長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（CXMT）已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)基于 19nm 工藝的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器，且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級(jí)制程的路線圖，計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)各種類型的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）。為了提升產(chǎn)量，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還計(jì)劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國(guó)制造 2025 項(xiàng)目的一部分，其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。

目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的月產(chǎn)能約為 2 萬(wàn)片晶圓，但隨著該公司訂單量的增長(zhǎng)，產(chǎn)量也將逐漸提升。預(yù)計(jì)到 2020 年底，其 10nm 級(jí)工藝技術(shù)的產(chǎn)能為 12 萬(wàn)片晶圓（12 英寸），媲美 SK 海力士在中國(guó)無(wú)錫的工廠。

CXMT 正在使用其 10G1 技術(shù)（19 nm 工藝）來(lái)制造 4 Gb 和 8 Gb DDR4 存儲(chǔ)器芯片，目標(biāo)在 2020 年第一季度將其商業(yè)化并投放市場(chǎng)，該技術(shù)將用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存儲(chǔ)器。

從路線圖來(lái)看，CXMT 還規(guī)劃了針對(duì) DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及 LPDDR5 的 10G3（17 nm 工藝）產(chǎn)品。盡管目前尚無(wú)法撼動(dòng)業(yè)內(nèi)老牌競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但該公司相當(dāng)重視創(chuàng)新工藝的研發(fā)和產(chǎn)能的擴(kuò)張。

預(yù)計(jì) CXMT 10G5 工藝將使用 HKMG 和氣隙位線技術(shù)，并在遠(yuǎn)期使用柱狀電容器、全能柵極晶體管、以及極紫外光刻（EUVL）工藝。

盡管該公司計(jì)劃于 2019 年初開(kāi)始生產(chǎn) DDR4 內(nèi)存，但新路線圖已經(jīng)推遲了一年。最后，該公司還計(jì)劃再建兩座 DRAM 晶圓廠。