SEMI在敦促美國政府修訂半導體設備出口管制清單上取得突破性進展。據(jù)悉，美國商務部工業(yè)與安全局(BIS)即日將正式發(fā)文宣布，認可國外(中國)存在各向異性等離子干法刻蝕設備，這類設備在ECCN編號為3B001.c。BIS將表明，中國有和美國ECCN3B001.c性能相當?shù)目涛g設備技術能力，因此，基于這項編碼的美國國家安全出口管制將失效。

　　這一禁令已經(jīng)持續(xù)20多年，取消這條禁令十分必要，這可以充分證明中國本土公司已經(jīng)可以制造出與美國公司性能相當?shù)?a class="contentlabel" href="http://m.ptau.cn/news/listbylabel/label/半導體">半導體刻蝕設備。同時，也為瓦森納協(xié)議(Wassenaar Arrangement)在全球貿(mào)易中解除相關管制條例做好了準備。

　　SEMI長期以來一直敦促美國政府修訂出口管制清單，支持自由貿(mào)易和開放市場，促進全球半導體產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。而這次突破性進展除了對中國企業(yè)的認可外，對于美國和日本的主要設備供應商也是一個大的利好。

　　背景

　　2014年7月16日，半導體設備和材料協(xié)會(SEMI)向BIS申請，表示中國存在有各向異性等離子干蝕刻設備，這類型的設備在美國ECCN出口管制制度中編號為3B001.c。它用在雙重用途的半導體設備制造過程，例如閃存、微波單片集成電路、晶體管以及模擬 - 數(shù)字轉(zhuǎn)換器。這些設備用于民用和軍事應用，例如雷達、點對點無線電通信、微處理器、蜂窩基礎設施和衛(wèi)星通信。SEMI認為，中國同等質(zhì)量的各向異性等離子干法刻蝕設備足以使美國ECCN 3B001.c類別的出口管制失效。

　　SEMI提交該提案之后， BIS于2014年9月8日正式啟動評估。BIS收集的數(shù)據(jù)分析結(jié)果通過了評估，表明中國有和美國ECCN3B001.c質(zhì)量一致的刻蝕設備，這樣，基于這項編碼的美國國家安全出口管制將失效。