開關電源損耗分析、吸收電路的分析
開關損耗
本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201808/384926.htmMOS
開關損耗的組成
開關功耗 PS

對感性負載

通態(tài)功耗 PON

斷態(tài)損耗 POFF 一般忽略
驅動損耗 PGATE 根據不同器件確定
吸收回路的損耗 根據具體的吸收回路及其參數(shù)而定
MOSFET 、IGBT等壓控器件的驅動 損耗要小于電流型驅動器件
二極管
二極管的損耗在高頻下是重要的損耗


一般二級管: trr為1-10微秒,可用于低頻整流;
快恢二極管:trr小于1個微秒;
超快恢二級管trr小于100納秒(外延法制造)。
肖特基二級管trr在10納秒左右
二極管的關斷過程

吸收回路
RCD snubber

舉例:已知變換器Vce = 200V, tf = 0.2μs , tr = 0.05μs , 工作頻率100kHz ,晶體管集電極電流Ic=2A, 求變換器的開關晶體管緩沖器的有關參數(shù).

RCD snubber的等效接法

復合snubber電路
同時進行電壓緩沖和電流緩沖,主要是減小器件開通時的di/dt和關斷時的dv/dt,使導通和關斷過程的損耗均有所降低。

無損snubber電路

評論