tǒng)。此外,正VCE(sat)溫度系數(shù)結合緊密的參數(shù)分布,不僅簡化多支晶體管的并聯(lián)設計,亦滿足更大功率應用的要求。極低的電壓過沖和關斷零振蕩(zero oscillation),幫助電源廠商使用更簡單的外部電路和更少的外部組件。

  10µs最小短路耐受時間(在150°C初始結溫時),無閂鎖(latch-up free operation)效應,擁有175°C最高結溫以及寬安全工作區(qū)。多項優(yōu)勢體現(xiàn)了新產品極強的耐用性和可靠性。

  作為8kHz最高開關頻率硬開關拓撲的理想選擇,新款S系列采用第三代溝柵式場截止(trench-gate field-stop)型制造工藝,補充并完善了1200V 的M系列和H系列的市場布局,M系列和H系列產品分別定位在20kHz與20kHz以上的開關電源市場,與新款S系列一起,這三大系列產品將成為常用開關頻率電源廠商針對先進、高能效IBGT器件的最佳選擇。

  最新發(fā)布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個額定電流值,采用標準引腳或TO-247加長引腳封裝。全系產品標配最新的內部續(xù)流二極管(freewheeling diode),兼?zhèn)淇焖倩謴秃透呋謴蛙浂?,確保IGBT具有超低電磁干擾和導通損耗。

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關鍵詞: 意法半導體 IGBT

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