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北航與微電子所成功制備國內首個80nm磁隨機存儲器芯片器件

作者: 時間:2017-05-08 來源:中科院微電子研究所 收藏

  近日,北京航空航天大學與微電子所聯(lián)合成功制備國內首個80納米自旋轉移矩——磁隨機芯片(STT-MRAM)器件。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201705/358867.htm

  STT-MRAM是一種極具應用潛力的下一代新型解決方案。由于采用了大量的新材料、新結構,加工制備難度極大。當前,美韓日三國在該項技術上全面領先,很有可能在繼硬盤、DRAM及閃存等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。

  微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學教授趙巍勝的聯(lián)合團隊通過3年的艱苦攻關,在STT-MRAM關鍵工藝技術研究上實現(xiàn)了重要突破,在國內首次采用可兼容CMOS工藝成功制備出直徑磁隧道結,器件性能良好,其中器件核心參數包括隧穿磁阻效應達到92%,可實現(xiàn)純電流翻轉且電流密度達到國際領先水平。

  在北京市科委的大力支持下,該工作完全采用了可兼容傳統(tǒng)CMOS集成電路的工藝方法和流程,具備向產品化、產業(yè)化轉移的條件,對我國產業(yè)的技術突破形成了具有實際意義的推動作用。



關鍵詞: 80nm 存儲器

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