新華社消息，在合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片制造項目宣布投產，其與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。

該項目2016年5月由合肥市政府旗下合肥產投與兆易創(chuàng)新共同出資組建。目前，項目已獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明介紹，長鑫存儲投產的8Gb DDR4通過了多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。

長鑫存儲副總裁平爾萱日前在另一場合表示，公司已經成功把從奇夢達獲得的46納米堆棧式DRAM平穩(wěn)過度到10納米級別，公司甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技術和新工藝在DRAM上的實現(xiàn)，力爭未來成為存儲領域的領先者。