MSP430系列芯片晶振選型說(shuō)明
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軟件設(shè)置模式 本文引用地址：http://m.ptau.cn/article/201611/321421.htm | 電源電壓要求 | 所接晶振 | 晶振接口內(nèi)部電容 | 匹配電容 |
| 低頻模式0 | 1.8 V to 3.6 V | 32768（Hz） | 1（pF） | 建議不外接電容 |
| 低頻模式1 | 1.8 V to 3.6 V | 32768（Hz） | 5（pF） | 建議不外接電容 |
| 低頻模式2 | 1.8 V to 3.6 V | 12000（Hz）1和4系列除外 | 8.5（pF） | 建議不外接電容 |
| 低頻模式3 | 1.8 V to 3.6 V | 外部時(shí)鐘如：有源晶振 | 11（pF） | 建議不外接電容 |
表一 XT1晶振接口接低速晶振電氣特性分析
XT1晶振接口，如果接高速晶振，關(guān)鍵是要考慮到它內(nèi)部含有一定的匹配電容，因此在外加晶振時(shí)就必須要比XT2晶振接口電容要小一些，具體注意如下表所示：
軟件設(shè)置模式 | 電源電壓要求 | 晶振口電流 | 晶振接口外接電容 | 晶振頻率 |
| 高頻模式0 | 1.8 V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15（pF） | 0.4--1MHZ |
| 高頻模式1 | 1.8 V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15（pF） | 1--4MHZ |
| 高頻模式2 | 2.2 V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15（pF） | 2--12MHZ |
| 高頻模式3 | 3V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15（pF） | 4--16MHZ |
表二 XT1晶振接口接高速晶振電氣特性分析
XT2晶振接口是一個(gè)高速的晶振接口智能接高速的晶振，同時(shí)由于內(nèi)部不帶諧振電容，所以必須匹配好電容，根據(jù)MSP430系列芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)，可得以下XT2晶振接口接高速晶振電氣特性分析如下表所示：
軟件設(shè)置模式 | 電源電壓要求 | 晶振口電流 | 晶振接口外接電容 | 晶振頻率 |
| 高頻模式0 | 1.8 V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15--30（pF） | 0.4--1MHZ |
| 高頻模式1 | 1.8 V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15--22（pF） | 1--4MHZ |
| 高頻模式2 | 2.2 V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15--22（pF） | 2--12MHZ |
| 高頻模式3 | 3V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15--22（pF） | 2--16MHZ |
表三 XT2晶振接口接高速晶振電氣特性分析
MSP430系列芯片所有的晶振接口上的旁路電容大概都是2pF，旁路電容我們可以看成是晶振和單片機(jī)之間的負(fù)載電容，但是旁路電容隨著晶振和單片機(jī)的距離以及單片機(jī)的種類，在電氣焊接時(shí)的方法不同而不同，所以為了要更好的讓晶振起振，選擇合適的負(fù)載能力比較強(qiáng)的晶振。MSP430系列芯片因?yàn)槭?strong>低功耗單片機(jī)，所以他的I/O流過(guò)的電流比較小，在這種情況下就必須要求晶振的諧振電阻必須要小，因?yàn)樘罅薎/O不能供應(yīng)足夠的電流讓晶振正常的工作，所以必須選擇合適的諧振電阻的晶振。 MSP430系列芯片對(duì)晶振輸出的正弦波震蕩幅度也有要求，最低必須保證要有0.2VCC的輸出電壓，所以必須選擇合適的諧振輸出電壓值的晶振。影響晶振起振的原因有晶振（ESR）、晶振啟動(dòng)后負(fù)載電容的大小、單片機(jī)電源電壓的范圍、PCB布線和電氣隔離、外部的環(huán)境因素和電路板的保護(hù)涂層處理，上面具體介紹的三個(gè)參數(shù)是選擇晶振時(shí)必須考慮的最主要的參數(shù)。在振蕩回路中，晶體既不能過(guò)激勵(lì)(容易振到高次諧波上)也不能欠激勵(lì)(不容易起振)。晶體的選擇至少必須考慮：諧振頻點(diǎn)，負(fù)載電容，激勵(lì)功率，溫度特性，長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
MSP430系列芯片XT1口接低速晶振時(shí)，不用接外部的諧振電容，在設(shè)計(jì)電路時(shí)主要是注意PCB布線（具體參考晶振不起振原因分析及相應(yīng)解決辦法）以及低速晶振頻率范圍為（10，000--50，000）HZ，再就是軟件的配置問(wèn)題，在軟件正確配置的條件下，通過(guò)測(cè)試低速晶振都能正常的工作（1系列的單片機(jī)可能要注意購(gòu)買低速晶振的ESR要小于50K?）。MSP430系列芯片在選擇高速晶振時(shí)，必須考慮晶振的參數(shù)來(lái)匹配MSP430系列芯片，MSP430系列芯片對(duì)晶振參數(shù)要求如下表所示：
晶振參數(shù) | 規(guī)格（MSP430系列芯片,5系列除外） |
| 頻率范圍（MHz） | 450KHz--1600KHz |
| 負(fù)載電容（pF） | 大于15pF |
| 調(diào)整頻差（ppm）精度 | 客戶可以根據(jù)要求自行選擇相應(yīng)精度的晶振 |
| 工作溫度（℃） | 建議選擇-20--70℃ |
| 儲(chǔ)存溫度（℃） | 建議選擇-50--128℃ |
| 諧振電阻（?）（ESR） | 小于70?(大于8MHz的晶振這個(gè)值要小于40?) |
| 靜態(tài)電容（pF） | 小于7pF |
| 激勵(lì)電平（mW） | 小于1mW |
| 晶振震蕩的電壓 | 大于0.2VCC |
| 絕緣電阻 | 最小400M? |
表四 高速晶振電氣特性表
如果是用外部的PWM波作為時(shí)鐘，MSP430系列芯片要求必須要保證PWM的占空比在40%--60%之間這樣才能讓單片機(jī)的時(shí)鐘系統(tǒng)正常的工作。
評(píng)論