存儲器是一類存儲介質，根據實現的技術和用途不同，存儲器具有很多不同的分類。為增進大家對存儲器的認識，本文將對快閃存儲器的相關內容予以介紹。如果你對存儲器、快閃存儲器具有興趣，不妨和小編一起來繼續(xù)往下閱讀哦。

從智能手機、筆記型電腦、以及與各種云端應用相關的服務器，快閃存儲器儲存已經在我們的現實世界中無處不在?？扉W存儲器技術已經如此普遍，我們大多數人甚至都沒有意識到快閃存儲器技術本質上并不是一種可靠的儲存媒介。實際上，快閃存儲器單元的使用壽命有限，快閃存儲器的特性意味著需要強大的磨損平衡(Wear-Leveling)技術以便使其有更好的性能表現。

業(yè)界的好消息是，現代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術已經有顯著進步，能夠克服快閃存儲器儲存介質固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進行應用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。

這對于終端用戶和設備制造商來說是項重大的裨益，因為只要選用合適的高品質控制器，低成本、高容量、多級單元的MLC快閃存儲器儲存器就可以大幅使用在更關鍵的應用中。

由于當今接觸到的所有電子設備幾乎都在使用快閃存儲器儲存器，我們很容易忘記這項技術本身其實是一種苛求完美的媒介，面臨許多可靠性的挑戰(zhàn)。

P/E次數有限為最大挑戰(zhàn)雖然快閃存儲器儲存單元可讀取接近無限次數，但是它們被編程或擦除(P/E)的次數卻很有限?？扉W存儲器被編程或擦除的耐久性取決于快閃存儲器儲存器的類型，一般來說，對于SSD或eMMC等大多數采用NAND快閃存儲器儲存設備而言，其中所使用的是商用MLC型快閃存儲器儲存器，通常每個單元只有數千個編程或擦除周期。

盡管快閃存儲器在讀取時沒有太多問題，但快閃存儲器寫入過程的涉入程度更高?？扉W存儲器可以在頁面級寫入，大小以千位元為單位。數據在正確寫入之前，頁面必須要維持凈空。不幸的是，快閃存儲器儲存器每次只能擦除一個區(qū)塊，其大小為百萬位元。因此，寫入快閃存儲器儲存器之前首先需要擦除包含頁面在內的大區(qū)塊存儲器。由于更新快閃存儲器某個單元就必須更新區(qū)塊中的所有單元，如此將縮短總體使用壽命。此過程通常被稱為寫入擴增(Write AmplificaTIon)。

為了減少快閃存儲器儲存器單元的磨損，所有快閃存儲器儲存設備必須使用磨損平衡技術。這些技術旨在驅動器上均勻地分散磨損，以最大幅度提高系統(tǒng)的耐久性。在DRAM、SRAM或未使用的快閃存儲器單元中的臨時緩沖區(qū)都可用來跟蹤驅動器下一步要寫入的位置以及需要擦除的舊位置。

快閃存儲器驅動器的另一個主要問題是電源故障保護。臨時緩沖區(qū)包含驅動器下一步應該寫入的數據以及必須擦除的舊位置等訊息，這些訊息儲存在容易流失的存儲器中，在此情況下，突然斷電會導致緩沖區(qū)被擦除，使得傳送數據失敗造成災難性的損失。

隨著光刻制程尺寸的降低以及快閃存儲器儲存器密度和性能的提高，影響快閃存儲器可靠性的最后一個問題是不斷增加的錯誤數量。最初的快閃存儲器驅動器使用單級單元(SLC)快閃存儲器，其中每個單元儲存一位元，但現代快閃存儲器驅動器通常將一個快閃存儲器單元分成多個位元，即MLC/TLC快閃存儲器。每個物理單元支持更多字節(jié)以增大儲存密度，但是會降低每個字節(jié)開/關狀態(tài)之間的閾值。這不僅會增大誤碼率，而且降低使用壽命。隨著光刻制程尺寸的減小，快閃存儲器密度會進一步提高，錯誤率也會增大。

高級控制器技術提升可靠度盡管快閃存儲器儲存可靠性面臨著上述挑戰(zhàn)，但我們仍然能夠將其用于日常的消費類、商業(yè)類甚至關鍵任務性的應用，這方面主要得益于先進的快閃存儲器控制器技術。這些控制器結合了在磨損平衡、電源故障管理和糾錯等方面的先進技術，使我們能夠安全可靠地使用當今的高密度快閃存儲器。