力科近日宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測(cè)試軟件，與高精度示波器 (HDO) 結(jié)合使用時(shí)，可提供最準(zhǔn)確的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體器件的電氣特性表征。

三十多年來(lái)，工程師們一直在使用硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 功率半導(dǎo)體器件來(lái)生產(chǎn)電源和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。然而，消費(fèi)者需要體積更小、重量更輕的電源和系統(tǒng)，而政府要求更高的效率。寬禁帶 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，開關(guān)速度比 Si 快十倍以上，并且在提高效率的同時(shí)減小了尺寸和重量。工程師采用寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)，需要更大的測(cè)量帶寬，以對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行更準(zhǔn)確和詳細(xì)的分析。

力科新型DL-ISO高壓光隔離探頭為設(shè)計(jì)工程師提供了最可靠的 GaN 和SiC 功率半導(dǎo)體器件測(cè)量。新探頭配合力科業(yè)界領(lǐng)先的12 位分辨率HDO示波器具有最佳的信號(hào)保真度、最低的過(guò)沖和最佳的準(zhǔn)確度1.5%，幾乎是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的兩倍。

1 GHz 帶寬滿足測(cè)量 GaN 器件1 ns 上升時(shí)間的要求。 HDO示波器還在12 位分辨率下提供高達(dá)20 GS/s 的采樣率，以捕獲和顯示最真實(shí)的高速 GaN 和 SiC 器件信號(hào)。這種最佳信號(hào)保真度、低過(guò)沖、高精度、高帶寬和高采樣率的組合對(duì)于在新設(shè)計(jì)中成功實(shí)施 GaN 和SiC 技術(shù)至關(guān)重要。

力科新的功率器件軟件包自動(dòng)執(zhí)行JEDEC開關(guān)損耗和其他測(cè)量，以顏色編碼突出顯示相關(guān)的測(cè)量區(qū)域，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了 GaN 和SiC 器件的分析。