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寡頭壟斷的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),美國(guó)是不可替代的嗎?

作者: 時(shí)間:2018-07-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
編者按:縱觀全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),美日荷爭(zhēng)霸, 高度壟斷, 強(qiáng)者恒強(qiáng),目前確實(shí)無法替代。

  自2014年《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)布和大基金成立以來,國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼,一時(shí)間各地競(jìng)相掀起廠建設(shè)潮。集成電路離不開廠,而廠離不開設(shè)備和材料。中興事件和中美貿(mào)易摩擦以來,集成電路的重要性逐漸為人們所認(rèn)知,再加上著名的“瓦森納協(xié)議”,作為集成電路產(chǎn)業(yè)的基石,制造設(shè)備的重要性不言而喻,也對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的安全敲響了警鐘。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201807/383386.htm

  那么,美國(guó)的設(shè)備是否就是不可替代的?

  半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)美日荷爭(zhēng)霸,高度壟斷

  半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)壁壘極高,龍頭公司起步較早,整個(gè)行業(yè)高度壟斷、強(qiáng)者恒強(qiáng)。目前主要被美國(guó)、日本和荷蘭的巨頭壟斷,他們起步較早,伴隨著整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起成長(zhǎng),相應(yīng)產(chǎn)品也已經(jīng)成為事實(shí)上的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),其他設(shè)備公司無論資金、技術(shù)、研發(fā)能力、市場(chǎng)地位等各個(gè)方面,都與排名靠前的國(guó)際巨頭差距較大。


  根據(jù)Gartner、長(zhǎng)江證券研究所的數(shù)據(jù),晶圓處理設(shè)備占整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)超過 80%的份額,而2016年晶圓處理設(shè)備廠商前 10 強(qiáng)的市場(chǎng)份額合計(jì)達(dá) 78.6%,美國(guó)占據(jù) 3 家并均進(jìn) 入前 5,日本 5 家,荷蘭 2 家。全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),美國(guó)、日本和荷蘭三強(qiáng) 爭(zhēng)霸,美國(guó)最強(qiáng),日本其次,荷蘭的光刻和后道封裝設(shè)備最強(qiáng)。

  排名前 10 的公司中, 美國(guó)公司雖然數(shù)量上比日本公司少,但全部進(jìn)入了前 5 名,總營(yíng)收比日本公司高較多。全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),美國(guó)、日本和荷蘭三強(qiáng)爭(zhēng)霸,其中,美國(guó)最強(qiáng),日本其次, 而荷蘭的光刻和后道封裝設(shè)備最強(qiáng)。

  美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢(shì)

  長(zhǎng)江證券研究所分析師指出,美國(guó)的 PVD 設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備、離子注入設(shè)備和 CMP 設(shè)備等半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備,技術(shù)領(lǐng)先,在市場(chǎng)上占據(jù)近乎壟斷地位,短期內(nèi)難以被替代,且這幾類設(shè)備擁有較大的價(jià)值占比,應(yīng)重點(diǎn)發(fā)展。熱處理設(shè)備、CVD 設(shè)備、刻蝕設(shè)備和分選機(jī)美國(guó)公司也在市場(chǎng)和技術(shù)上領(lǐng)先,但其他國(guó)家尤其日本的技術(shù)實(shí)力也較強(qiáng),可在一定程度上替代美國(guó)產(chǎn)品,主要的選擇是東京電子、日立、迪恩士、東京精密等。氧化擴(kuò)散設(shè)備、涂膠顯影設(shè)備、去膠設(shè)備、光刻機(jī)、清洗設(shè)備、測(cè)試機(jī)和探針臺(tái),其他國(guó)家或國(guó)產(chǎn)設(shè)備不輸于甚至優(yōu)于美國(guó),或美國(guó)幾乎沒有相關(guān)產(chǎn)品,可以完全實(shí)現(xiàn)對(duì)美國(guó)的替代。



  國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備目前也已具備一定的競(jìng)爭(zhēng)力,例如Mattson的去膠設(shè)備、盛美半導(dǎo)體的清洗設(shè)備、中微半導(dǎo)體的介 質(zhì)刻蝕機(jī)和硅通孔設(shè)備、長(zhǎng)川科技的分選機(jī)、北京華峰和長(zhǎng)川科技的中低端測(cè)試機(jī)、上海微電子裝備的后道封裝光刻機(jī)等,都已經(jīng)在市場(chǎng)上直接和國(guó)外設(shè)備開展競(jìng)爭(zhēng),具有一定的競(jìng)爭(zhēng)力,在國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程中,有望取得領(lǐng)先。

