2. NandFlash接口信號(hào)
*NandFlash接口信號(hào)較少；
*數(shù)據(jù)寬度只有8Bit，沒(méi)有地址總線。地址和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，串行讀?。?br />

信號(hào)名稱(chēng)	信號(hào)描述
IO[7..0]	數(shù)據(jù)總線
CE#	片選信號(hào)(Chip Select)，低電平有效
WE#	寫(xiě)有效(Write Enable)，低電平表示當(dāng)前總線操作是寫(xiě)操作
RE#	讀有效(Read Enable)，低電平表示當(dāng)前總線操作是讀操作
CLE	命令鎖存(Command Latch Enable)信號(hào)，寫(xiě)操作時(shí)給出此信號(hào)表示寫(xiě)命令
ALE	地址/數(shù)據(jù)鎖存(Address Latch Enable)信號(hào)，寫(xiě)操作時(shí)給出此信號(hào)表示寫(xiě)地址或數(shù)據(jù)
WP#	寫(xiě)保護(hù)(Write Protect)信號(hào)
R/B	忙(Read/Busy)信號(hào)

3. NandFlash地址結(jié)構(gòu)
*NandFlash設(shè)備的存儲(chǔ)容量是以頁(yè)(Page)和塊(Block)為單位的。
*Page=528Byte(512Byte用于存放數(shù)據(jù)，其余16Byte用于存放其他信息，如塊好壞的標(biāo)記、塊的邏輯地址、頁(yè)內(nèi)數(shù)據(jù)的ECC校驗(yàn)和等)。
*Block=32Page；
*容量為64MB的NandFlash存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)為：512Byte×32Page×4096Block；
*NandFlash以頁(yè)為單位進(jìn)行讀和編程（寫(xiě)）操作，一頁(yè)為512Byte；以塊為單位進(jìn)行擦除操作，一塊為512Byte*32page=16KB；
*對(duì)于64MB的NAND設(shè)備，需要26根地址線，由于NAND設(shè)備數(shù)據(jù)總線寬度是8位的，因此必須經(jīng)過(guò)4個(gè)時(shí)鐘周期才能把全部地址信息接收下來(lái)；

	I/O7	I/O6	I/O5	I/O4	I/O3	I/O2	I/O1	I/O0
第一個(gè)周期	A7	A6	A5	A4	A3	A2	A1	A0
第二個(gè)周期	A15	A14	A13	A12	A11	A10	A9	A8
第三個(gè)周期	A23	A22	A21	A20	A19	A18	A17	A16
第四個(gè)周期							A25	A24

*可以這么說(shuō)，第一個(gè)時(shí)鐘周期給出的是目標(biāo)地址在一個(gè)page內(nèi)的偏移量，而后三個(gè)時(shí)鐘周期給出的是頁(yè)地址。
*由于一個(gè)頁(yè)內(nèi)有512Byte，需要9bit的地址尋址，而第一個(gè)時(shí)鐘周期只給出了低8bit，最高位A8由不同的讀命令(Read Mode2)來(lái)區(qū)分的。
4.NandFlash的命令