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首次揭秘:英特爾制勝未來的半導(dǎo)體前沿技術(shù)儲(chǔ)備

作者: 時(shí)間:2017-09-20 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  技術(shù)與制造前沿研究項(xiàng)目

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201709/364544.htm

  Intel’s Components Research team fund sand works with universities and academic research consortia on forward-looking research topics such as Spintronics, and also on the understanding of fundamental science which is the basis of these forward-looking research.

  前沿研究部門資助多家大學(xué)院校和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu),共同開展多種前沿研究課題,比如自旋電子以及這些前沿研究的基礎(chǔ)科學(xué)。

    

  高級(jí)院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān)Mark T. Bohr

  解讀英特爾前沿研究項(xiàng)目

  1Nanowire transistorsare being explored as a future option because the nanowire structure provides improves channel electrostatics that can enable further transistor gate length scaling.

  被認(rèn)為是未來技術(shù)的一種選擇,因?yàn)榧{米線的結(jié)構(gòu)可提供改進(jìn)通道靜電,從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)晶體管柵極長(zhǎng)度的微縮。

  2Silicon has always been the material used in MOSFET channels, but III-V materialssuch as GaAs and InP have improved carrier mobility that can provide higher performance or the ability to operate transistors at lower voltage for lower active power.

  硅是MOSFET通道中經(jīng)常使用的材料,但是III-V 材料(如砷化鎵和磷化銦)改進(jìn)了載流子遷移率,從而提供更高的性能或者能夠在更低的電壓和更低的有功功耗下運(yùn)行晶體管。

  33D stacking of silicon die can provide system integration opportunities to mix different technologies into a small form factor.

  硅晶片的3D堆疊有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成,以便把不同的技術(shù)混裝到一個(gè)很小的地方。

  4A variety of dense memory options, including volatile and non-volatile memory, are being explored and developed.

  多種不同的高密度內(nèi)存選擇,其中包括易失性和非易失性存儲(chǔ)技術(shù),正在探索和開發(fā)中。

  5Scaling interconnectsis just as important as scaling transistors on advanced process technologies. Novel materials and patterning techniques are being explored to enable dense interconnects.

  對(duì)于精尖制程工藝來說,微縮互聯(lián)和微縮晶體管一樣重要。新的材料和圖案成形技術(shù)正在探索中,以支持高密度互聯(lián)。

  6Extreme Ultraviolet (EUV) lithography using a 13.5 nm wavelength is being developed to enable better scaling as today’s 193nm wavelength tools reach their scaling limit.

  極紫外(EUV)光刻技術(shù):采用13.5納米波長(zhǎng)。由于當(dāng)今的193納米波長(zhǎng)工具已達(dá)到其微縮極限,該技術(shù)正在研發(fā)中以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的微縮。

  7Spintronicsis a beyond-CMOS technology that promises very dense and low power circuits that are an option when CMOS can no longer be scaled.

  自旋電子是一種超越CMOS的技術(shù),當(dāng)CMOS無法再進(jìn)行微縮的時(shí)候,這是一種選擇,可提供非常密集和低功耗的電路。

  8Neuromorphic computingis a different processor design and architecture approach for performing some computing functions with much better power efficiency than today’s computers.

  神經(jīng)元計(jì)算是一種不同的處理器設(shè)計(jì)和架構(gòu),能夠以比當(dāng)前計(jì)算機(jī)高得多的能效執(zhí)行某些計(jì)算功能。



關(guān)鍵詞: 英特爾 納米線晶體管

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