行業(yè)高度壟斷——韓國(guó)三星獨(dú)占鰲頭

　　我們來看看市場(chǎng)情況，就知道中國(guó)為什么非要進(jìn)攻DRAM市場(chǎng)了。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器主要應(yīng)用于臺(tái)式電腦、筆記本電腦、手機(jī)、平板電腦、固態(tài)硬盤、閃存等領(lǐng)域，包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大類。2015年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷售總額達(dá)772億美元。在全球3352億美元的集成電路產(chǎn)業(yè)中，占據(jù)23%的份額，是極為重要的產(chǎn)業(yè)核心部件。

　　其中DRAM內(nèi)存主要用于臺(tái)式電腦、筆記本電腦，全球市場(chǎng)規(guī)模約420億美元，目前被韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)鎂光三家壟斷，占據(jù)90%以上的份額。從1992年以來，韓國(guó)三星在DRAM市場(chǎng)已經(jīng)連續(xù)25年蟬聯(lián)世界第一，占據(jù)絕對(duì)壟斷地位，市占率超過60%。似乎無人可以撼動(dòng)它的地位。

　　NAND Flash閃存主要用于手機(jī)存儲(chǔ)、平板電腦、SSD固態(tài)硬盤、大容量閃存，全球市場(chǎng)規(guī)模約300億美元，壟斷形勢(shì)更加嚴(yán)重。韓國(guó)三星、海力士、美國(guó)鎂光、英特爾、閃迪、日本東芝六家廠商，壟斷了全球99%的產(chǎn)量。其中僅三星、海力士、東芝三家，就占了80%以上的份額。NOR Flash閃存屬于小眾產(chǎn)品，主要用于16M以下的小容量閃存，全球市場(chǎng)規(guī)模只有30億美元，由美國(guó)鎂光、韓國(guó)三星、臺(tái)灣旺宏、華邦、中國(guó)大陸的兆易創(chuàng)新等7家企業(yè)瓜分。

　　行業(yè)高度壟斷造成的結(jié)果，是前三大廠商可以輕易操縱產(chǎn)量和價(jià)格，用低價(jià)來擠垮競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，或用漲價(jià)來謀取暴利。2016年由于全球內(nèi)存芯片缺貨，三星電子營(yíng)業(yè)收入達(dá)到809億美元，利潤(rùn)高達(dá)270億美元。韓國(guó)海力士收入142億美元，美國(guó)鎂光收入128億美元。

　　而中國(guó)廠商深受其害。中國(guó)是世界最大的電子產(chǎn)品制造國(guó)。2016年，光是中國(guó)就是生產(chǎn)了3.314億臺(tái)電腦，21億臺(tái)手機(jī)(其中智能手機(jī)占15億臺(tái))，1.78億臺(tái)平板電腦。與之相對(duì)應(yīng)，2016年，中國(guó)進(jìn)口DRAM產(chǎn)品超過130億美元。中國(guó)需要的存儲(chǔ)器芯片9成以上需要進(jìn)口。國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)能也掌握在韓國(guó)海力士等外資廠商手中。

　　2015年起，美國(guó)鎂光(Micron)，在新加坡Woodlands投資40億美元，擴(kuò)建Fab 10X晶圓廠，主要生產(chǎn)第二代32層堆疊3D NAND閃存。2017年建成后，月產(chǎn)能14萬片晶圓，采用16納米工藝。

　　有錢都買不到——那就自己造吧

　　在外資廠商故意操縱下，華為、中興、小米、聯(lián)想等中國(guó)手機(jī)、PC廠商，經(jīng)常遇到DRAM缺貨情況。而在中國(guó)國(guó)內(nèi)，僅有中芯國(guó)際具備少量DRAM產(chǎn)能，根本無法實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。更嚴(yán)重的事例還有：2016年3月，美國(guó)政府下令制裁中國(guó)中興通訊，禁止美國(guó)廠商給中興提供元器件。這種情況簡(jiǎn)直讓人不寒而栗。2017年4月，華為手機(jī)爆出閃存門事件。事情的根源，實(shí)際就是華為手機(jī)用的NAND Flash內(nèi)存嚴(yán)重缺貨。

　　怎么辦呢?有錢可以買吧?2015年7月，中國(guó)紫光集團(tuán)向全球第三大DRAM廠商，美國(guó)鎂光科技，提出230億美元的收購(gòu)要約。結(jié)果被鎂光拒絕了，理由是擔(dān)心美國(guó)政府，會(huì)以信息安全方面的考慮，阻撓這項(xiàng)交易。

　　那就自己造吧。于是從2016年起，中國(guó)掀起了一場(chǎng)DRAM產(chǎn)業(yè)投資風(fēng)暴。紫光集團(tuán)宣布投資240億美元，在武漢建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)器基地(武漢新芯二期12英寸晶圓DRAM廠)，占地超過1平方公里，2018年一期建成月產(chǎn)能20萬片，預(yù)計(jì)到2020年建成月產(chǎn)能30萬片，年產(chǎn)值超過100億美元。計(jì)劃2030年建成月產(chǎn)能100萬片。福建晉華集團(tuán)與聯(lián)華電子合作，一期投資370億元，在晉江建設(shè)12英寸晶圓DRAM廠，2018年建成月產(chǎn)能6萬片，年產(chǎn)值12億美元。規(guī)劃到2025年四期建成月產(chǎn)能24萬片。合肥長(zhǎng)鑫投資494億(72億美元)，2018年建成月產(chǎn)能12.5萬片。

　　2017年1月，紫光集團(tuán)宣布投資300億美元(約2000億人民幣)，在江蘇南京投資建設(shè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)基地，一期投資100億美元，建成月產(chǎn)能10萬片，主要生產(chǎn)3D NAND FLASH(閃存)、DRAM存儲(chǔ)芯片。

　　上述四個(gè)項(xiàng)目總投資超過660億美元(4450億元人民幣)。確實(shí)有點(diǎn)瘋狂。

　　但是只要認(rèn)真研究過去半個(gè)世紀(jì)，世界DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史，就會(huì)讓人看清一件事情。

　　——拿錢砸死對(duì)手，少砸一點(diǎn)就會(huì)死!不相信的都死了!

　　2016年6月，美國(guó)IBM實(shí)驗(yàn)室的研究人員Janusz Nowak，向記者展示新型的磁性儲(chǔ)藏器(STT-MRAM)12寸晶圓。磁性內(nèi)存既有DRAM和SRAM的高性能，又有閃存的低功耗和低成本，被認(rèn)為具有競(jìng)爭(zhēng)下一代內(nèi)存的潛力，但是還存在很多問題。

　　2017年6月，韓國(guó)三星電子宣布，開始在平澤工廠(Fab18)，批量生產(chǎn)64層堆疊的256Gb第四代TLC V-NAND內(nèi)存產(chǎn)品。三星目前V-NAND占整體NAND Flash產(chǎn)能的70%以上，擁有500多項(xiàng)專利。