根據(jù)S12ZVM數(shù)據(jù)手冊(見參考文獻^[1])，VDDX/VDDA的誤差為0.15 / 5 = +/-3%;分壓網(wǎng)絡的誤差為+/-5%。

　　需要說明的是，這里分壓網(wǎng)絡的5%的誤差來自理論上的最壞可能(即邊界電壓)。如果我們選取一定數(shù)量的芯片樣本，統(tǒng)計其分壓比，會發(fā)現(xiàn)在正常工作電壓范圍(如9～18V)內，分壓比會集中在典型值2%附近。由于本文討論的主題為worst case，所以這里還是取最大值5%作計算，此時總誤差為5% + 3% = 8%。下面我們將從參考電壓和分壓網(wǎng)絡兩個方向來減小測量誤差。

　　3.3 利用Bandgap減小參考電壓的誤差

　　S12ZVM集成了內部參考電壓源Bandgap，由數(shù)據(jù)手冊(見參考文獻^[1])可知，Bandgap在全溫度范圍內輸出電壓范圍是(1.14V～1.28V)。對單顆芯片而言，Bandgap的誤差包括對輸入電壓的誤差(+/-5mV)以及對環(huán)境溫度的誤差(+/-20mV)，所以其總誤差最大為(5mV + 20mV) / 1.14V = 2.2%。

　　工廠對每一顆S12ZVM的Bandgap都作了測量，參考電壓是準確的+5V，其結果保存在S12ZVM的內部Flash中，即：

　　最后根據(jù)換算出的參考電壓和分壓的比例，就可以計算當前的系統(tǒng)電壓即蓄電池電壓，即：

　　這里對系統(tǒng)電壓測量的總誤差為Bandgap的誤差加上分壓網(wǎng)絡的電壓誤差，即2.2% + 5% = 7.2%。

　　3.4 產(chǎn)線上的持續(xù)改進

　　在成本允許的情況下，圖3描述了持續(xù)改進的方法。

　　圖3在圖2的基礎上增加了分壓電路(R3和R4)，以避開S12ZVM內部分壓電路帶來的誤差。這時系統(tǒng)電壓的總測量誤差為外部分壓電路的誤差加上Bandgap的誤差，參考圖1和圖2，總誤差為1% + 1% + 2.2% = 4.2%。

　　值得一提的是，如果我們在生產(chǎn)測試環(huán)節(jié)給系統(tǒng)提供精確的+12V，并測量電路板上R3與R4之間的電壓，就可以得到更為精確的分壓比，從而把分壓電路的誤差從2%降至更低。

　　4 內部參考時鐘的頻率精度及校準

　　在很多應用中，單片機會以內部參考時鐘作為時鐘基準。內部參考時鐘的精度一般受三個因素的影響：制造工藝(即個體差異)、溫度以及電壓。其中個體差異帶來的偏差較大(有時可能在+/-20%之間);環(huán)境溫度(-40～+125℃)對內部參考時鐘的影響一般不大于2%;通常在汽車應用中，溫度對電源的影響較小，所以由溫度引起的電源波動繼而對內部參考時鐘的影響可以忽略不計。

　　在LIN總線的應用中，LIN對結點時鐘精度的要求是主機(對標稱值的偏差)在+/-0.5%以內，從機在+/-1.5%以內^[4]。所以在一些基于電機控制的應用中，如汽車天窗、油泵等，為保證霍爾信號測量的精度，以及LIN總線的通信時鐘精度，我們需要對內部時鐘作校準(即trim)。