  長(zhǎng)江證券研究所指出,對(duì)于美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的可替代性,可分為三類:較難替代、可部分替代、可完全替代。


  替代的難易程度,其實(shí)也正是由美國(guó)公司的技術(shù)和相應(yīng)產(chǎn)品在全球市場(chǎng)上的地位決定的。PVD、檢測(cè)、離子注入和 CMP 設(shè)備,美國(guó)公司技術(shù)領(lǐng)先,產(chǎn)品占據(jù)近乎壟斷的領(lǐng)先地位,其他國(guó)家的產(chǎn)品較難在短期內(nèi)替代美國(guó)產(chǎn)品,因此應(yīng)重點(diǎn)發(fā)展。而熱處理設(shè)備、CVD、刻蝕、分選機(jī),其他國(guó)家的產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)一定程度上的替代,美國(guó)公司技術(shù)領(lǐng)先,但領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)不明顯,市場(chǎng)存在競(jìng)爭(zhēng),如刻蝕設(shè)備 Lam 與東京電子存在競(jìng)爭(zhēng),CVD 設(shè)備應(yīng)用材料與東京電子存在競(jìng)爭(zhēng)。而氧化擴(kuò)散設(shè)備、涂膠顯影、去膠、光刻機(jī)、清洗、測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)等設(shè)備,其他國(guó)家的產(chǎn)品不輸于甚至優(yōu)于美國(guó)公司的產(chǎn)品,或者美國(guó)幾乎沒有相關(guān)產(chǎn)品,可實(shí)現(xiàn)對(duì)美國(guó)產(chǎn)品的完全替代。

  缺少美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展放緩但不會(huì)停止

  分析師認(rèn)為,如果缺少美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備,會(huì)立即減緩中國(guó)晶圓廠建設(shè)進(jìn)度,尤其是 14/28nm 等先進(jìn)工藝的晶圓廠,在PVD、檢測(cè)、離子注入和 CMP 設(shè)備上短期內(nèi)幾乎無設(shè)備可買。而刻蝕、CVD 設(shè)備等,如果晶圓廠建設(shè)之初采用了美國(guó)的設(shè)備方案,則需要重新選擇替代國(guó)設(shè)備或國(guó)產(chǎn)設(shè)備并進(jìn)行充分的驗(yàn)證。

  但這并不意味著美國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品不能替代,而是需花較長(zhǎng)時(shí)間來重新設(shè)計(jì)方案并進(jìn)行充分的設(shè)備驗(yàn)證、試錯(cuò)。這個(gè)過程會(huì)拖慢中國(guó)晶圓廠建設(shè)的進(jìn)度,少則一年、多則兩三年。對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),時(shí)間很寶貴,慢兩三年即意味著慢了一代工藝,對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響較大,尤其是目前全力追趕工藝的關(guān)鍵時(shí)期。目前,中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)落后國(guó)際先進(jìn)水平兩代以上,國(guó)際上 7nm 即將量產(chǎn),而國(guó)內(nèi)還正在研發(fā)14nm,28nm的良率依然無法很好控制。所以,對(duì)國(guó)際先進(jìn)工藝的追趕是一個(gè)長(zhǎng)期艱苦奮斗的過程,我們對(duì)此早已做好了充分的心理準(zhǔn)備,慢兩三年對(duì)我們可能會(huì)造成一定影響,但并不會(huì)阻止我們發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心。所以,這只會(huì)減緩中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,而不會(huì)使其停止。

  國(guó)內(nèi)部分在建晶圓產(chǎn)線中,8 英寸晶圓和 12 英寸晶圓的 28nm 以上工藝產(chǎn)線會(huì)受的影響較小,28nm 及以下工藝會(huì)受的影響較大。

  中美貿(mào)易摩擦和中興事件背景下,未來國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備必將得到更多的支持和試錯(cuò)機(jī)會(huì),將加速發(fā)展。此外,目前國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備,仍然有約60-70%的零部件依賴于進(jìn)口,在未來,隨著國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展,零部件的國(guó)產(chǎn)化率也將逐步提高,實(shí)現(xiàn)真正的半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。



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