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肖特基二極管是如何工作的

作者:Edwin Robledo 時(shí)間:2025-03-19 來源:EEPW編譯 收藏

以下是關(guān)于肖特基的一切知識(shí)。了解肖特基在射頻電路、發(fā)電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的工作原理,以及它們的低正向電壓降和快速開關(guān)速度。與其他一樣,肖特基二極管控制電路中電流的流向。這些器件在電子世界中就像單行道,只允許電流從陽極流向陰極。然而,與標(biāo)準(zhǔn)二極管不同,肖特基二極管以其低正向電壓和快速開關(guān)能力而聞名。這使得它們成為射頻應(yīng)用以及任何低電壓需求設(shè)備的理想選擇。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202503/468340.htm

肖特基二極管有多種用途,包括:

1. 電源整流:由于低正向電壓降,肖特基二極管可用于高功率應(yīng)用。這些二極管會(huì)浪費(fèi)更少的功率,并且可能減小散熱器的尺寸。

2. 多電源系統(tǒng):肖特基二極管還可以在雙電源設(shè)置中幫助分離電源,例如在市電和電池供電的情況下。

3. 太陽能電池:肖特基二極管可以通過其低正向電壓降來最大化太陽能電池的效率。它們還可以防止電池反向充電。

4. 電壓鉗制:肖特基二極管還可以用作晶體管電路中的鉗制器件,例如在74LS或74S邏輯電路中。

肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)

使用肖特基二極管的主要優(yōu)勢之一是其低正向電壓降。這使得肖特基二極管比標(biāo)準(zhǔn)二極管消耗的電壓更少,其結(jié)電壓僅為0.3-0.4V。從下面的圖表中可以看出,肖特基二極管的正向電壓降約為0.3V時(shí),電流就會(huì)顯著增加。而標(biāo)準(zhǔn)二極管的電流增加則需要到0.6V左右才會(huì)發(fā)生。

Schottky Diode forward voltage and current


在下面的圖中,我們展示了兩個(gè)電路,以說明低正向電壓降的好處。左邊的電路包含一個(gè)普通二極管,而右邊的電路是一個(gè)肖特基二極管。兩者都由一個(gè)2V直流電源供電。

Conventional diode vs. Schottky Diode


普通二極管消耗了0.7V,只剩下1.3V用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載。而由于其低正向電壓降,肖特基二極管僅消耗0.3V,剩下1.7V用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載。如果我們的負(fù)載需要1.5V,那么只有肖特基二極管能夠勝任。使用肖特基二極管而不是普通二極管的其他優(yōu)勢包括:

  • 更快的恢復(fù)時(shí)間:肖特基二極管內(nèi)部存儲(chǔ)的電荷較少,使其非常適合高速開關(guān)應(yīng)用。

  • 更低的噪聲:與典型的p-n結(jié)二極管相比,肖特基二極管會(huì)產(chǎn)生更少的不必要噪聲。

  • 更好的性能:肖特基二極管消耗的功率更少,并且能夠輕松滿足低電壓應(yīng)用的要求。

關(guān)于肖特基二極管,也有一些缺點(diǎn)需要注意。反向偏置的肖特基二極管會(huì)經(jīng)歷比傳統(tǒng)二極管更高的反向電流水平。這會(huì)導(dǎo)致在反向連接時(shí)漏電更多。肖特基二極管的最大反向電壓也比標(biāo)準(zhǔn)二極管低,通常不超過50V。一旦超過這個(gè)值,肖特基二極管就會(huì)擊穿,并開始在反向方向傳導(dǎo)大量電流。然而,即使在達(dá)到這個(gè)反向電壓值之前,肖特基二極管仍然會(huì)像其他二極管一樣漏出少量電流。

肖特基二極管的工作原理

普通二極管通過結(jié)合p型和n型半導(dǎo)體形成p-n結(jié)。在肖特基二極管中,金屬取代了p型半導(dǎo)體。這種金屬可以是鉑、鎢、鉬、金等。當(dāng)金屬與n型半導(dǎo)體結(jié)合時(shí),會(huì)形成一個(gè)m-s結(jié)。這種結(jié)被稱為肖特基勢壘。肖特基勢壘的行為會(huì)根據(jù)二極管是處于無偏置、正向偏置還是反向偏置狀態(tài)而有所不同。


無偏置狀態(tài)

在無偏置狀態(tài)下,自由電子會(huì)從n型半導(dǎo)體向金屬移動(dòng),以建立平衡。這種電子的流動(dòng)形成了肖特基勢壘,即負(fù)離子和正離子相遇的地方。自由電子需要比其內(nèi)建電壓更高的外部能量才能克服這個(gè)勢壘。

Unbiased Schottky Diode


正向偏置狀態(tài)

將電池的正極連接到金屬端,負(fù)極連接到n型半導(dǎo)體端,就會(huì)形成正向偏置狀態(tài)。在這種狀態(tài)下,如果施加的電壓大于0.2伏特,電子就可以從n型半導(dǎo)體穿過結(jié)到達(dá)金屬。這會(huì)產(chǎn)生電流流動(dòng),這是大多數(shù)二極管的典型行為。

Forward biased Schottky Diode


反向偏置狀態(tài)

將電池的負(fù)極連接到金屬端,正極連接到n型半導(dǎo)體端,就會(huì)形成反向偏置狀態(tài)。在這種狀態(tài)下,肖特基勢壘會(huì)擴(kuò)展,從而阻止電流的流動(dòng)。然而,如果反向偏置電壓持續(xù)增加,最終可能會(huì)擊穿這個(gè)勢壘。一旦擊穿,電流將能夠在反向方向流動(dòng),并且可能會(huì)損壞器件。

REverse biased Schottky Diode


肖特基二極管的制造與參數(shù)

制造肖特基二極管有多種方法。最簡單的方法是將金屬絲與半導(dǎo)體表面接觸,這種方法被稱為點(diǎn)接觸。雖然仍有一些肖特基二極管采用這種方法制造,但它以可靠性不高而聞名。

Point contact diode


肖特基二極管的制造與參數(shù)

制造肖特基二極管最流行的技術(shù)是利用真空將金屬沉積到半導(dǎo)體表面。然而,這種方法存在一個(gè)問題,即金屬邊緣可能會(huì)因?yàn)榘雽?dǎo)體板周圍的電場效應(yīng)而被擊穿。為了解決這一問題,制造商會(huì)在半導(dǎo)體板上添加一個(gè)氧化物保護(hù)環(huán)。增加這個(gè)保護(hù)環(huán)有助于提高反向擊穿閾值,并防止結(jié)被物理損壞。

控制電流流動(dòng)

計(jì)劃從事需要低電壓運(yùn)行的射頻或電源應(yīng)用項(xiàng)目嗎?肖特基二極管是不二之選!這些二極管以其低正向電壓降和快速開關(guān)速度而聞名。無論是在太陽能電池還是電源整流中使用,肖特基二極管的低0.3V電壓降和額外的效率都是無可比擬的。Autodesk EAGLE已經(jīng)包含了大量免費(fèi)的肖特基二極管庫,隨時(shí)可供使用。無需自行創(chuàng)建。今天就免費(fèi)下載Autodesk Fusion吧!





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