0 引言

　　半導體功率器件按材料劃分大體經(jīng)歷了三個階段。第一代半導體功率器件以Si雙極型功率晶體管為主要代表，主要應用在S波段及以下波段中。Si雙極型功率晶體管在L波段脈沖輸出功率可以達到數(shù)百瓦量級，而在S波段脈沖功率則接近200W。第二代半導體功率器件以GaAs場效晶體管為代表，其最高工作頻率可以達到30～100 GHz。GaAs場效應晶體管在C波段最高可輸出功率接近100W，而在X波段則可達到25 W。第三代半導體功率器件以SiC場效應晶體管和GaN高電子遷移率晶體管為主要代表。同第一代、第二代半導體材料相比，SiC和GaN半導體材料具有寬禁帶、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率以及抗輻射能力強等優(yōu)點，特別適合應用于高頻、高功率、抗輻射的功率器件，并且可以在高溫惡劣環(huán)境下工作。由于具備這些優(yōu)點，寬禁帶半導體功率器件可以明顯提高電子信息系統(tǒng)的性能，廣泛應用于人造衛(wèi)星、火箭、雷達、通訊、戰(zhàn)斗機、海洋勘探等重要領域。

　　本文基于Agilent ADS仿真軟件設計實現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細說明設計步驟并對放大器進行了測試，結果表明放大器可以在2.3～2.4 GHz內實現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過67%的輸出。

　　1 GaN寬禁帶功率放大器的設計

　　1.1 放大器設計指標

　　在2.3～2.4 GHz工作頻段內，要求放大器連續(xù)波工作，輸出功率大于10 W，附加效率超過60%。

　　1.2 功率管的選擇

　　根據(jù)放大器要求的設計指標，設計選用的是某進口公司提供的SiC基GaN寬禁帶功率管，其主要性能參數(shù)見表1。

　　1.3 放大器電路設計

　　圖1為功率放大器原理框圖。圖1中，IMNBias和OMNBias分別為輸入匹配網(wǎng)絡及輸入偏置電路和輸出匹配網(wǎng)絡及偏置電路，VGS和VDS分別為柵極-源極工作電壓和漏極-源極工作電壓。采取的設計思路是：對功率管進行直流分析確定放大器靜態(tài)工作電壓;進行穩(wěn)定性分析和設計;利用源牽引(Source Pull)和負載牽引(Load Pull)方法確定功率管匹配電路的最佳源阻抗ZS和最佳負載阻抗ZL(ZS和ZL的定義見圖1);

　　根據(jù)獲得的源阻抗與負載阻抗進行輸入、輸出匹配電路設計以及偏置電路設計;加工、調試及改版。

　　1.3.1 直流分析

　　對功率放大器進行直流分析的目的是通過功率管的電流-電壓(I-V)曲線確定功率管的靜態(tài)工作電壓。由于廠家提供了功率管的ADS模型，因此設計中直接利用該模型進行仿真設計(下同)。

　　圖2為在Agilent ADS軟件中對器件模型進行直流分析的結果。根據(jù)廠家給出的器件規(guī)格參數(shù)以及圖2中的I-V曲線，選用VDS=28 V，VGS=-2.5 V作為放大器的工作電壓。為使放大器能夠實現(xiàn)較高的效率，這里選取靜態(tài)電壓讓放大器在C類條件下工作。

　　1.3.2 穩(wěn)定性分析

　　穩(wěn)定性是放大器設計中需要考慮的關鍵因素之一，它取決于晶體管的S參數(shù)和置端條件。功率放大器的不穩(wěn)性將產(chǎn)生不希望出現(xiàn)的寄生振蕩，導致結果失真，甚至設計失敗。因此，在進行放大器阻抗匹配電路設計之前，必須進行穩(wěn)定性分析與設計。

　　圖3給出了功率管穩(wěn)定系數(shù)隨頻率的變化曲線。圖3中，穩(wěn)定系數(shù)K與D分別定義為：

　　從圖3可以看出，在設計頻段內穩(wěn)定系數(shù)K和D分別滿足大于1和小于