国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 光電芯片制造重大突破!我國科學家首獲納米級光雕刻三維結構

光電芯片制造重大突破!我國科學家首獲納米級光雕刻三維結構

作者: 時間:2022-09-20 來源:快科技 收藏

  從技術競爭的角度來看,光芯片被認為是與國外研究進展差距最小的芯片技術,被寄予了中國“換道超車”的希望。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202209/438369.htm

  據媒體報道,9月14日晚,我國科學家在國際頂級學術期刊《自然》發(fā)表了最新研究,首次得到納米級三維結構,在下一代制造領域的獲得重大突破。

  這一重大發(fā)明,未來或可開辟制造新賽道,有望用于光電調制器、聲學濾波器、非易失鐵電存儲器等關鍵光電器件芯片制備,在5G/6G通訊、光計算、人工智能等領域有廣泛的應用前景。

  據介紹,南京大學張勇、肖敏、祝世寧領銜的科研團隊,發(fā)明了一種新型“非互易飛秒激光極化鐵電疇”技術,將飛秒脈沖激光聚焦于材料“鈮酸鋰”的晶體內部,通過控制激光移動的方向,在晶體內部形成有效電場,實現三維結構的直寫和擦除。

  這一新技術突破了傳統(tǒng)飛秒激光的光衍射極限,把鈮酸鋰三維結構的尺寸,從傳統(tǒng)的1微米量級(相當于頭發(fā)絲的五十分之一),首次縮小到納米級,達到30納米,大大提高了加工精度。



關鍵詞: 光電芯片 光雕刻

評論


技術專區(qū)

關閉