国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 淺析Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)

淺析Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)

作者: 時(shí)間:2018-07-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤等。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201807/383768.htm

1989年,東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。經(jīng)過十幾年的發(fā)展,NAND應(yīng)用越來越廣泛,但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些:分區(qū)、ECC糾錯(cuò)、壞塊管理等。只有真正了解NAND特性的工程師,才能在應(yīng)用上得心應(yīng)手,不會(huì)被Nand Flash所絆倒。

一、分區(qū)

定義分區(qū)的實(shí)質(zhì)是定義數(shù)據(jù)會(huì)如何寫入NAND Flash,不同內(nèi)容的數(shù)據(jù)寫到對(duì)應(yīng)的地址中。一般用戶會(huì)有多個(gè)區(qū),比如boot、kernel、fs、user等分區(qū)。

分區(qū)的描述:分區(qū)的地址范圍(起始?jí)K、結(jié)束塊),鏡像文件大小(Image Size)。

分區(qū)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ):鏡像文件是從分區(qū)的起始?jí)K開始存放,如果分區(qū)中有壞塊,將使用壞塊處理策略替換壞塊,直到鏡像文件結(jié)束,如果分區(qū)中不夠好塊存放鏡像文件,則燒錄失敗。

如下圖是跳過壞塊的鏡像文件分區(qū)燒寫示意圖:

二、ECC(錯(cuò)誤更正)算法

ECC 存在于NAND 每頁的備用區(qū)(Spare Area)中,它允許外部系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)主區(qū)的數(shù)據(jù)是否有誤。在大多數(shù)情況下,ECC 算法可以糾正誤碼,在使用中也可能會(huì)出現(xiàn)壞塊,所以ECC是非常有必要的。

不同的用戶會(huì)可能會(huì)使用不同的ECC算法,一般來說ECC算法由處理器供應(yīng)商提供,如果器軟件中無這個(gè)ECC算法,則需要用戶提供ECC算法源代碼。

如果用戶不使用調(diào)入文件,而是使用讀母片的方式燒錄,并且無動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù),則可以不考慮ECC算法,因?yàn)槟钙械膫溆脜^(qū)已計(jì)算好ECC,直接將母片的備用區(qū)拷貝至其他芯片即可。

三、壞塊管理

壞塊處理策略定義了在遇到壞塊時(shí)算法應(yīng)該如何處理,基本的壞塊處理策略有:跳過壞塊、替換表(預(yù)留塊區(qū)Reserve BlockArea,RBA)等等,下面分別對(duì)幾種壞塊處理方案進(jìn)行說明。

1) 硬拷貝

硬拷貝其實(shí)就是遇到壞塊什么都不處理,不管好塊還是壞塊直接燒寫按順序燒寫數(shù)據(jù),即使校驗(yàn)數(shù)據(jù)不一致也不報(bào)錯(cuò),這是最簡(jiǎn)單、直接的處理方法,但是只能適用于數(shù)據(jù)不需管理的方案;

2) 跳過壞塊

跳過壞塊就是燒錄數(shù)據(jù)時(shí),遇到壞塊即跳過此壞塊,將數(shù)據(jù)順延燒到下一個(gè)好塊,這樣可以保證所有的數(shù)據(jù)都能燒寫到NAND存儲(chǔ)空間中,但是并不知道數(shù)據(jù)究竟燒到了哪一位;

3) 替換表

此方法是將NAND存儲(chǔ)空間中預(yù)留出一些塊作為保留塊,當(dāng)遇到壞塊時(shí),在預(yù)留的保留塊中選一個(gè)塊來替換壞塊,將原來寫到壞塊的數(shù)據(jù)寫到替換塊中;

4) BBT(Bad block table)

此方法核心是跳過壞塊,但是跳過后需要在NAND閃存指定位置寫入一個(gè)壞塊表(Bad block table),下圖是BBT的結(jié)構(gòu)圖。

NAND應(yīng)用需要注意的點(diǎn)大致整理如上,實(shí)際使用中會(huì)有靈活的應(yīng)用方案,需要熟知NAND特性、器原理的工程師才能設(shè)計(jì)出合適的方案加以運(yùn)用。P800Flash極速器融合了ZLG致遠(yuǎn)電子三代Flash編程器的特點(diǎn),全面支持eMMC、NOR、NAND Flash的燒錄,可提供完善的編程解決方案。



關(guān)鍵詞: NandFlash 編程 難點(diǎn)

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