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POWER MOSFET驅(qū)動電路應(yīng)用實例

作者: 時間:2012-01-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1.主要參數(shù)及特性

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/231335.htm

MOSFET是由電壓控制型器件,輸入柵極電壓VG控制著漏極電流ID,即一定條件下,漏極電流ID取決于柵極電壓VG。極限參數(shù)有:最大漏源電壓VDS、最大柵源電壓VGS、最大漏極電流ID,最大功耗PD。在使用中不能超過極限值,否則會損壞器件。主要電特性有:開啟電壓VGS(Th);柵極電壓為零時的IDSS電流;在一定的VGS條件下的導(dǎo)通電阻RDS(ON)。

2.基于開關(guān)電源IC3843

POWER MOSFET驅(qū)動電路應(yīng)用實例

HS70N06VGS一般3.1V就可以完全開啟,也有很低的導(dǎo)通電阻RDS(ON),像3843這類內(nèi)部帶圖騰柱的IC一般都可以很輕松的驅(qū)動它.柵極電阻的選擇范圍也比較大,一般可以從幾歐到幾百歐.

3.基于MCU圖騰

POWER MOSFET驅(qū)動電路應(yīng)用實例

MCU的工作電壓都比較低(一般都在5.5V以下),不能直接驅(qū)動HS80N75或者說驅(qū)動能力很差.所以我們一般選擇增加外部圖騰驅(qū)動電路.

4.基于逆變器輸出驅(qū)動電路

POWER MOSFET驅(qū)動電路應(yīng)用實例

5.基于HID安定器全橋驅(qū)動電路

POWER MOSFET驅(qū)動電路應(yīng)用實例

6.基于DCBL馬達(dá)驅(qū)動電路

POWER MOSFET驅(qū)動電路應(yīng)用實例

在這種通電方式里,每瞬間均有三只MOSFET通電.每60o換相一次,每次有一個MOSFET換相,每個MOSFET通電180o.


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