在大伙都在議論紛紛時(shí)，英特爾高級(jí)院士Mark Bohr用半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威刊物《IEEE Spectrum》的撰文作出回應(yīng)。關(guān)于自家10nm工藝，他表示在技術(shù)、成本方面都有巨大優(yōu)勢(shì)，10nm工藝的晶體管密度不但會(huì)超過(guò)現(xiàn)在的自家14nm，還會(huì)優(yōu)于其他公司的10nm，也就是集成度更高，柵極間距將從14nm工藝的70nm縮小到54nm，邏輯單元?jiǎng)t縮小46%，這比以往任何一代工藝進(jìn)化都更激進(jìn)。

　　這段話背后的意思很明顯：友商在玩數(shù)字游戲!而我英特爾就是個(gè)“老實(shí)人”。

　　數(shù)字游戲

　　摩爾：集成電路所包含的晶體管每18個(gè)月就會(huì)翻一番。

　　摩爾應(yīng)該不會(huì)想到，自己的一句話成了一個(gè)定律且讓世界級(jí)廠商為追求更小的數(shù)字而瘋狂。

　　這個(gè)數(shù)字背后，指的是“線寬”，精確一點(diǎn)而言，就是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)的閘極長(zhǎng)度(Gate Length)。

　　更具體的原理如下：

　　場(chǎng)效電晶體用閘極來(lái)控制電流的通過(guò)與否，以代表 0 或 1 的數(shù)碼訊號(hào)，也是整個(gè)結(jié)構(gòu)中最細(xì)微、復(fù)雜的關(guān)鍵，當(dāng)閘極可以縮小，電晶體體積也能跟著縮小，一來(lái)切換速度得以提升，每個(gè)芯片能塞入更多電晶體或縮小芯片體積;再者，當(dāng)閘極長(zhǎng)度愈小，閘極下方電子通道愈窄，之間的轉(zhuǎn)換效率提升、能量的耗損也能降低，收減少耗電量之效，但當(dāng)閘極太薄，源極與汲極距離愈靠近，電子也可能不小心偷溜過(guò)去產(chǎn)生漏電流，加以也有推動(dòng)力不足的問(wèn)題，這也是為何制程微縮難度愈來(lái)愈高;臺(tái)積、英特爾與三星群雄間爭(zhēng)的你死我活的原因。

　　不過(guò)我們把話題再拉到這場(chǎng)數(shù)字游戲中，英特爾說(shuō)三星和臺(tái)積電灌水，那到底灌水沒(méi)灌水呢?

　　半導(dǎo)體芯片和系統(tǒng)還原工程與分析廠商 ChipWorks、Techinsights 與半導(dǎo)體分析廠商 Linley Group 都對(duì)臺(tái)積電、三星、英特爾 16/14 納米做過(guò)比較。

　　從 Linley Group 與 Techinsights 實(shí)際分析的結(jié)果，包含英特爾、臺(tái)積電與三星在 14/16 納米實(shí)際線寬其實(shí)都沒(méi)達(dá)到其所稱的制程數(shù)字，根據(jù)兩者的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電 16 納米制程實(shí)際測(cè)量最小線寬是 33 納米，16 納米 FinFET Plus 線寬則為 30 納米，三星第一代 14 納米是 30 納米，14 納米 FinFET 是 20 納米，英特爾 14 納米制程在兩家機(jī)構(gòu)測(cè)量結(jié)果分別為 20 納米跟 24 納米。

　　英特爾：納尼?

　　調(diào)研 The Linley Group 創(chuàng)辦人暨首席分析師 Linley Gwennap，在 2016 年 3 月接受半導(dǎo)體專業(yè)期刊 EETimes 采訪時(shí)，也透露了晶圓代工廠間制程的魔幻數(shù)字秘密，Gwennap 指出，傳統(tǒng)表示制程節(jié)點(diǎn)的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是看閘極長(zhǎng)度，但在行銷的努力下，節(jié)點(diǎn)名稱不再與實(shí)際閘極長(zhǎng)度相符合，不過(guò)，差距也不會(huì)太大，Gwennap 即言，三星的 14 納米約略等于英特爾的 20 納米。Gwennap 認(rèn)為，臺(tái)積電與三星目前的制程節(jié)點(diǎn)仍落后于英特爾，以三星而言，14 納米制程稱作 17 納米會(huì)較佳，而臺(tái)積電 16 制程其實(shí)差不多是 19 納米。

　　但美國(guó)知名財(cái)經(jīng)博客 The Motley Fool 技術(shù)專欄作家 Ashraf Eassa 從電子顯微鏡圖來(lái)看，認(rèn)為英特爾、三星甚至臺(tái)積電在三者 14/16 納米制程差距或許不大。Ashraf Eassa 對(duì)比英特爾 14 與 22 納米，以及三星 14 納米的電子顯微鏡圖，其指出，英特爾 14 納米側(cè)壁的斜率要比 22 納米垂直，根據(jù)官方的說(shuō)法，這能使英特爾的散熱鰭片(fin)更高更瘦，以提升效能。

　　而三星 14 納米制程電子顯微鏡圖相較起來(lái)，和英特爾 14 納米制程還比較相近，加以 Ashraf Eassa 用臺(tái)積電宣稱 16 納米 FinFET Plus 能比三星最佳的 14 納米技術(shù)在相同功率下，效能能比三星提升 10% 來(lái)推測(cè)，臺(tái)積電 16 納米 FinFET Plus 的晶體管結(jié)構(gòu)應(yīng)與三星相差不遠(yuǎn)，甚至鰭片(fin)會(huì)更加細(xì)長(zhǎng)。

　　當(dāng)然，我們并不能說(shuō)“線寬”就是技術(shù)實(shí)力，背后還要考慮很多因素。

　　不過(guò)專業(yè)人士認(rèn)為，英特爾的10nm的確要厲害一點(diǎn)。不然憋了這么久，豈不是白忙活了。然而，臺(tái)積電三星已經(jīng)靠10nm技術(shù)賺很多錢了，英特爾現(xiàn)在來(lái)“搶錢”還來(lái)得及不?