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STM32F10x Flash 模擬 EEPROM

作者: 時間:2016-11-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
STM32F10x芯片本身沒有集成EEPROM,替代方案是用片上Flash模擬EEPROM。Flash與EEPROM的區(qū)別主要是:一、EEPROM可以按位擦寫,而Flash只能按塊(頁)擦除;二、Flash的擦除壽命約1 萬次,較EEPROM低一個量級。ST網(wǎng)站有個Flash模擬EEPROM的范例:AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers(包括源碼和文檔)。范例在保存修改的數(shù)據(jù)時,以寫入新數(shù)據(jù)來替代對原數(shù)據(jù)的修改,并使用兩個頁面輪流寫入,單頁寫滿后進行數(shù)據(jù)遷移,再一次性擦除舊頁面。這個策略可以有效降低Flash擦除次數(shù)。

  不過,范例代碼只能保存固定大小的數(shù)據(jù)(16bits),雖然容易改成不同的固定大小,但實際用起來還是很不方便。我改寫了一下,新的特性包括:

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201611/321584.htm
  • 支持不同大小數(shù)據(jù)(字符數(shù)組、結(jié)構(gòu)體等)的混合存儲;
  • 增加對數(shù)據(jù)的校驗和(Checksum)檢查。

  附件提供了源碼。使用方法很簡單,比如要保存一個字符數(shù)組title和一個point結(jié)構(gòu)體:

#include"eeprom.h"
#defineTITLE_SIZE80
#defineTITLE_KEY1
#definePOINT_KEY2
typedefstruct{
floatx;
floaty;
floatz;
}Point;
chartitle[TITLE_SIZE]="eepromteststring.";
Pointpoint;

  執(zhí)行必要的初始化操作后,就可以進行寫入和讀?。?/p>

uint16_tresult=0;
FLASH_Unlock();
EE_Init();
result=memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY,title,TITLE_SIZE);
result=memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY,&point,sizeof(point));
result=memcpy_from_eeprom_with_checksum(title,TITLE_KEY,TITLE_SIZE);
result=memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point,POINT_KEY,sizeof(point));

  實現(xiàn)混合存儲的辦法,是給每個變量附加8字節(jié)的控制信息。因此,在存儲小數(shù)據(jù)時會有較大的空間損耗,而在存儲較大的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)時空間利用率更高(相對于范例)。代碼是針對STM32F103VE的實現(xiàn)。不同芯片需要對應(yīng)修改頭文件中EEPROM_START_ADDRESS的定義:

#defineEEPROM_START_ADDRESS((uint32_t)0x0807F000)

附件:STM32F10x_EEPROM_Emulation.zip




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