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ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET 以小尺寸實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻

—— 以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻
作者: 時間:2023-08-09 來源:電子產品世界 收藏

~非常適用于通信基站和工業(yè)設備等的風扇電機,有助于設備進一步降低功耗和節(jié)省空間~

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202308/449455.htm

 

全球知名半導體制造商(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設備等的風扇電機驅動應用,開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET*1一體化封裝的雙MOSFET新產品。新產品分為HP8KEx/HT8KExNch+Nch)系列和“HP8MExNch+Pch*2)系列個系列,共5款新機型

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近年來,在通信基站和工業(yè)設備領域,為了降低電流值、提高效率,以往的12V24V系統(tǒng)逐漸被轉換為48V系統(tǒng),電源電壓呈提高趨勢。此外,用來冷卻這些設備的風扇電機也使用的是48V系統(tǒng)電源,考慮到電壓波動,起到開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面,提高耐壓意味著與其存在權衡關系的導通電阻也會提高,效率會變差,因此,如何同時兼顧更高耐壓和更低導通電阻,是一個很大的挑戰(zhàn)。風扇電機通常會使用多個MOSFET進行驅動,為了節(jié)省空間,對于將兩枚芯片一體化封裝的雙MOSFET的需求增加。

在這種背景下,采用新工藝開發(fā)出NchPchMOSFET芯片,并通過采用散熱性能出色的背面散熱封裝形式,開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻的新系列產品。

新產品通過采用新工藝和背面散熱封裝,實現(xiàn)了業(yè)界超低的導通電阻(Ron*3Nch+Nch產品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。與普通的雙MOSFET相比,導通電阻降低達56%,非常有助于進一步降低應用設備的功耗。另外,通過將兩枚芯片一體化封裝,可以減少安裝面積,有助于應用設備進一步節(jié)省空間。例如HSOP8封裝的產品,如果替換掉兩枚單MOSFET(僅內置1枚芯片的TO-252封裝),可以減少77%的安裝面積。

新產品已于20237月開始暫以月產100萬個(樣品價格 550日元/個,不含稅)的規(guī)模投入量產。另外,新產品已經開始通過電商進行銷售,通過Ameya360電商平臺均可購買。

目前,ROHM正在面向工業(yè)設備領域擴大雙MOSFET的耐壓陣容,同時也在開發(fā)低噪聲產品。未來,將通過持續(xù)助力各種應用產品進一步降低功耗并節(jié)省空間,為解決環(huán)境保護等社會問題不斷貢獻力量。 

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<產品陣容>

Nch+Nch MOSFET

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Nch+Pch MOSFET

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* 預計產品陣容中將會逐步增加40V、60V80V、150V產品。


<應用示例>

?通信基站用風扇電機

?FA設備等工業(yè)設備用風扇電機

?數據中心等服務器用風扇電機

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<通過與預驅動器IC相結合,為電機驅動提供更出色的解決方案>

ROHM通過將新產品與已具有豐碩實際應用業(yè)績的單相和三相無刷電機用預驅動器IC相結合,使電機電路板的進一步小型化、低功耗和靜音驅動成為可能。通過為外圍電路設計提供雙MOSFET系列和預驅動器IC相結合的綜合支持,為客戶提供滿足其需求且更出色的電機驅動解決方案。

 

100V耐壓雙MOSFET相結合的示例

■HT8KE5Nch+Nch MOSFET)和BM64070MUV(三相無刷電機用預驅動器IC

■HP8KE6Nch+Nch MOSFET)和BM64300MUV(三相無刷電機用預驅動器IC)等

 

<電商銷售信息>

開始銷售時間:20238月起

網售平臺:Ameya360

新產品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

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<電機用新產品的規(guī)格書數據下載頁面>

ROHM官網可以下載包括新產品在內的低耐壓、中等耐壓和高耐壓MOSFET的規(guī)格書。 

 

<術語解說>

*1) MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫)

金屬-氧化物-半導體場效應晶體管,是FET中最常用的結構。被用作開關器件。

 

*2) Pch MOSFETNch MOSFET

Pch MOSFET:通過向柵極施加相對于源極為負的電壓而導通的MOSFET??捎帽鹊陀谳斎腚妷旱偷碾妷候寗?,因此電路結構較為簡單。

Nch MOSFET:通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。相比Pch MOSFET,漏極與源極之間的導通電阻更小,因此可減少常規(guī)損耗。

 

*3) 導通電阻(Ron

使MOSFET啟動(ON)時漏極與源極之間的電阻值。該值越小,運行時的損耗(電力損耗)越少。



關鍵詞: ROHM 雙MOSFET

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